在实际应用中,为了进一步改善放大电路的性能,可用多只晶体管构成复合管来取代基本电路中的一只晶体管;也可根据需要将两种基本接法组合起来,以得到多方面性能俱佳的放大电路。
一、复合管放大电路
1、复合管
(1)晶体管组成的复合管及其电流放大系数
图2.7.1(a)和(b)所示为两只同类型(NPN或PNP)晶体管组成的复合管,等效成与组成它们的晶体管同类型的管子;图(ccc)和(d)所示为不同类型晶体管组成的复合管,等效成与 T1T_1T1 管同类型的管子。下面以(a)为例说明复合管的电流放大系数 β\betaβ 与 T1T_1T1、T2T_2T2 的电流放大系数 β1\beta_1β1、β2\beta_2β2的关系。
在图(a)中,复合管的基极电流 iBi_BiB 等于 T1T_1T1 管的基极电流 iB1i_{B1}iB1,集电极电流 iCi_CiC 等于 T2T_2T2 管的集电极电流 iC2i_{C2}iC2 与 T1T_1T1 管的集电极电流 iC1i_{C1}iC1 之和,而 T2T_2T2 管的基极电流 iB2i_{B2}iB2 等于 T1T_1T1 管的发射极电流 iE1i_{E1}iE1,所以iC=iC1+iC2=β1iB1+β2(1+β1)iB1=(β1+β2+β1β2)iB1i_C=i_{C1}+i_{C2}=\beta_1i_{B1}+\beta_2(1+\beta_1)i_{B1}=(\beta_1+\beta_2+\beta_1\beta_2)i_{B1}iC=iC1+iC2=β1iB1+β2(1+β1)iB1=(β1+β2+β1β2)iB1因为 β1\beta_1β1 和 β2\beta_2β2 至少为几十,因而 β1β2>>(β1+β2)\beta_1\beta_2>>(\beta_1+\beta_2)β1β2>>(β1+β2),所以可以认为复合管的电流放大系数β≈β1β2(2.7.1)\beta\approx\beta_1\beta_2\kern 70pt(2.7.1)β≈β1β2(2.7.1)同理可以推导出图2.7.1(b)、(ccc)、(d)所示复合管的 β\betaβ 均约为 β1β2\beta_1\beta_2β1β2。
(2)场效应管与晶体管组成的复合管及其跨导
图2.7.2所示为 NNN 沟道增强型场效应管和 NPN\textrm{NPN}NPN 型晶体管组成的复合管,等效成场效应管。由图可知,复合管的栅 - 源动态电压 ΔuGS\Delta u_{GS}ΔuGS 等于 T1T_1T1 管的栅 - 源动态电压 ΔuGS1\Delta u_{GS1}ΔuGS1 和 T2T_2T2 管的b - e动态电压 ΔuBE\Delta u_{BE}ΔuBE 之和,漏极动态电流 ΔiD\Delta i_DΔiD 等于 T1T_1T1 管的漏极动态电流 ΔiD1\Delta i_{D1}ΔiD1 和 T2T_2T2 管的集电极动态电流 ΔiC2\Delta i_{C2}ΔiC2 之和,T2T_2T2 管的基极动态电流 ΔiB2\Delta i_{B2}ΔiB2 等于 T1T_1T1 管的源极动态电流 ΔiS1\Delta i_{S1}ΔiS1(即 ΔiD1\Delta i_{D1}ΔiD1)。
下面说明复合管的跨导 gmg_mgm 与 T1T_1T1 管的跨导 gm1g_{m1}gm1、T2T_2T2 的电流放大系数 β2\beta_2β2 的关系,画出它们的交流等效电路,如图(b)所示。复合管的栅 - 源电压U˙gs=U˙gs1+U˙be2=U˙gs1+gm1U˙gs1rbe=(1+gm1rbe)U˙gs1\dot U_{gs}=\dot U_{gs1}+\dot U_{be2}=\dot U_{gs1}+g_{m1}\dot U_{gs1}r_{be}=(1+g_{m1}r_{be})\dot U_{gs1}U˙gs=U˙gs1+U˙be2=U˙gs1+gm1U˙gs1rbe=(1+gm1rbe)U˙gs1漏极电流I˙d=I˙d1+I˙d2=gm1U˙gs1+β2gm1U˙gs1=(1+β2)gm1U˙gs1\dot I_d=\dot I_{d1}+\dot