MOS开关管额定电流的选择

最新推荐文章于 2025-04-12 13:36:20 发布
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分类专栏： 硬件 文章标签： MOS管
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选择开关管额定电流需考虑其与壳温的关系，以及导通电阻和结温的影响。通常应选择实际峰值电流2倍的额定电流，但因高压MOS管导通电阻高导致电压降，可能造成效率损失。为减小导通电压，需进一步降额至实际峰值电流的4倍。选择原则是确保导通损耗不致过高。

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开关管额定电流的选择是对额定电流与壳温的关系、导通电阻与结温的关系、导通电阻产生的电压降等因素的综合。

  从额定电流与壳温的关系，需要选择开关管的额定电流为开关实际峰值电流的2倍。考虑到高压MOS管的导通电阻比较高，所产生的电压降也会比较高。如IRFBC40在最高结温时流过额定电流一半的状态下导通电压降为

  如此高的导通电压接近直流母线电压的3%，也就是说仅仅开关管的导通电压就可以造成开关电源3%效率的丢失。这是不能容忍的，因此需要进一步降额，也就是说至少要将开关管的额定电流增大到开关管实际的峰值电

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电源电路中MOS管选用的六大方法，你未必全都了解
weixin_43747182的博客
02-21 3506
  　　一、电压应力 　　在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOS管实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即： 　　VDS_peak≤90%*V(BR)DSS 　　注：一般地，V(BR)DSS具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之V(BR)DSS值作为参考。           　　二、漏极电流 ...
将MOS晶体管连接为二极管-综合文档
05-25
MOS晶体管的这种使用方式在电源管理、信号转换和开关电路中非常有用，尤其在需要快速开关和低传导损耗的应用中。此外，因为MOSFET的正向压降很低，相比传统的PN结二极管，使用MOSFET作为二极管可以减少功耗和降低热...
如何正确选取MOS管
07-19
下面讲了选取MOS管时的四大法则，希望能够普帮助到大家，提高设计的效率。
开关电源MOS管怎么选？参数说了算
08-09
本篇文章对开关电源当中的MOS管参数选择给出了一些意见。特别是对其中一些重要的参数进行了着重的讲解。通过参数的确定，我们就能更加快速准确的为开关电源选择合适的MOS管。
如何选择MOS管
久落凡尘的博客
07-01 8951
MOD管选型
MOS管的选型
YY_Share的博客
08-08 2340
MOS管是一个电压控制型器件，而三极管是一个电流控制型器件，下面简要介绍一下如何在工程应用上选型一个MOS管。1.封装封装指的是MOS管的外形，尺寸。封装的大小基本和可通过的电流成正比，选取的时候也要考虑板子的大小，所以合适即可。2.Vgsth对于NMOS管来说，给GS施加一定的电压，可将MOS管打开，这个电压的大小，在规格来说，就是Vgsth。很多MOS管的Vgsth都在3.3V以下，所以可以直接使用3.3V供电的单片机IO直接去控制，但是一定要将这个参数确认好。3.Rdson。
MOS管选型主要看什么参数
硬件爱好者
11-26 1923
1、最大漏源电压 (V(BR)DSS):这是MOS管在关闭状态时，漏极和源极之间所能承受的最大电压。选择的MOS管的V(BR)DSS应该高于电路中可能出现的最大电压，通常需要留有一定的裕量。3、导通电阻 (RDS(on)):当MOS管完全导通时，漏极和源极之间的电阻。7、输入电容 (Ciss)、输出电容 (Coss) 和反向传输电容 (Crss)，这些电容参数影响MOS管的开关速度和开关损耗。5、栅源击穿电压 (V(BR)GS):栅极和源极之间所能承受的最大电压。这决定了MOS管的“灵敏度”和驱动要求。
7个步骤来阐述MOS管的选型要求
07-13
和额定电压类似，设计人员需要确保所选MOS管的额定电流能够应对电路中可能出现的最大负载电流，包括脉冲尖峰电流。 第四步，计算导通损耗。MOS管在导通状态下的表现可以看作是一个可变电阻，这个电阻值通常由器件的...
PMOS开关管的选择与电路图
10-21
正确的选择PMOS（P沟道MOSFET）或者NMOS（N沟道MOSFET）开关管，是电子电路设计成功的关键因素之一。 MOSFET作为功率开关，其工作原理依赖于栅极与源极间的电压差。当N沟道MOSFET的栅极施加高于源极的正电压时，会...
MOS管如何选型
kilhfrtgg的博客
12-27 1380
mos管选型必须知道的参数
开关电源设计中如何区分及选用三极管和MOS管
07-23
三极管的工作原理：三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理
MOS选型参考
q1024165872的博客
04-25 3731
关于MOS选型（收集于网络，侵删）第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。MOS管并不是理想的器件，...
开关电源的电流多大怎么选择
weixin_39682177的博客
08-24 8783
输出计算  因开关电源工作效率高，一般可达到80%以上，故在其输出电流的选择上，应准确测量或最大吸收计算用电设备电流，以使被选用的开关电源具有高的性能价格比，通常输出计算公式为：Is=KIf     式中：Is—开关电源的额定输出电流；                If—用电设备的最大吸收电流；               K—裕量系数，一般取1.5～1.8；...
MOS的驱动电流怎么计算?
honeyball的博客
04-12 3159
驱动电流 = Qg / t_sw 或 Qg × f_sw既要足够大保证快速开关，避免损耗；也要不过大避免震荡和EMI，适配驱动芯片输出能力。
MOS管驱动电流计算以及分立器件驱动电路
u011878611的博客
01-15 4756
