pycocotools怎样在windows安装

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分类专栏： 深度学习 文章标签： 深度学习
于 2023-01-09 23:12:56 首次发布
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tsmc关于mim电容的介绍
06-11
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矩量法算平板电容
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解析MIM，MOM，MOS电容
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mom mim和mos电容
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mos电容单位面积电容更高，线性度差，一般需要接地或者电源，一般做大电容滤波使用。mim金属绝缘体金属电容:上下层金属间的电容效应。mom金属氧化物金属电容:插指电容。mim的匹配性比mom更好。
电容类型
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MMIC设计概述
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【IC】MOM、MIM 和 MOS 电容器之间的区别
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MIM MOM MOS CAP
MIM,MOM和MOS电容的区别
qq_43534451的博客
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ic layout经常会遇到这三种电容： MOS， MOM ， MIM MOS 电容：两端结构的mos管，电容值不精确，可以实现随控制电压变化而变 化的容值，上下极板接法不可互换。 MOM 电容：finger 插指电容，即利用同层metal边沿之间的C。为了省面积，可以多层metal叠加，PDK中metal层数可以选择。一般只在多层金属的先进制程上使用，因为是通过多层布线的版图来实现的，但得到的电容值确定性和稳定性不如MIM，一般可能会用在那种对电容值要求不高，只是用到相对比值之类的应用。上下极板接法可互换
SOC芯片使用MIM电容和封装贴容对PI的收益对比
鹰飞天下
09-14 782
为了提高功率完整性性能，降低系统级PDN阻抗的峰值非常重要。降低封装电感和增加芯片电容Cdie是降低系统级PDN阻抗峰值的有效手段。前者可以通过在封装中使用去耦电容器来实现，由于封装的薄而短的趋势，去耦电容器的应用变得越来越困难。后者可以通过增加芯片面积来解决，这在成本方面非常低效。所以一种通过堆叠在原始芯片的BEOL（后端）层上的MIM（金属-绝缘体-金属）电容的方式就出现了，已经不少应用芯片通...
65nm工艺下MOM电容详解与蒙特卡洛仿真及calibre xRC
长河柱天的博客
04-04 2万+
提纲 1、SMIC65LL工艺MOM电容工艺详解 2、电容失配模型（蒙特卡洛模型及其仿真方法概述） 3、Calibre SVRF介绍 3.0 xRC和xL 3.1 xcell和hcell 3.2 extraction type 3.3 PEX option 4、MOM电容阵列寄生提取策略 正文 一、MOM电容 如图，一般三端MOM是做在N阱里，这样...
【IC知识点】电路设计中的去耦问题decouple
weixin_44951108的博客
03-25 6587
画完版图后需要跑后仿，考虑decouple加退耦电容、撒dummy、加pad才能用得到的GDS文件流片。但对于者之间的整个流程和具体步骤都比较陌生，在此进行一个较为详细的学习记录。关键词：退耦电容decap，去耦decouple。
mim电容和mom电容的区别
最新发布
05-13
嗯，用户想了解MIM电容和MOM电容的区别，特别是技术差异和应用场景。我需要先回忆这两种电容的基本结构。MIM电容应该是金属-绝缘体-金属结构，而MOM电容是金属-氧化物-金属，或者可能是利用金属层之间的横向耦合？...
MIM电容
03-15
可能还需要比较其他类型的电容，如MOS电容或MOM电容，说明MIM的优势和适用场景。 然后，制造工艺方面，可能需要提到使用的材料，比如金属层常用铝或铜，绝缘体可能是二氧化硅、氮化硅，或者高k材料如HfO2。这些材料...
ads版图仿真MIM电容
01-06
利用ADS内置元件库中的理想电容组件作为初步近似表示实际MIM电容，并为其赋予初始估计值。随后可通过调整这些变量来进行敏感度分析或最优化计算，从而更精确地匹配目标性能指标[^4]。 #### 设置边界条件及激励源 ...
mom mim mos
qq_38630084的博客
06-28 864
MIM电容的优点： 可以利用Via和特殊工艺分别将奇数层连接（M9, M7, M5）和偶数层 (M8，M6, M4)连接，这样可以增加单位面积电容。 MIM电容的缺点： 在65nm工艺下，即便用上9层金属和Poly去构建MIM，其单位面积电容也只有（1.4fF/微米平方），而寄生电容Cp可以达到总电容的10%。 MOM电容的优点： -高单位电容值 -低寄生电容 -对称平面结构 -优良RF特性 -优良匹配特性 -兼容金属线工序，无需增加额外工序 在先进CMOS制程中，MOM电容已经成为最主要的电容结构。在28
大功耗芯片内电源MIM电容的应用及其电源完整性的收益
鹰飞天下
09-13 988
近些年来随着人工智能和大数据应用的发展，基于大数据的挖掘和处理的计算资源和能力对于容纳庞大的数据处理能力非常重要。对于半导体技术而言，随着工艺制程的演进，晶体管栅极channel沟道逐渐变小，然而电源电压也在逐渐变低，在决定芯片性能下电源网络一个稳定性好的电压是非常重要的。 在高频高速应用中，需要支持更大的带宽，为了支持多核CPU、GPU、NPU的性能需求，就需要对芯片的电源PI性能进...
