16、半导体制造中的缺陷分析与产量提升策略

半导体制造中的缺陷分析与产量提升策略

1. 引言

在半导体制造领域，缺陷分析与减少是提高产量的关键。随着技术的不断发展，传统的缺陷分析方法逐渐暴露出效率低下、反馈不及时等问题。本文将介绍几种创新的缺陷分析方法和策略，旨在有效提高半导体产品的产量。

2. 目标缺陷分析项目

2.1 项目背景与目标

传统的全晶圆缺陷分析方法依赖全晶圆去处理、各层的光学/扫描电子显微镜（SEM）检查以及对所有缺陷的分析，导致结果模糊、失败分析成功率低，且需要大量工程资源。为解决这些问题，启动了目标缺陷分析项目，其目标包括理解现有缺陷及其与产量的相关性、识别检测工具无法检测的缺陷、确定需要进一步分析的缺陷以及增加样本量以改善缺陷统计。

2.2 方法论

2.2.1 晶圆选择标准

• 明确产品产量 ：对于动态随机存取存储器（DRAM）测试，可明确分为直流（DC）产量、基本功能产量（SCN）和软故障测试产量。通常只有DC和SCN产量受在线制造引起的缺陷影响，因此晶圆选择标准仅限于满足由基本功能和DC产量组成的组合产量标准的晶圆。
• 定义产量改进目标 ：由于产量分布尾部的产量损失通常由系统性原因驱动，缺陷导向的产量改进重点是将产量分布的峰值提高。分析晶圆从产量分布峰值附近的样本中选择，假设已知的系统性问题不会影响所选晶圆，并且样本量进一步限制为缺陷减少团队在整个制造过程的所有检查步骤中审查的随机选择批次（基线晶圆）。

2.2.2 晶圆审查与缺陷关联

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