【思维+中位数】UVa 13000 Spreading the Wealth

本文介绍了一种解决硬币分配问题的方法,通过建立数学模型,将问题转化为寻找中位数的过程,进而找到最少的硬币交换次数。

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Spreading the Wealth

这里写图片描述

题意

传硬币
每个人都有一定的初始硬币数量,每个人都可以往左传或者往右传,最终要求每个人的硬币数量一样多,问你最少需要传递多少硬币就可以实现每个人的硬币一样多。

我一开始的思路

大模拟??没思路。

标程的思路

有m个
设每个人初始硬币数量为Ai
最后每个人的数量为M
设每个人得到的硬币数量为x(i+1);
每个人给出的硬币数量为xi;

//相当于每个人给了它编号之前的人,而得到了编号之后人的硬币
比如 1号给了 m 号硬币 给出了x1枚硬币;得到了 2 号的硬币 x2枚硬币
因为加入得到的硬币的数量为负数其实就相当于给出硬币,这里只是代替一下,其实不影响。

那么每个人的最终得到的硬币与其给出和收到硬币之间就可以列出一个方程,我们因此就可以列出m个方程
A1 - x1 + x2 = M
A2 - x2 + x3 = M
A3 - x3 + x4 = M
…..
Am - xm + x1 = M
这样子我们就可以操作了。
是否可以通过解方程组来解出x1 , x2 , x3…..的值最后全部相加然后直接得到转移数量呢,不可以,因为不难发现,最后一个方程组其实是用第一个未知数所表示的,实际上并不是有效的方程组,所以无法解出来。

那么我们尝试将其用x1表示出来,通过控制x1的值来让所有的数值最小。
我们移一下项数,让其全部用x1表示
x1 = x1
x2 = M - A1 + x1
x3 = M - A2 + x2(x2 又可以用x1表示)
……
然后我们令
Ai - M = Ci
那么原式就可以进一步化简为(C0 = 0)
x1 = x1 - C0
x2 = x1 - C1
x3 = x1 - C2
……
Xm = x1 - Cm-1
通过前面的式子我们其实不难发现Cm的规律
Cm = Cm-1 + Ai - M;
那么现在问题就很简单了,我们只需要确定一个x1,使得abs(x1) + abs(x2) + …. abs(xm) 最小即可。
如何确定x1呢?这里就可以转化成问题:如何使x1到每个Cm的举例最小,保证他们的abs求和最小。
答案无疑是Cm的中位数为xi的值即可
最后确定了x1的值,把每个xi算出来,最后相加就是他们交换硬币的总数量了。

AC代码

思路思考起来比较困难,但对于程序的编写要求并不困难。
这里写图片描述

#include<bits/stdc++.h>
using namespace std;

#define maxn 1000000 + 7
long long C[maxn];
long long num[maxn];
void solve(void)
{
    int n;
    long long m;
    while(~scanf("%d",&n))
    {
        long long sum = 0;
        for(int i = 0 ; i < n ; i++)
        {
            scanf("%lld",&num[i]);
            sum+=num[i];
        }
        m = sum/n;
        C[0] = 0;
        for(int i = 1 ; i < n ; i++)
        {
            C[i] = C[i-1] + m - num[i];
        }
        sort(C,C+n);
        long long xm;
        if(n%2==1) xm = C[n/2+1];
        else xm = C[n/2];
        long long ans = 0;
        for(int i = 0 ; i < n ; i++ ) ans += abs(xm - C[i]);
        printf("%lld\n",ans);
    }

}

int main(void)
{
    solve();
    return 0;
}

所能学到的…

中位数到其两边的数的距离之和最小。

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(R&theta;JA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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