STM32之flash的读写

最新推荐文章于 2025-04-23 13:55:46 发布
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文章标签： stm32 单片机 arm
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一、创建STM32CUBEMX工程

芯片选择F103C8
在这里插入图片描述
配置定时器
在这里插入图片描述
打开外部时钟
在这里插入图片描述
配置时钟
在这里插入图片描述
配置PC13为output对应板子上的LED
在这里插入图片描述
设置堆栈大小为4K，导出
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二、KEIL下的配置

将flash.c 和flash.h添加到工程中
在这里插入图片描述
添加代码如下：

#include "flash.h"

在这里插入图片描述

uint8_t FlashWBuff [255];
uint8_t FlashRBuff [255];

在这里插入图片描述

	uint8_t i;
	uint8_t FlashTest[] = "Hello This is xiluoluwo Flash Test DEMO";

在这里插入图片描述

编译
在这里插入图片描述
成功。
DEBUG下选择STlink
在这里插入图片描述

将程序下载到单片机中
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

点击进入debug
在这里插入图片描述
在view下打开memory1窗口
在这里插入图片描述
打开watch1窗口
在这里插入图片描述

Periodic Windows Update开启变量自动更新
在这里插入图片描述
将变量FlashWBuff 和 FlashRBuff加入到 Watch1
在这里插入图片描述

在memory1中输入要观察的地址0x800c000
在这里插入图片描述

定义好的句子写到了地址0x0800c000中了
在这里插入图片描述

三、参考

https://blog.youkuaiyun.com/m0_58414679/article/details/122220799?spm=1001.2014.3001.5501

系咯路我
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由于老师的要求，所以写了一份读写STM32内部FLASH的代码，这样的话就可以把STM32里面没有用来保存代码段的部分用来存储数据了。 由于《stm32flash编程手册》是很久很久以前看的，现在也没心情去仔细看那份手册了。大概浏览了一下，只看到了STM32里面的flash是以16位为单位读写的。 为什么记住这个，因为之前想写一个字节老是出错，所以翻翻手册，果然看到不能写1个字节数据。而且还发
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ytttr873的博客
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stm32——Flash读写 一、Flash简介 　　通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作。 　　stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义。如其支持ICP(In Circuit Programming，在电路编程；在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发，可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写；支持IAP(In ...
STM32的Flash读写
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对STM32的Flash基础知识进行了解与学习
STM32之FLASH读写
c1063891514的博客
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STM32 Flash读写程序
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STM32学习笔记：FLASH读写 https://blog.youkuaiyun.com/thebestleo/article/details/109761000
STM32-读写内部FLASH
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STM32-读写内部FLASH
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山有木兮
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本例是以读写C8T6最小系统板的Flash,了解其Flash地址空间的数据读取。 stm32f103c8t6只有20KB 内存（RAM）供程序代码和数组变量存放，因此，针对内部Flash的总计64KB存储空间(地址从0x08000000开始），运行一次写入8KB数据，总计复位运行代码4次，将32KB数据写入Flash。并验证写入数据的正确性和读写速率。
STM32 中 FLASH 详解，FLASH 怎么读写
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在 stm32 中，Flash 的作用是什么？ Flash 具体会做什么？如何查看具体型号的 Flash？Flash如何进行读写？一文描述全面！
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hxw123aaa的博客
08-30 1653
首先我们需要了解一个内存映射：stm32的flash地址起始于0x0800 0000，结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小，不同的芯片flash大小不同。RAM起始地址是0x2000 0000，结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小。不同的芯片RAM也不同。Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据，断电不丢失，RAM可以理解为内存，用来存储代码运行时的数据，变量等等。掉电数据丢失。
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目录环境资料代码 环境 Keil : μVision V5.31.0.0 Toolchain: MDK-ARM Plus Version: 5.31.0.0 STM32 CubeMx: Version 6.1 资料 这里使用的芯片Flash大小为 32 Kbyte，Page 大小为 1 Kbyte, Sector 大小为 4 个 Page。 代码 #define HAL_FLASH_PAGE_COUNT 1 #define HAL_FLASH_PAGE_START (32 - HAL_FLA
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### STM32 Flash读写操作详解 #### 一、STM32C011 Flash结构与特性概述 STM32C011 系列微控制器内置 Flash 存储器，用于程序存储与数据保存。该系列器件支持页面擦除、双字写入以及读写保护功能[^1]。 #### 二、Flash编程前准备事项 在执行任何Flash修改之前，需确保已解锁Flash访问权限并配置好相应的参数设置。具体来说，在开始对Flash进行操作前应调用`HAL_FLASH_Unlock()`函数解除锁定状态；完成所有必要的更改之后，则应当再次锁住Flash以防意外改动，即调用`HAL_FLASH_Lock()`函数。 #### 三、Flash擦除过程说明 为了向Flash中写入新数据，首先要清除目标位置上的原有内容。这可以通过调用`HAL_FLASHEx_Erase()`函数实现，此函数接收两个参数——指向待处理扇区信息的数据指针和错误码变量地址。需要注意的是，每次只能按页或整片方式删除，而不能单独清空某个特定单元格内的数值。 ```c // 定义要被擦除区域的相关属性 FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct; uint32_t PageError = 0; EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 设置为页面擦除模式 EraseInitStruct.PageAddress = ADDR_FLASH_PAGE_256; // 指定起始页面地址 EraseInitStruct.NbPages = 1; // 需要擦除的页面数量 if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK){ /* 错误处理 */ } ``` #### 四、Flash写入流程解析 当完成了上述准备工作后就可以正式着手于数据录入环节了。这里推荐采用批量传输的方式来进行多字节连续记录，因为这样可以有效减少因频繁切换指令所带来的额外开销。下面给出了一段示范性的源代码片段： ```c #define DATA_ADDRESS ((uint32_t)ADDR_FLASH_PAGE_256) for(i=0;i<sizeof(aData)/sizeof(*aData);i++){ if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,DATA_ADDRESS+i*8,*((uint64_t*)&aData[i]))!= HAL_OK){ /* 如果发生异常则立即终止循环体 */ break; } } ``` 这段代码实现了将数组 `aData[]` 中的内容逐个转换成64位宽的数据项后再依次送入指定内存区间内存放的功能。其中使用的宏定义`ADDR_FLASH_PAGE_256`代表的就是第二百五十六号物理页的实际基址偏移量。 #### 五、注意事项提醒 尽管不同型号间存在一定的共通之处，但对于某些高级特性和底层接口而言还是存在着差异化的考量因素。因此建议开发者们务必参照官方文档仔细核对自己所选用的具体版本是否完全适用当前方案，并据此作出适当调整以确保最终成品能够稳定运行[^2]。
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