MOM电容寄生参数重复提取
努力学习的IC小白
07-22 2039
ps:用gate level可以大致估算一下数量级，如果transistor level提出来的mom电容连接点的地方比gate level提取出来的高了好几倍，就说明transistor level把mom电容本身的容值也加进去了。②Transistor level精度高用这个，它是把电容打散，因此既会抽取电容本身的电容，还会抽取电容打散的金属间的寄生电容，还会抽取两个电容之间金属的寄生电容，对于Transistor level重复提取的解决办法就是在pex进行语句输入，屏蔽掉MOM电容。
最新成果：用于模拟和混合信号布局设计的自动自适应 MOM 电容器单元生成
Srfun的博客
06-27 1421
用于具有自适应电容的自动 MOM 电容器单元生成。 给定预期的电容值和可用的金属层，所提出的电容器单元生成方法可以产生具有最小面积和匹配电容的紧凑型 MOM 电容器单元。 与前人工作中非自适应电容的MOM电容单元相比，实验结果表明，所提出的自适应MOM电容单元生成方法可以在逐次逼近寄存器模拟中减少25%的芯片面积和20%的电容网络功耗。 数字转换器 (SAR ADC)。随着工艺技术的进步，更多的金属层可用于芯片设计和制造。 在现代设计应用中，金属氧化物-金属 (MOM) 电容器结构（例如手指 [2]、三明治
MIM结构图
04-28
<think>好的，我现在需要处理用户关于MIM结构图的查询。首先，用户希望了解MIM结构在IT领域的应用，特别是金属-绝缘体-金属结构的图解和相关资料。我需要先回忆MIM结构的基本知识，确保理解正确。 MIM结构是一种由两层金属中间夹着绝缘层组成的电容器，常用于集成电路中的电容元件。在半导体制造中，MIM电容因其高电容密度和稳定性而被广泛使用。接下来，我需要确认用户提到的IT领域是否指信息技术中的具体应用，比如芯片设计或存储技术。 用户可能需要结构图来直观理解其构造。我应该描述MIM的层状结构，并说明各层材料，比如上层和下层金属可能使用铝、铜或钛，绝缘体常用二氧化硅、氮化硅或高介电常数材料。同时，需要解释其在电路中的作用，如滤波、储能或耦合。 考虑到用户之前的问题涉及工艺角分析和Monte Carlo仿真，可能需要联系制造过程中的工艺变化对MIM电容性能的影响。例如，工艺角分析如何确保MIM结构在不同条件下的可靠性，而Monte Carlo仿真可能用于评估电容值的变化对电路良率的影响。 需要确保回答中的技术术语准确，比如区分MIM与其他电容结构如MOM（金属-氧化物-金属）。此外，用户提到图解，虽然无法直接提供图片，但可以通过文字详细描述结构，并建议参考半导体器件教材或制造工艺手册中的示意图。 最后，生成的相关问题应围绕MIM的结构特性、应用场景、制造挑战以及与工艺分析方法的关联。需要检查引用部分是否恰当，用户提供的引用[^1]提到工艺角分析和Monte Carlo仿真，这部分可能与MIM电容的制造变异性相关，可以适当提及，但需注意相关性，避免误导。 总结回答结构：定义MIM结构，各层材料和作用，应用领域，工艺影响，最后附相关问题。确保使用正确的LaTeX格式，变量和公式用$...$，独立公式用$$...$$，例如电容公式$C = \frac{\varepsilon A}{d}$。同时，保持回答的中文表述，结构清晰，分点说明。</think>### MIM结构图解析 **MIM（金属-绝缘体-金属）结构**是集成电路中常见的电容元件，由两层金属电极夹一层绝缘介质组成。以下为详细解析： #### 1. **结构图解** - **金属层（上下电极）**：通常使用高导电材料如铝（Al）、铜（Cu）或钛（Ti）。 - **绝缘层（介质）**：常用二氧化硅（$SiO_2$）、氮化硅（$Si_3N_4$）或高介电常数（high-k）材料（如$HfO_2$）。 - **物理特性**：电容值由公式 $$C = \frac{\varepsilon A}{d}$$ 决定，其中$\varepsilon$为介电常数，$A$为电极面积，$d$为绝缘层厚度。 #### 2. **IT领域应用** - **集成电路（IC）**：用于模拟电路（如滤波器、振荡器）和存储单元（如DRAM）。 - **射频（RF）器件**：高频信号处理中提供稳定电容。 - **传感器技术**：电容式传感器中检测微小物理量变化。 #### 3. **工艺与挑战** - **制造工艺**：通过光刻、沉积和蚀刻技术堆叠金属与绝缘层。 - **工艺角分析**：绝缘层厚度或介电常数的工艺偏差需通过Monte Carlo仿真评估良率[^1]。 - **可靠性问题**：绝缘层缺陷可能导致漏电流或击穿。 --- ###
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