69、有机与氧化物TFT技术：现状与展望

有机与氧化物TFT技术：现状与展望

有机TFTs：聚合物的进展与挑战

在有机薄膜晶体管（OFET）领域，聚合物半导体的研究取得了显著进展，但也面临着一些关键挑战。

PQT - 12在预先图案化的衬底上展现出了独特的相分离特性。在OTS区域，PQT - 12会选择性地进行相分离，并且顶部覆盖有PMMA层。研究人员随后利用这一技术对预定义晶体管阵列的沟道区域进行OTS图案化，成功实现了具有隔离器件的晶体管阵列。顶部的PMMA层起到了封装层的作用，显著提高了器件的稳定性，即使在暴露于空气中48小时后，器件的传输特性也没有发生变化。通过对比在OTS图案化和非图案化衬底上自组装的半导体/绝缘体的器件性能，可以发现图案化的OFETs的关态电流降低了几个数量级，这表明图案化技术对改善器件性能具有重要作用。

目前有多种适合的印刷方法可用于OFET的制造，但每种方法在对准精度、工艺温度以及与电子材料的兼容性方面都存在优缺点。由于可实现的分辨率不同，不同的技术可以用于处理OFET的不同层。总体而言，关键在于拥有可溶液加工且环境稳定的电子材料，这些材料能够通过印刷技术以更具成本效益的方式进行沉积和图案化，同时不影响器件性能。

p型和n型聚合物半导体面临的一个基本挑战是在OFET器件中实现高迁移率和长期的空气稳定性。电子传输型聚合物半导体对于开发n沟道晶体管以及用于逻辑、存储和其他复杂功能的全聚合物互补集成电路至关重要。幸运的是，在合成和器件工程方面已经取得了一些重大突破，显示出聚合物半导体的未来前景广阔。目前已经成功报道了p型聚合物迁移率高达1.0 cm²/Vs，n型聚合物迁移率高达0.85 cm²/Vs的成果。理解OFET非理想行为（如偏置应力导致的阈值电压漂移）的机制将有助于设