用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数

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用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数

用确定的W/L,其中W为220nm，L为180nm，计算Kn,Rn,Vth，三个值
前文记录了用Cadence Virtuoso IC617仿真V-I特性曲线，本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数
http://t.csdn.cn/TSDxD

一、原理图

1.1 N-MOS的测量

为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。

选择Marker菜单中的Create Marker，在图标中添加标记，软件会自动得出相交点的数据
添加一个垂直的标记，为了简便我选的是1V的坐标，点击OK后，再添加一个1.5V的坐标，这样我们就有了两组数据。
添加垂直标记后的效果，点击标记，就能显示出数值。这里为了方便计算，我选择vgs对应0.8V和1V下的数据，此时vds选择的是1V和1.5V。

二、计算

三 、P-MOS的测量

3.1 P-MOS的参数也是通过上面的方法测得。