42、掩码电路与高频信道下数字安全语音传输的综合分析

掩码电路与高频信道下数字安全语音传输的综合分析

掩码电路的旁道泄漏问题

在掩码电路的研究中，我们主要关注两个高阶电路效应：毛刺（glitches）和线间电容（inter - wire capacitance）对旁道泄漏的影响。

为了研究线间电容的影响，我们排除了异或门（XOR gates），仅对GF(2²)乘法器进行模拟。第一次模拟在GF(2²)乘法器的输出之间添加了线间电容，第二次模拟则没有添加线间电容。

从图3（b）的结果可以看出，在第一次模拟中，随着未掩码输入的汉明重量从0增加到4，平均功率上升；而在第二次模拟中，平均功率变化很小。根据完美掩码条件，功率应该与未掩码输入及其汉明重量无关。因此，这两个高阶电路效应确实引入了功率与未掩码输入之间的依赖关系，成为旁道泄漏的来源。

我们还量化了每个电路效应的相对旁道泄漏。基于汉明重量攻击，从图3中可以发现，毛刺和线间电容的最大功率变化分别为0.025mW和0.0045mW，比例为5.6 : 1，表明它们的泄漏程度具有可比性。

电路效应	最大功率变化（mW）
毛刺	0.025
线间电容	0.0045

在FPGA上的实验进一步证明，除了毛刺，其他高阶电路效应也会导致可测量的旁道泄漏。实验使用了一个无毛刺的掩码AES S - 盒。 </