计算机组成原理---第三章存储系统---双端口RAM和多模块存储器

【计算机组成原理 学习总结】第三章 存储系统(2) 3.5并行存储器 3.5.1双端口存储器 (1)双端口存储器的逻辑结构 双端口存储器由于同一个存储器具有两组相互 独立的读写控制电路而得名 (2)无冲突读写控制 当两个端口的地址不相同时,在两个端口上进行读写操 作,一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时,就可对 整个存储器进行存取,每一个端口都有自己的片选控制(CE) 和输出驱动控制(OE)。读操作时,端口的OE(低电平有效)打 开输出驱动器,由存储矩阵读出的数据就出现在I/O线上 (3)有冲突读写控制 当两个端口同时存取存储器同一存储 阅读详情

1在低位交叉编址中,模块存取一个字的存取周期为T,总线传送周期为r,为实现流水线方式存取,存储器交叉模块数应大于等于m(m=T/r)

2连续存取m个字所需的时间为t1=T+(m-1)r,其中m为交叉存取度。每经过r时间延迟后启动下一个模块,交叉存储器要求其模块数必须大于等于m,以保证启动某模块后经过m*r的时间后再次启动该模块时,其上次的存取操作已经完成(即流水线不间断)。

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3高位多体交叉寄存器由于在单个存储器中的字是连续存放的,所以不能保证程序的局部性原理;低位多体交叉存储器由于是交叉存放,所以能很好的满足程序的局部性原理。

高位四体交叉存储器可能在一个存储周期内连续访问4个模块,这是因为高位四体交叉存储器虽然不能满足程序的连续读取,但仍有可能一次连续读出彼此地址相差一个存储体容量的4个字,虽然概率较小,但也不是不可能。
双端口存储器具有两套独立读/写口,具有各自的地址寄存器和译码电路,所以可以同时访问同一区间,同一单元

4低位交叉编址可以提高存储器读写速度

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计算机组成原理知识点汇总(考研用)——第三章:存储系统 计算机组成原理知识点汇总(考研用)——第三章:存储系统  本文参考于《2021年计算机组成原理考研复习指导》(王道考研),《计算机组成原理》 3.存储系统 3.1 存储器概述  3.1.1 存储器的分类   1.按在计算机中的作用(层次)分类 (1)主存储器   简称主存,又称内存储器(内存),用来存放计算机运行期间所需的大量程序和数据,CPU可直接随机地对其进行访问,也可以和高速缓冲存储器(Cache)及辅助存储器交换数据。其特点是容量较小、存取速度较快、每位价格较高。 (2)辅助存储器   简称 阅读详情

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