半导体存储器 —— SRAM、DRAM和ROM

本文详细介绍了静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和只读存储器(ROM)的工作原理、读写周期及特性。SRAM以其高速、非破坏性读出的特点在缓存中广泛应用;DRAM则因其存储密度高但需定期刷新以保持数据;而ROM则提供非易失性存储,适用于固件存储。

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一、SRAM


(1)SRAM的工作原理

通常把存放一个二进制位的物理器件称为存储元,它是存储器的最基本的构件。地址码相同的多个存储元构成一个存储单元,若干个存储单元的集合构成存储体。

静态随机存储器(SRAM)的存储元是用双稳态触发器(六管MOS)来记忆信息的,SRAM具有以下几个特点

  • 如果电源被切断,原来的保存信息便会丢失
  • 即使信息被读出后,它仍保持其原状态而不需要再生(非破坏性读出)

(2)SRAM的读周期

在读周期中 (WE)’ 为高电平,代表读入

  • tAt_AtA:从给出有效地址开始,到读出所选中单元的内容并在外部数据总线上稳定地出现所需的时间,称为读出时间(tAt_AtA
  • tRCt_{RC}tRC:表示存储芯片进行两次连续读操作时所必须间隔的时间,它总是大于等于读出时间,称为读周期(tRCt_{RC}
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