了解MOS管开通和关断过程原理特性分析

最新推荐文章于 2025-04-12 20:08:32 发布

KIA半导体

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分类专栏：电子元器件关于MOS管详解 MOS管文章标签： MOS管的结构半导体电子元器件

本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/qq_42597971/article/details/121540631

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本文详细介绍了MOSFET的开通和关断过程，包括开通时的Ciss充电、Vgs上升至Vth、Id电流增加、Vds下降等阶段，以及关断时的反向过程。通过对漏极导通特性的分析，阐述了米勒平台区栅极电压保持不变的原因，有助于理解MOSFET的工作特性。

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功率MOSFET的开通和关断过程

本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。
　　1、MOSFET开通和关断过程
　　的寄生参数示意图如图1所示，开通过程如图2所示。

在这里插入图片描述

图1 功率MOSFET的开关模型
　　t0时刻前，MOSFET工作于截止状态， t0时，MOSFET被驱动开通；
　　[t0-t1] 区间，MOSFET的GS电压经Vdrive对Ciss充电而上升，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电。Vgs上升到VTH之前漏极电流Id≈0A，同时Vds的电压保持VDD不变。
　　[t1-t2] 区间，MOSFET的DS电流Id增加，Vds仍然保持VDD，Vgs上升到米勒平台电压，Id电流也上升到负载电流最大值Id(max)，Vds电压开始从VDD下降。
　　[t2-t3] 区间，t2时刻，MOSFET工作在饱和区，Vgs保持不变，此期间，Cgs不再消耗电荷，VDD开始给Cgd提供放电电流。
　　[t3-t4] 区间，至t3时刻， MOSFET的Vds降至饱和导通时的电压Vds= Id(max) × Rds(on)，米勒电容C

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