mos管的两种接法

最新推荐文章于 2025-06-29 13:50:25 发布
最新推荐文章于 2025-06-29 13:50:25 发布
阅读量2.4w 收藏 14
点赞数 4
CC 4.0 BY-SA版权
分类专栏： 嵌入式系统
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/tq384998430/article/details/56668032
本文对比了两种NMOS管驱动电路的工作原理。左侧电路中，MOS管的导通受G极电压影响，存在无法完全导通的问题；右侧电路则能确保MOS管始终处于完全导通状态，更推荐使用。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

参见：https://zhidao.baidu.com/question/575450692.htm

两种MOS管的接法l

图中使用的是NMOS管，左边的电路中，控制端为0V时MOS管关断，S极的电平为0，当G极给一定电压U0时MOS管导通，这时候负载（R）有电流（I）通过，S极的电压为U1 = R * I，这时候G极和S极之间的压差为U2=U0-U1，当U2不能够将MOS管完全导通时流过负载的电流就会降低，最后达到一个平衡状态，这时候MOS管没有完全导通，没有完全发挥MOS管性能。而在右图当中无论怎么样G极和S极之间的压差都是G极电压U0，只要U0能够将MOS管导通即可，不会出现左边电路的情况。建议使用右边的MOS管驱动电路。

MOS管用作开关时在电路中的连接方法
tianpu2320959696的博客
08-28 1万+
MOS管用作开关时在电路中的连接方法 反证： NMOS管正确接法： PMOS管正确接法： D极接输入；S极接输出。 S极接输入；D极接输出。 假如： 假如反接： S接输入，D接输出呢？ D接输入，S接输出。 由于寄生二极管直接导通，因此同样失去了开关作用。 S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。 前面解决了MOS管的接法问题，接下来谈谈MOS管的开关条件： 控制极电平为“ V ” 时MOS管导通（饱和导通） 控制极电平为“ V ” 时MOS管截止 这个问题涉及到MOS管原理，
检测MOS管五种方法
weixin_50362670的博客
01-11 6102
MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。那么如何对MOS管进行检测呢？华碧实验室为大家分享检测MOS管的5种方法。 一、用测电阻法判别MOS管的电极 根据MOS管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。 具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某
【MOS管】
qq_51332937的博客
11-18 5018
文章目录一、极性判断二、N沟道和P沟道判断三、寄生二极管四、MOS管的作用（一）MOS管用作开关时在电路中的连接方法     1、反证法五、MOS管的开关条件六、相关概念1、BJT2、FET七、MOS管的识别      （一）从MOS管实物识别管脚     （二）用万用表辨别NNOS、PMOS借助寄生二极管来辨别。八、画一个MOS管 一、极性判断
MOS管并联使用
qlexcel的专栏
06-29 676
摘要：功率MOSFET并联可降低RDS(on)损耗，分为负载开关和开关模式两种应用。负载开关应用（如电池隔离）简单并联即可，依靠RDS(on)的正温度系数实现电流自平衡。开关模式应用（高频开关）则需严格匹配器件参数（VTH、gfs、CGS等）并优化PCB布局对称性，采用独立栅极驱动网络防止振荡。设计要点包括：控制参数公差、平衡回路电感、添加栅极磁珠/电阻抑制寄生效应，确保动态电流均衡和热稳定性。（149字）
MOS管串联
weixin_43205692的博客
06-05 2万+
MOS管串联 I-V曲线本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别 长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。 其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。 使用两个(或多个）串联，提高L。 我认为好处如下： 正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）； 通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配； 串联时，如果SD电压降低，一个管子进入线性区，但可保证另外一个工作在饱和区。 单纯从w/l考虑，也应该考虑背栅效应的影响 低功耗中常用到 两
MOS管做二极管使用
qq_41676952的博客
11-21 2万+
注：个人学习记录 目录原理分析电路仿真NMOS电路连接方法NMOS仿真I-V特性曲线PMOS电路连接方法PMOS二极管接法的I-V特性曲线 原理分析 如下图所示，左边为NMOS，右边为PMOS，由MOS管的结构可以看出，其衬底B与漏极D整好构成一个PN结，这个PN是由于MOS结构天然而成的，如果将MOS管的各个端进行特殊的连接，就可以得到等效的二极管。 电路仿真 NMOS电路连接方法 NMOS管做为二级管接法时s、g、 sub连接在一起作为二级管的阳极，d作为阴极，如下图所示： NMOS仿真I-V特性曲
mos管如何并联使用？
07-13
mos管如何并联使用？ 并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。 MOS管并联方法电路图 以3只IR公司的IRF2807MOS管并联试验为例，工作电路图如图1。 MOS管并联工作原理 在图1中，采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下： 在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻（图中的RlO、Rll、R12），实时对流过每个MOS管的电流进行监测。3路分流器的采集信号均送人4比较器 LM339，作为判断是否过流的依据：只要流过任何一个MOS管的电流超过对其所限定的电流保护值，则控制回路依据送出的过流保护信号马上限制驱动脉冲的开度，保证当前流过每个MOS管的电流不超过所限定的电保护值。 在图1中，如果在PWNin驱动脉冲加入后，假定MOS1先开通，MOS2、MOS3暂时未开通，则电流只能先流过MOS1，而且电流被限制在其限制值以内；接着MOS2又开通，则部分原先流过MOS1的电流会被分流到MOS2，必然引起流过
MOS的串联并联
是抹茶味的啊的博客
08-17 7725
串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。如果两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。...
