PMOS 和 NMOS使用总结

最新推荐文章于 2025-11-08 22:34:09 发布
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本文深入探讨了NMOS和PMOS晶体管的工作原理、导通条件及应用场景，详细解释了栅极与源极、漏极之间的电压关系，帮助理解半导体器件的基本操作。

PMOS:

 

NMOS:

 

NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通；

PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低与VDD的电压），这样管子才能导通。


PMOS和NMOS管
道亦无名
10-21 2051
PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）即P型金属氧化物半导体，是一种使用P型掺杂（空穴作为载流子）的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。在PMOS晶体管中，栅极（Gate）电压低于源极（Source）和漏极（Drain）电压时，晶体管导通，形成导电通道。相反，当栅极电压高于源极和漏极电压时，晶体管关闭，不导电。值得注意的是，虽然PMOS和NMOS在功能和结构上有差异，但它们在CMOS电路中通常是成对出现的，以实现更复杂的逻辑功能和更高的性能。
NMOS和PMOS的区别
m0_53033596的博客
05-28 2万+
文章所有公式、文字都是本人一个一个敲出来的，部分图是一点一滴画出来的，创作不易，对您有所帮助的话。
PMOS管经典开关电路-PMOS开关典型电路工作原理及分析-KIA MOS管
tianpu2320959696的博客
07-04 3万+
0000000
NMOS和PMOS
weixin_69945979的博客
11-10 6168
先简单说下原理：当MCU通过I/O口输出高电平时，即POWER_EN =3.3V（假设MCU供电为3.3V），则Q1 NMOS管VGS > 阈值电压，Q1的漏极和源极导通，由图可知Q1源极接地，故Q2栅极接地，故Q2 PMOS管VGS > 阈值电压，所以Q2的源极和漏极导通，故电源VBAT通过Q2从漏极输出电压。那么又有疑问了，用MΩ不是更好么，说到这里我们再看上述提到的栅源之间的寄生电容，如果下拉电阻太大，栅源之间的寄生电容上的电荷在开关开闭后，得不到迅速释放，会影响MOS管的开关速度。
什么是PMOS？什么是NMOS？两者有什么区别？
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硅农深芯的博客
11-08 2957
这个电压差被称为阈值电压（Vth），通常为0.7V至2V（低压NMOS）或4V至10V（功率NMOS）。当Vgs（栅极-源极电压）大于Vth时，沟道中的电子被吸引到栅极下方，形成导电通路，使电流可以从漏极流向源极。NMOS与PMOS的结构类似，都由三大部分组成：栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。由于NMOS在开启时，电子是主要的载流子，电子的迁移率比空穴高，因此NMOS通常具有更低的导通电阻（Rds(on)），这使其成为高速开关电路中的首选。它的沟道由电子（负载子）传导。
硬件电路学习记录（七）——全面概述MOS管
Klusfsc的博客
08-04 4937
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种常用的场效应晶体管，用于开关和放大电路。MOSFET是现代电子电路中最常见的一种晶体管，广泛应用于模拟电路和数字电路。MOSFET有两种主要类型：N沟道MOSFET（NMOS）和P沟道MOSFET（PMOS）。
嵌入式-数模电-MOS管经典手把手指点
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道友：人生的乐趣，就在这一山又一山之间，是你努力攀登的过程，是你一路上遇到的各种不同的风景。这也是你，越来越好的自己。
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NMOS与PMOS的导通条件与使用方法
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如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。所以，N沟道一定是D极接输入，S极接输出或地。P沟道则相反，一定是S极接输入，D极接输出
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为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .pdf
