如何降低H桥电路中的功耗？

H 桥电路的功耗主要来源于 MOS 管的导通损耗、开关损耗，以及驱动电路损耗、寄生参数引入的额外损耗等。降低功耗需从器件选型、电路设计、控制策略等多方面优化，具体方法如下：

一、降低 MOS 管的导通损耗

导通损耗是 MOS 管导通时因导通电阻（RDS (on)）产生的功耗（公式：），是大电流场景下的主要损耗来源。

1. 选择低导通电阻的 MOS 管

   • 优先选用 RDS (on) 更小的型号，尤其是在大电流工况下（如电机驱动），低 RDS (on) 可显著减少功耗。例如，同样 50A 电流下，RDS (on)=10mΩ 的 MOS 管导通损耗为 25W，而 RDS (on)=5mΩ 的仅为 12.5W。
   • 注意：RDS (on) 会随温度升高而增大（正温度系数），需结合实际工作温度评估有效阻值。

2. 合理并联 MOS 管

   • 当单管电流不足时，可并联多颗参数匹配的 MOS 管（需保证特性一致，如 RDS (on)、阈值电压相近），分摊电流，降低单管功耗。
   • 并联时建议每颗管子串联小电阻（均流电阻，如 0.1Ω），平衡各管电流，避免电流不均导致个别管子过载。