25、隧道场效应晶体管（TFET）的特性研究与应用前景

隧道场效应晶体管（TFET）的特性研究与应用前景

1. 界面陷阱电荷的影响

界面陷阱电荷对器件性能有着重要影响。陷阱根据其分布可分为均匀陷阱和高斯陷阱两种类型。从相关研究结果来看，高斯陷阱的影响比均匀陷阱更为严重。这可能是因为高斯分布与实验结果的相似性更好。高斯陷阱引起的载流子波动会降低表面电势，导致器件性能下降。

1.1 陷阱类型对比

陷阱类型	影响程度	原因
均匀陷阱	相对较轻	-
高斯陷阱	更严重	与实验结果相似性好，载流子波动降低表面电势

2. 温度敏感性的影响

与传统的MOSFET相比，TFET具有较低的温度敏感性，这归因于其带带隧穿（BTBT）传导机制，与MOSFET的传统热离子输运不同。

2.1 温度对电流的影响

随着温度升高，ION和IOFF都呈现上升趋势，但对泄漏电流的影响更为显著。这可以通过以下公式解释：
[I_{ds} = A \frac{E}{E_g} \left(1 - \frac{BE}{E_g}\right)^{\frac{3}{2}} \exp\left(-\frac{2}{3}\frac{E}{E_g}\right)]