MOS管开启过程与米勒平台

寄生电容

MOS的三个级之间都存在有寄生电容：栅极与源极之间的寄生电容为Cgs，漏极与源极之间的寄生电容为Cds，栅极与漏极之间的寄生电容为Cgd；
输入电容Ciss=Cgs+Cgd；
输出电容Coss=Cds+Cgd;
反馈电容Crss=Cgd；
米勒电容Cgd；

以NMOS管为例，如下图所示：

NMOS开启过程

同样以NMOS为例，NMOS的开启过程如下：
令NMOS漏极接电压5V，源极接GND，栅极接0V低电压和3.3 V高电压来控制MOS管是否导通；（注意：一般NMOS适合用来传递低压，而PMOS适合用来传递高压）

1. MOS管G极为0V电压时，Vgs=0V，MOS管截止； Cgs两端电压为0，Cgd两端电压为-5V（Cgd两极板左-右+）；

2. MOS管G级为3.3V电压时，驱动电流对Cgs与Cgd充电（驱动电流主要对Cgs充电），+电荷从MOS管G级流入Cgd左极板和Cgs左极板，Cgd两端电压变小，Cgs两端电压变大，MOS管的G极电压被抬高；

3. MOS管的G极电压持续被抬高，直到Vgs≥Vgs（th），MOS管开始逐渐导通，Vds之间电压急速下降，Cgd右极板上的+电荷会通过MOS被吸入GND；与此同时，Cgd左极板大量吸收MOS管G级的+电荷（此时，驱动电流主要对Cgd充电），从而导致驱动电流不能继续给Cgs充电，所以，Vgs无法继续上升，形成一个平台区（也就是米勒平台）； （注意，如果米勒电容太大，可能会出现Cgd左极板同时吸收G极+电荷和Cgs左极板中+电荷的情况，导致米勒平台上有一个凹陷区域）

4. Cds不断吸收+电荷，直到Cgd由左-右+变为左+右-，两端电压变为3.3V，G极驱动电流重新主要给Cgs充电，Vgs经过米勒平台后继续升高，直到MOS管完全导通；

5. MOS管完全导通后，源极的0V电压被成功传递到栅极；

米勒平台的危害

使MOS管开启时上升沿时间变长，MOS管发热增多，损耗加大；（开关损耗增加）

解决方法

1. 增大驱动功率，eg：使用MOS管专用驱动芯片，使用图腾柱电路；
2. 栅源极之间增加一个电容，增加Cgs，使得MOS管更容易完全导通；