04-08
总结来说，PMOS管在许多应用中被NMOS管所取代，主要原因在于PMOS管相对较高的导通电阻导致了在很多应用场景下的性能不佳。另外，NMOS管的多样化产品线和较低的制造成本也是其在开关电源等应用中被广泛使用的重要因素...
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08-11
文章中通过图示说明NMOS和PMOS识别，形象的展示了NMOS和PMOS的电流流向。
NMOS和PMOS有什么区别
07-14
本文主要讲了nmos和pmos有什么区别，希望对您的学习有所帮助。
ME4542,N+PMOS,NMOS,30V,8A,PMOS,6.9A,SOP-8封装.pdf
09-27
根据所提供的文件信息，可以梳理出以下IT知识点： 1. **功率MOSFET的介绍**： - ME4542是一款N沟道和P沟道的逻辑增强型功率...此外，其封装类型和电气特性是电子工程师在选择和使用此类MOSFET时必须考虑的关键参数。
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08-16 1352
用控制导通，电流从，适合。：用控制导通，电流从，适合。箭头方向指向G的是NMOS，原理G的PMOS。
PMOS和NMOS
m0_66746512的博客
05-12 3974
又根据场效应原理的不同，分为（当栅压为零时有较大漏极电流）和（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流，VGS>VGS(th)的时候才会导通）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
三极管
10-08 2929
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
PMOS、NMOS 驱动电路和使用方法
qq_41544116的博客
07-25 7138
下图就是 PMOS 和 NMOS 的简单使用方法。D2 是指示灯，NMOS 的 G 连接单片机 IO，PMOS 的 D 连接 24V 继电器，PMOS 的体二极管作为继电器的反向电动势的吸收二极管PMOS 和 NMOS 不一样，在远超单片机电压下控制 PMOS 必须依靠一个 NMOS，不能用单片机的 IO 直接代替这里的 NMOS 作控制，不然高压会直接击穿单片机也许可以这么理解：PMOS 用于发送正电压，NMOS 用于接收正电压。
PMOS、NMOS、CMOS晶体管
hzmscut的博客
06-06 3853
PMOS：低噪声、高阈值电压、低功耗，但速度较慢、导通电阻高。NMOS：速度快、导通电阻低、高驱动能力，但高噪声、可能有较高的静态功耗。PMOS 和 NMOS 各有优缺点，但在 CMOS 技术中，两者互补工作，可以实现高性能、低功耗和高噪声容限的电路设计。这种互补特性使得 CMOS 成为现代集成电路设计的主流技术。
pmos和nmos电压方向
01-10
### PMOS 和 NMOS 晶体管中的电压方向及工作原理 #### PMOS晶体管的工作原理和电压方向 PMOS晶体管是一种基于P型衬底材料的场效应晶体管。其源极和漏极通常连接到电源的正端（VDD），而栅极接收控制信号。当栅极相对于源极施加较低的电压时，PMOS导通；反之，则截止。具体来说： - **导通状态**：如果栅极电压低于某一阈值电压VTp（通常是负数），则会在源极与漏极之间形成电流通道。 - **截止状态**：一旦栅极电压等于或高于源极电压加上|VTp|，PMOS就会进入截止区，阻止任何显著的电流流动。 因此，在典型的CMOS逻辑门设计中，PMOS用于实现“上拉”功能，即将节点拉至高电平[VDD]。 #### NMOS晶体管的工作原理和电压方向 相比之下，NMOS晶体管利用的是N型掺杂区域作为载流子路径的一部分。对于这类器件而言： - **导通条件**：只有当栅极相对源极为正值且超过一定阈值电压VTn时才会开启； - **截止情况**：只要栅压不足以克服该阈值，就不会有明显的电流通过器件。 这意味着在实际应用里，NMOS常被用来执行“下拉”的角色——把线路拉回到地[GND]水平[^1]。 ```python # 示例代码展示如何判断MOSFET的状态 (Python伪代码) def check_mosfet_state(vgs, vt): """给定栅源电压vgs以及阈值电压vt来决定MOSFET是否处于导通""" if vgs >= abs(vt): # 对于NMOS; 如果是PMOS应改为<= return "ON" else: return "OFF" print(check_mosfet_state(3.3, 0.7)) # 假设为NMOS的例子 ```
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