2、内存计算与DRAM计算技术解析

内存计算与DRAM计算技术解析

1. 近内存计算与内存内计算对比

在计算机体系结构中，传统的冯·诺伊曼架构、近内存计算（NM）、IM - A和IM - P（数字和模拟）架构各有特点，下面从多个方面进行对比：
|架构|单元修改|外围修改|密度（单元）|密度（整体）|内存与计算单元带宽|能量|逻辑面积|计算延迟|可靠性，ECC支持|
| ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- | ---- |
|Baseline|No|No|High|High|Low|High|High|Low|High|
|NM|No|No|Low - Mid|High - Mid|Mid|Mid|Mid|Low|High|
|IM - P|No|Yes|High|Low|High|Low|Low - Mid|Mid - High|Mid|
|IM - P (Analog)|No|Yes|High|Low|High|Low|Low - Mid|Mid|Low|
|IM - A|Yes|Yes|Low|Low|High|Low|Low|High|Mid|

• 单元和外围电路修改 ：基线和NM架构直接使用现有内存系统，无需修改；IM - P为特殊计算操作修改外围电路，IM - A可能需要修改单元。
• 密度 ：当直接使用内存阵列宏时，单元密度最高。使用对逻辑友好的内存基板（如SRAM、eDRAM）或3D堆叠等先进集成技术时，整体密度（阵列 + 外围）对片上逻辑不太敏感。一些经典NM架