稳定压倒一切：DDR芯片的重要助手——VTT终端稳压芯片TPS51200

已于 2024-08-29 09:31:40 修改
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分类专栏： DDR 文章标签： DDR 固态 内存条 稳压器 LDO
于 2024-08-29 09:29:43 首次发布
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电源管理PMU-TPS51200DRCR应用原理图设计
zhusl6688的博客
12-30 550
TPS51200 支持遥感功能，并满足 DDR、 DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、 低噪声的空间受限型系统而设计。•用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器。• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用。• 笔记本、台式机和服务器。
可替代TPS51200的国产线性终端稳压器SGM2054助力DDR供电设计
测试专家的专栏
05-23 4260
在RRU产品中，给DDR供电的线性终端稳压器以TI的TPS51200居多，本文重点推荐国产SGM2054可兼容替换TPS51200，两者性能参数对比如下。 图2 SGM2054与TPS51200性能参数对比 由上表对比可知： 1、在支持DDR VTT种类方面，二者有所区别，不过目前RRU上采用的DDR以DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4为主，以后会向更高端的DDR5发展方向，SGM2054更有优势。 2、在输入电压、VLDOIN电压范围和功能方面，两者表现基本一致。 3、S..
电源技术中的TI推出TPS51200新一代3A DDR终端稳压器
11-19
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款可满足 DDR、DDR2、 DDR3 与 DDR4 等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极/源极双数据速率 (DDR) 终端稳压器 TPS51200。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20μF，比同类竞争解决方案的电容降低了近 80%。这样，设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的 DDR 存储器终端解决方案，以满足数字电视、机顶盒、VGA 卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。 　　高宽带内部跨导，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，而且外部输出电容极小。
TPS51200DRCR 德州TI具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器
szrileyH的博客
08-13 4097
描述 TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。FAE:13723714318 TPS51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能，并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。 此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM.
tps51200.pdf
02-24
详细介绍了该芯片的资源分配及硬件设计指导
TPS51200 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 datasheet (Rev. D).pdf
04-16
TPS51200是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款针对DDR（双倍数据速率）内存电源管理应用的灌电流和拉电流终端稳压器，专为低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统设计。该稳压器能够提供快速的瞬态响应，...
TPS51200：DDR终端稳压器技术详解
TPS51200是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的高性能稳压器，专门设计用于 DDR（Double Data Rate）内存接口的电源管理，如DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3以及DDR4的VTT应用。这款芯片提供了灌电流和拉...
UR5517：友顺UTC高精度DDR内存终端稳压器芯片
这款芯片的主要功能是双向驱动，提供高达3安培的电流，支持数据线差分电压（VTT）和参考电压（VTTREF）的稳定供给，确保了在高数据传输速率下内存模块的正常工作。 UR5517的特点如下： 1. 输入电压范围：该芯片的...
TPS51200简介
shanghaiqianlun的专栏
04-27 4534
DDR的VTT电源应用及其优化
01-24
针对高速DDR总线中的信号完整性问题，本文在分析现有的端接方式后，提出了一种新的VTT端接方式。在分析和设计的过程中，使用了Cadence仿真软件。然后根据仿真结果对相关参数进行了优化。最后，对仿真所得到的数据进行了实际测试验证，并且根据以上结果总结了设计规则。
DDR3中TPS51200输出电压升高到0.85V
钟山翼
01-14 1276
在上电后电流为1.5A，TPS51200输出为0.74V，10分钟左右电流变为1.1A，TPS51200输出为0.85V
【DDR 终端稳压器】Sink and Source DDR Termination Regulator [B]
hcoolabc的博客
05-11 511
TPS53317
DDR的VTT有源端接和无源端接（slua886a笔记）
Fantasy237的博客
12-10 5397
对于DDR的VTT端接，一直有说法是有源端接可降低功耗。之前一直没仔细理解其中原因，现在找了些相关的资料来介绍和对比有源和无源端接，理解有源端接的优点和降低功耗的原理。 主要基于读slua886a和自己查的其他一些资料。
嵌入式开发之DDR的VTT设计
whm128的博客
01-09 2486
总工说，作为一个设计者，不可用多和少来作为设计理念，而应进行提炼，这样才能形成自己的经验。 首先，得需要介绍少DDR的三个电源。VDDQ VTT VREF 为什么需要VTT DDR的端粒接受端比较特殊，他是一个差分放大器，其中一个PIN脚与VREF相连，另一个PIN脚接DDR控制器，发送过来的信号，主要比ref高过一定的值，则接收端则认为是1，低于VREF一定的门限，接收端则认为是0，ddr的切换速度很多，导致总线上的电流来不及泄放和补充，这时就需要一个路径，在控制器为高时吸收电流，在控制器为低是..
DDR 的 VTT 电源及端接电阻配置条件
最新发布
jinpeng_csdn的博客
06-18 1100
DDR的终端端接电阻及VTT电源的去留情况
DDR VTT供电解决方案
m0_53559277的博客
10-08 3708
DDR供电
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