3、晶体三极管

1、晶体三极管(晶体管或双极性三极管 bipolar junction transistor, BJT)

分为NPN和PNP两类

发射极:发射电子

基极:控制

集电极:收集电子

区分两种管子看箭头:发射结正偏时,电流的流向

若箭头从基极b指向发射极e,电流从b流到e,则b为p区,管子为NPN类型

若箭头从发射极e指向基极b,电流从e流到b,则b为n区,管子为PNP类型


2、三极管的作用

模拟电路:电流放大作用,用于接收传感器的微弱信号,放大成我们可以处理的大信号。再经过AD转换成数字电路来进行处理

数字电路:开关特性,与MOS管一样,可以用于门电路的搭建,制造集成电路 

在放大器中是利用三极管的电流放大作用,在门电路中利用的是开关特性


3、三极管的输入输出特性(NPN共发射极 为例)

输入是基级b和发射级e的端口,拿NPN管子来讲,输入是只是一个PN结正偏

 输出是集电极c和发射极e之间的电流,分为3个区

 放大区:c极和e极的输出电流与集电极和发射级之间的电压无关,IC只和IB有关,IB越大IC越大,成线性关系,利用这一电流放大特性,可以做成放大器

截止区:当IB=0时,IC=0

饱和区:当IB达到开启电压后,IC随着Vce的增加而增加,相对于截止区而言,饱和区相当于导通

利用截止区和饱和区的开关特性,可以将BJT制作成门电路,采用BJT制成的集成电路叫TTL(Transistor-Transistor Logic)电路


4、电流放大作用

 具有电流放大作用的原因有两个:

内部原因:

外部原因:

发射结正偏,集电结反偏

晶体三极管是流控元件(电流控制),共射级放大电路是通过基极b与发射极e之间的小电流来控制集电极c和发射极e之间的大电流。

HBase ShellHBase的交互式命令行界面,用于管理HBase数据库和执行各种操作。以下是HBase Shell常用命令: 1. help:显示可用命令的帮助信息。 2. version:显示当前HBase Shell的版本号。 3. status:显示HBase集群的状态信息,包括RegionServer的数量和状态。 4. list:列出所有的表。 5. create ‘table_name’, ‘column_family’:创建一个新表,并指定列族。 6. disable ‘table_name’:禁用一个表,停止对其进行读写操作。 7. enable ‘table_name’:启用一个表,允许对其进行读写操作。 8. describe ‘table_name’:显示一个表的结构信息,包括列族和列的详细信息。 9. alter ‘table_name’, {NAME => ‘column_family’, VERSIONS => ‘version_count’}:修改表的列族或列的配置,例如修改列族的最大版本数目。 10. drop ‘table_name’:删除一个表。 11. put ‘table_name’, ‘row_key’, ‘column_family:column’, ‘value’:向表中插入一条数据。 12. get ‘table_name’, ‘row_key’:获取表中指定行的数据。 13. scan ‘table_name’:扫描整个表,获取所有数据。 14. delete ‘table_name’, ‘row_key’, ‘column_family:column’:删除表中指定行的数据。 15. count ‘table_name’:统计表中的行数。 这些命令只是HBase Shell中的一部分,还有其他更多的命令可用于管理和操作HBase数据库。通过使用这些命令,可以在HBase Shell中轻松地管理表、插入和检索数据,以及执行其他与HBase相关的操作。
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