电子封装失效分析的多技术应用与研究
在电子封装领域,失效分析对于提高产品质量和可靠性至关重要。随着封装技术的不断发展,传统的失效分析方法面临诸多挑战,而激光铣削、激光去封装、红外热成像等新技术逐渐展现出独特的优势。
1. 激光铣削技术在封装失效分析中的应用
传统的封装级破坏性物理分析(DPA)方法,如化学和机械去封装、反应离子蚀刻(RIE)和金刚石锯切片等,在处理复杂封装技术时存在严重局限性,可能导致芯片开裂、分层或腐蚀等问题。激光铣削方法为解决这些问题提供了新途径。
1.1 UV激光烧蚀原理
紫外线(UV)激光烧蚀是激光铣削的重要基础。UV激光波长范围为100 - 400 nm,常见的UV激光有准分子激光、氩离子激光和Nd:YAG激光等。激光烧蚀现象发生在10 - 100纳秒内,其过程涉及从样品表面去除材料,关键参数是阈值能量密度。当激光能量密度低于阈值时,无明显烧蚀现象;达到阈值时,会产生声学信号并开始烧蚀过程。烧蚀速率与激光能量密度的关系如下:
- 当激光能量密度略高于阈值时,烧蚀速率(d)与激光能量密度(F)呈对数关系:
[
\ln\left(\frac{F}{F_{th}}\right) \approx d
]
其中,$F_{th}$ 是样品材料的阈值能量密度。
- 当激光能量密度超过特征能量密度($F_0$)时,烧蚀速率呈线性关系:
[
d \approx F - F_0
]
激光辐射被样品吸收会导致样品温度升高,低于阈值能量密度时,温度升高与能量密度成正比;高于阈值时,温度升高速度明显减慢。激光铣削通常使用准分子激光处理硬材料,对于聚
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