将MOS晶体管连接为二极管-综合文档
05-25
在实际应用中，这可以通过以下两种方式实现： 1. 利用MOSFET的寄生二极管 MOSFET在制造过程中，其漏极和源极之间自然形成一个寄生的PN二极管。当MOSFET未开启，且漏极电压高于源极电压时，寄生二极管会导通，允许...
元器件应用中的怎样正确给MOS管加散热片
10-16
共模干扰是指骚扰电流同时在两根电源线（L、N线）上流动，通过寄生电容与散热片、MOS管以及线路之间形成回路。如果MOS管接地，低阻抗会导致骚扰电流增大，可能导致EMC测试失败。 在开关模式电源设计中，MOS管的开关...
运放+MOS管组成的恒流源
02-08
2. MOSFET：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）用作电流控制开关，其栅极电压决定了漏极电流的大小。 3. 反馈电阻：连接在MOSFET的源极和运放的反相输入端，用于将输出电流转换为电压，提供反馈信号。 4. 参考...
防反接保护电路选二极管还是MOS管好
07-15
本文主要讲了防反接保护电路选二极管还是MOS管好，希望对你的学习有所帮助。
用MOS管防止电源反接的原理-教程与笔记习题
05-19
在防止电源反接的电路中，有两种常见的MOS管使用方式：NMOS和PMOS。 1. NMOS防止电源反接： - 当电源正极连接正确时，NMOS的源极S通过寄生二极管与电源负极相连，形成约0.6V的电压。栅极G的电压等于电源电压VBAT，...
三极管，mos管原理图管脚接线，典型应用
m0_64908535的博客
01-12 2143
三极管和mos管典型应用
实用电路：用MOS管模拟的可调功率电阻
小白白学电子
01-15 1万+
本节我们来分析一个电路，它使用MOS管搭配一些外围器件，可以等效为一个可调功率电阻。
MOS管基本认识（快速入门）
热门推荐
JiYuee Note
07-05 26万+
1. 三个极的判定G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边2. N沟道与P沟道判别箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道3. 寄生二极管方向判定不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：...
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管
刻[苦] 的 blog
06-01 4万+
防反接电路的用处很容易理解，实现也相对简单，但是防倒灌电路则可能到用到的时候才会发现有点复杂。比方说，一个东西既支持用PD 供电输入20V，又可以直接DC 输入24V，USB 5V 供电时也能亮，还允许插着DC 供电的同时插着USB 线连接上位机，并且传输数据的USB 接口和PD 供电接口是同一个，这时问题就出现了，DC 24V 可能会通过USB 的VBUS 直冲上位机。 最万无一失、最豪华的方案可能是给VBUS 上串一个隔离变压器，先逆变再变回DC，这样一来有变压器挡着，后级电压绝对跑不到上位机去。说不
一文MOS管串联并联驱动应用解析-KIA MOS管
树卡花
08-06 5917
1、MOS管并联的可行性分析 由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 2、MOS管的并联电路 理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
二极管连接的MOS管
weixin_43205692的博客
06-05 1万+
二极管连接的MOS管 求输出电阻时可以电压-电流负反馈；
MOS管电极如何接线？
最新发布
07-23
<think>嗯，用户想了解MOS管的正确接线方法，特别是三个电极的接线方式。这个问题属于电子工程基础内容，需要准确解释引脚功能和典型电路连接。 用户可能正在学习电子技术或需要实际搭建电路，所以需要明确G、D、S三个电极的定义和接线原则。从问题表述看，用户应该已经知道MOS管有三个电极，但需要具体指导如何区分和连接。 关于MOS管引脚识别，核心是理解三个电极的功能： - 栅极(G)是控制端，需要连接驱动信号 - 漏极(D)连接电源或负载高端 - 源极(S)通常接地或接回路 寄生二极管的极性是关键识别点，N沟道时二极管正极朝S，负极朝D 对于接线方法，需要区分N沟道和P沟道两种类型： 1. N沟道MOS管通常用于低侧开关，S极接地，D极接负载，负载另一端接电源正极 2. P沟道MOS管用于高侧开关，S极接电源正，D极接负载，负载另一端接地 栅极驱动电压要特别注意阈值电压，通常需要高于阈值才能导通 用户可能还会遇到实际接线问题，比如： - 如何用万用表区分引脚 - 驱动电路设计注意事项 - 防静电保护措施 所以准备在相关问题里补充这些实用内容 特别要注意强调安全事项： - MOS管对静电敏感 - 焊接时需要防静电措施 - 栅极不能悬空 这些在实际操作中容易忽略但非常重要 参考的MOS管资料提到寄生二极管和开关电路连接，这与用户问题直接相关，可以重点结合这部分内容解释。