文章参考:
http://t.csdn.cn/7SfzC
http://t.csdn.cn/EFwhk
http://t.csdn.cn/ujpfD
注:
1.选取最小栅长180nm的两倍作为晶体管栅长,定以下尺寸。晶体管栅长的最小步进是10nm,也就是说,只能是180nm,190nm这样取值,而不能取185nm,会导致W/L的实际取值和计算稍微有点偏差。
2.主要熟悉设计和仿真流程,怎么修改参数到达要求,还没弄太明白,后续慢慢学习
前言
设计目标
一、设计步骤
1.原理描述
2.设计过程(过程不唯一)
3.搭电路
计算nmos,pmos 中的w
确定NMOS M0,M1宽,选L=0.54um=540nm,打开之前NMOS中gmid-id/w的图,找到L=0.54um=540nm下,gmid-id/w的所对应的曲线,算出W
W=I/ id/w W=I/ id/w = 50ua / 10.7177 = 4.67
同理算出PMOS中的宽。
PMOS L=540nm时id/w=1.8923A,W=W=I/ id/w =50uA/1.8923=26.42
总电路图
创建symbol
4 仿真
对设计5点要求进行验证
1输入共模范围
电路图
仿真设置
设置变量,dc仿真
对输入管进行共模仿真 打开计算器,os ---- 点击输入管,-------选中resign-----
共模范围 550.0mv—1.8v 不满足
2.共模增益
电路图
在输入共模电平添加一个小信号,设置小信号幅值为1,那么输出的Vout就是共模放大倍数
设置好先运行一下,不然后续步骤不能运行
仿真
点击输出
3.差模增益
一个小信号变化叠加在两输入之间,对于放大器而言就是输入了一个差模信号,现设置差模信号幅值为1,那么输出的Vout就是差模放大倍数
电路图:添加 vsin ,频率为1M,AC magnitude为1V
电路图
仿真
增益37.8794db , -3db带宽233.507Khz,
观察相位裕度
稳定性仿真可以直接看相位裕度,而交流仿真可以看其某一点相位,从而计算出相位裕度 PM = 180 ° + 相位
打开计算器—vf ----点击原理图vout ---- all ----PhaseMargin
观察差模增益和相位裕度也可用 main form
去掉dc,不然后面跳不出来曲线
仿真结果
4.-3db带宽
用计算器查看-3db带宽
选中幅频曲线----右键-----send to----caculat------bandwith—ok
809.9khz,数值不一样,原因不懂
5.功耗
pwr=总电流×VDD=100u*1.8
点击vdc
6.压摆率
压摆率 是看的瞬态的斜率 放出瞬态来自己算