在分析时，如果不能确定晶体工作在那种状态，可以先假设一种状态（放大状态或饱和状态），然后根据已知的数据，通过计算集电结的偏转状态来确定其工作状态。说明pnp晶体管的电流和电压都和npn型晶体管的相反，那么在分析pnp型晶体管的工作状态时，就可以将其电压和电流取绝对值。我们知道NPN型晶体管有三个工作区（截止区，放大区，饱和区），同样PNP型三极管也有三个工作区。（2）当u1 = -2V，晶体管导通，晶体管可能工作在放大区，也可能工作在饱和区，此时假设晶体管工作在放大区。图2 pnp型晶体管的特性曲线。
mos管怎样选型？新人必备MOS管正确选择的过程！
TaidL的博客
03-04 3833
主题：mos管怎样选型？新人必备MOS管正确选择的过程！ 最近不少来到我们这边挑选MOS管的时候,都会问到一个问题,怎么挑选合适的MOS管,关于这一个问题,由小编来教大家MOS管选型。 ​ 正确挑选MOS管是很重要的一个环节，MOS管挑选不好有或许影响到整个电路的功率和本钱，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够协助工程师防止诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的挑选办法. 第一步：选用N沟道或是P沟道 　　为规划挑选正确器材的第一步是决议选用N沟...
mos管的参数及选择(比较好) 并附三极管
weixin_30466953的博客
11-07 1040
附1：三极管：要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub http://jeanscheng.blog.163.com/blog/#m=0&t=1&c=fks_087071086086089065086081082095085087083070087082086066085 首先要进行MOS...
四大法则教你合理选择MOS管
笨小孩的明天的专栏
03-09 2073
怎么选择MOS管是新手工程师们经常遇到的问题，MOS管，它在电路中是常用到的，因而我们对于它的选取是要重视的。MOS管选择不好，有可能影响到整个电路的效率和成本，下面总结出如何正确选取MOS管的四大法则。 法则之一：用N沟道orP沟道     选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成
【开关电源原理及选型介绍】
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qq_39842609的博客
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开关电源的原理及选型（DC-DC） 使用开关电源关注参数： 1.输出精度 2.纹波 3.动态响应速度 4.温度 5.效率 开关电源原理： 1.通过开关的打开闭合产生周期性的方波，如12V的输出电压，则方波的高低电平的比例是5：7； 三级标题 四级标题 五级标题 六级标题 ...
mos开关管
最新发布
04-30
### MOS开关管电路设计及应用原理 #### 1. 基本概念 MOS管作为一种场效应晶体管，其主要功能之一是作为电子开关使用。通过调节栅极(Gate)电压，可以实现漏极(Drain)与源极(Source)之间的导通或截止状态切换[^1]。 #### 2. 参数选型 在实际应用中，选择合适的MOS管需关注以下几个关键参数： - **漏源电压(Vds)**：指定了MOS管能够承受的最大电压差值，超过此数值可能导致器件损坏。 - **工作电流(Id)**：表示流经MOS管的额定电流范围，超出该范围可能引起过热或其他失效模式。 - **开启电压(Vgs(th))**：定义了使MOS管进入导通状态所需的最小栅源电压阈值。 - **工作频率(fsw)**：反映了MOS管支持的最大开关速度，这对于高频应用场景尤为重要[^1]。 #### 3. 寄生二极管的作用 值得注意的是，在独立封装形式下的功率MOSFET内部存在着一个由半导体结构自然形成的寄生PN结——即所谓的“体二极管”。当这种类型的元件用于驱动电感性质负载(比如继电器线圈或者直流电机绕组)时，一旦主通道关闭而储能磁场释放产生的反向电动势试图建立起来，则此时体内所固有的这个二极管就会起到续流通路作用，防止因过高瞬态峰值而导致破坏性后果发生；然而需要注意的是，在集成化程度较高的现代微电子产品里头往往不会保留这样的特性[^2]。 #### 4. 设计注意事项 为了确保基于MOS管构建出来的开关回路稳定可靠运行并达到预期效果，设计师们应当遵循以下几点建议: - 正确计算所需施加给门端控制信号的具体幅值以及脉宽调制占空比设置； - 考虑到不同型号产品间可能存在较大差异性的电气规格书数据表内容，务必仔细查阅官方文档资料来获取精确信息； - 对于高速切换场合下可能出现射频干扰等问题采取相应措施加以抑制处理，例如合理布局印制板走线长度减少杂散分布容量影响等等因素都需要综合考量进去。 ```python import numpy as np def calculate_vgs_threshold(voltage_range, margin=0.1): """ 计算适合的Vgs(th)区间 :param voltage_range: 控制逻辑电源电压范围 (min_voltage, max_voltage) :param margin: 安全裕度比例，默认为10% :return: 推荐使用的最低和最高Vgs(th)值 """ min_voltage, max_voltage = voltage_range lower_bound = min_voltage * (1 - margin) upper_bound = max_voltage * (1 + margin) return round(lower_bound, 2), round(upper_bound, 2) voltage_range_example = (3.3, 5.0) # 示例输入：典型CMOS/TTL兼容电平 recommended_vgs = calculate_vgs_threshold(voltage_range_example) print(f"推荐的Vgs(th)范围:{recommended_vgs}") ```
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