不过用户引用中关于BJT/FET的对比不是当前重点，暂时不需要展开。</think>好的，MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的三个电极分别是：**栅极（Gate, G）**、**漏极（Drain, D）** 和 **源极（Source, S）**。正确接线至关重要，这直接关系到MOS管能否正常工作以及电路的安全。接线方法主要取决于 **MOS管的类型（N沟道还是P沟道）** 和 **它在电路中的作用（如开关、放大）**。 ### 核心原则：理解电极功能 1. **栅极 (G)**：这是MOS管的**控制端**。通过在栅极（G）和源极（S）之间施加一个电压（$V_{GS}$），可以控制漏极（D）和源极（S）之间的导电沟道，从而控制电流 $I_D$ 的导通与关断。**栅极驱动电压是控制MOS管的关键**。 2. **漏极 (D)**：这是电流的主要**流入端（对于N沟道）** 或 **流出端（对于P沟道）**。在开关电路中，它通常连接电源（负载高端）或负载。 3. **源极 (S)**：这是电流的主要**流出端（对于N沟道）** 或 **流入端（对于P沟道）**。在开关电路中，它通常连接地（负载低端）或电源负端。**源极电位是栅极驱动电压的参考点**。 ### 区分 N沟道 和 P沟道 MOS管 * **N沟道 MOS管 (NMOS)**： * 当栅极（G）相对于源极（S）的电压 $V_{GS}$ 大于其**开启电压（$V_{th}$，一个正数）** 时，D-S 之间导通。 * 电流 $I_D$ 从 **漏极（D）流入**，从 **源极（S）流出**。 * 寄生二极管方向：**阴极（负极）在D极**，**阳极（正极）在S极**。这是用万用表判断N/P沟道的重要依据[^1]。 * **P沟道 MOS管 (PMOS)**： * 当栅极（G）相对于源极（S）的电压 $V_{GS}$ 小于其**开启电压（$V_{th}$，一个负数）** 时，D-S 之间导通。 * 电流 $I_D$ 从 **源极（S）流入**，从 **漏极（D）流出**。 * 寄生二极管方向：**阳极（正极）在D极**，**阴极（负极）在S极** [^1]。 ### 最常见的应用：作为开关（以低边开关和高边开关为例） 1. **N沟道 MOS管 - 低边开关 (Low-Side Switch)**： * **源极 (S)**：**直接连接到地（GND）**。 * **漏极 (D)**：**连接到负载的一端**。 * **负载的另一端**：连接到**电源正极（V+）**。 * **栅极 (G)**：连接到**控制信号（如微控制器IO口）**。 * **工作原理**： * 当控制信号给高电平（$V_{GS} > V_{th}$），MOS管导通，电流路径：**V+ -> 负载 -> D -> S -> GND**，负载得电。 * 当控制信号给低电平（$V_{GS} \approx 0 < V_{th}$），MOS管关断，负载断电。 * **优点**：驱动简单（控制信号直接对地参考），常用。 * **缺点**：负载一端在电源上，另一端在MOS管D极，负载的“低端”被开关控制。 ```mermaid graph LR VCC[电源正极 V+] --> LOAD[负载] LOAD --> D(D) S(S) --> GND[地 GND] CTRL[控制信号] --> G(G) style D fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px style S fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px style G fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px ``` 2. **P沟道 MOS管 - 高边开关 (High-Side Switch)**： * **源极 (S)**：**直接连接到电源正极（V+）**。 * **漏极 (D)**：**连接到负载的一端**。 * **负载的另一端**：连接到**地（GND）**。 * **栅极 (G)**：连接到**控制信号**。 * **工作原理**： * 当控制信号给**低电平**（$V_{GS} < V_{th}$，相对于S极，G极电压更低），MOS管导通，电流路径：**V+ -> S -> D -> 负载 -> GND**，负载得电。 * 当控制信号给**高电平**（$V_{GS} \approx 0 > V_{th}$），MOS管关断，负载断电。 * **优点**：负载一端直接接地，“高端”被开关控制，有时更符合系统要求（如防止负载意外接地短路）。 * **缺点**：驱动较复杂。为了可靠关断PMOS，需要将栅极电压拉高到接近源极电压（V+）。如果控制信号是微控制器（如5V），而V+是12V，就需要额外的电平转换电路（如用一个NPN三极管或另一个NMOS来驱动PMOS的栅极）[^1]。 ```mermaid graph LR S(S) --> VCC[电源正极 V+] D(D) --> LOAD[负载] LOAD --> GND[地 GND] CTRL[控制信号] --> G(G) style D fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px style S fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px style G fill:#f9f,stroke:#333,stroke-width:2px ``` ### 关键接线注意事项 1. **栅极驱动**： * 确保驱动电压 $V_{GS}$ 足够大（超过 $V_{th}$）以使MOS管充分导通（进入饱和区或线性区，开关应用通常希望进入深度线性区以降低导通电阻 $R_{DS(on)}$）。 * **栅极不能悬空！** 悬空的栅极易受干扰导致MOS管意外导通或损坏。通常需要在G-S之间接一个**下拉电阻（NMOS）** 或 **上拉电阻（PMOS）**（如10kΩ - 100kΩ），确保在控制信号断开时MOS管可靠关断。 * 驱动回路（从驱动芯片到G，再从S回到驱动芯片地）要尽量短，减小寄生电感，防止振荡和开关损耗过大。有时需要串联一个小电阻（几欧姆到几十欧姆）抑制振荡。 2. **源极连接**： * **源极（S）是栅极驱动电压 $V_{GS}$ 的参考点。** 驱动电路的地必须与MOS管的源极电位在同一个“地平面”上，尤其是在高边开关（PMOS）或多管并联时。否则 $V_{GS}$ 将不准确。 * 对于大电流应用，源极到地（或电源）的走线要短而宽，减小压降和损耗。 3. **漏极连接**： * 连接负载或电源。 * 当驱动感性负载（如电机、继电器线圈）时，必须在负载两端（D-S之间）**并联续流二极管（或称反激二极管、续流二极管）**。因为MOS管关断瞬间，电感会产生反向电动势（$V = -L di/dt$），这个二极管为电感电流提供续流回路，防止产生过高的 $V_{DS}$ 电压击穿MOS管。虽然MOS管内部有寄生体二极管（Body Diode），但这个二极管通常反向恢复时间慢，不适合高频开关续流，需要额外并联一个快速恢复二极管或肖特基二极管。 4. **散热**： * 大电流应用时，MOS管会发热（功耗 $P = I_D^2 \times R_{DS(on)} + \text{开关损耗}$）。必须提供良好的散热路径（如加散热片），并将MOS管的散热片（通常与漏极相连）与PCB大面积铜箔焊接或使用绝缘导热垫固定到散热器上（注意电气绝缘）。 5. **静电防护 (ESD)**： * MOS管的栅极绝缘层非常薄，极易被静电击穿。在拿取、焊接和测试时，务必采取防静电措施（如佩戴防静电手环、在防静电垫上操作、使用接地良好的烙铁）。存储和运输时，管脚应插在导电泡沫上或使用防静电包装。 ### 总结接线步骤 1. **确定类型**：用万用表或看型号确定是NMOS还是PMOS（关键看寄生二极管方向）[^1]。 2. **确定作用**：是做低边开关、高边开关还是其他（如线性稳压、H桥）？这决定了S极的接法（地还是电源）。 3. **连接源极 (S)**：根据类型和作用，将S极连接到地（NMOS低边）或电源正（PMOS高边）。 4. **连接漏极 (D)**：连接到负载（低边/高边开关）或其他电路节点。 5. **连接栅极 (G)**： * 连接驱动信号源（确保驱动能力足够）。 * **必须**在G-S之间并联一个电阻（下拉电阻用于NMOS，上拉电阻用于PMOS）确保关断。 * 驱动回路尽量短，必要时串小电阻。 6. **考虑保护**： * 驱动感性负载？**必须**在D-S（或负载两端）并联续流二极管。 * 大电流？**必须**考虑散热。 * **始终**注意静电防护。 牢记：**栅极（G）是控制门，源极（S）是电压参考点，漏极（D）是电流主通路**。根据类型（N/P）和应用场景（如低边/高边开关）来正确连接S和D，并精心设计和连接G极驱动电路，是MOS管正确接线的核心。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值