I_{d2}=g_{m1}\dot U_{gs1}+\beta_2g_{m1}\dot U_{gs1}=(1+\beta_2)g_{m1}\dot U_{gs1}I˙d=I˙d1+I˙d2=gm1U˙gs1+β2gm1U˙gs1=(1+β2)gm1U˙gs1因而跨导gm=ΔiDΔuGS=I˙dU˙gs=(1+β2)gm1U˙gs1(1+gm1rbe)U˙gs1=(1+β2)gm11+gm1rbeg_m=\frac{\Delta i_D}{\Delta u_{GS}}=\frac{\dot I_d}{\dot U_{gs}}=\frac{(1+\beta_2)g_{m1}\dot U_{gs1}}{(1+g_{m1}r_{be})\dot U_{gs1}}=\frac{(1+\beta_2)g_{m1}}{1+g_{m1}r_{be}}gm=ΔuGSΔiD=U˙gsI˙d=(1+gm1rbe)U˙gs1(1+β2)gm1U˙gs1=1+gm1rbe(1+β2)gm1因为 β2>>1\beta_2>>1β2>>1,所以可以认为复合管的跨导gm≈β2gm11+gm1rbe(2.7.2)g_m\approx\frac{\beta_2g_{m1}}{1+g_{m1}r_{be}}\kern 60pt (2.7.2)gm≈1+gm1rbeβ2gm1(2.7.2)场效应管与晶体管还可用其它接法构成复合管,但两只管子的位置不能互换,它们的跨导表达式与式(2.7.2)相类似。
(3)复合管的组成原则
a. 在正确的外加电压下,每只管子的各级电流均有合适的通路,且均工作在放大区或恒流区;
b. 为了实现电流放大,应将第一只管的集电极(漏极)或发射极(源极)电流作为第二只管子的基极电流。
由于晶体管构成的复合管有很高的电流放大系数,所以只需很小的输入驱动电流 iBi_BiB,便可获得很大的集电极(或发射极)电流 iCi_{C}iC(或 iEi_EiE)。在一些场合下,还可将三只晶体管接成复合管。应当指出,使用三只以上管子构成复合管的情况比较少,因为管子数目太多时,会因结电容的作用使高频特性变坏;复合管的穿透电流会很大,温度稳定性变差;而且为保证复合管中每一只管子都工作在放大区,必然要求复合管的直流管压降足够大,这就需要提高电源电压。
2、复合管共射放大电路
如图2.7.3(a)所示的复合管共射放大电路,图(b)是它的交流等效电路。
注:该图中左边流控电流源的电流的应该为β1I˙b1\beta_1\dot I_{b1}β1I˙b1、右边流控电流源的电流为β2I˙b2\beta_2\dot I_{b2}β2I˙b2
由图(b)可知:I˙c=I˙c1+I˙c2≈β1β2I˙b1\dot I_c=\dot I_{c1}+\dot I_{c2}\approx\beta_1\beta_2\dot I_{b1}I˙c=I˙c1+I˙c2≈β1β2I˙b1U˙i=I˙b1rbe1+I˙b2rbe2=I˙b1rbe1+I˙b1(1+β1)rbe2\dot U_i=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b2}r_{be2}=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b1}(1+\beta_1)r_{be2}U˙i=I˙b1rbe1+I˙b2rbe2=I˙b1rbe1+I˙b1(1+β1)rbe2U˙o≈−β1β2I˙b1(Rc//RL)\dot U_o\approx-\beta_1\beta_2\dot I_{b1}(R_c//R_L)U˙o≈−β1β2I˙b1(Rc//RL)电压放大倍数A˙u≈−β1β2(Rc//RL)rbe1+(1+β1)rbe2(2.7.3)\dot A_u\approx-\frac{\beta_1\beta_2(R_c//R_L)}{r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}}\kern 52pt(2.7.3)A˙u≈−rbe1+(1+β1)rbe2β1β2(Rc//RL)(2.7.3)输入电阻Ri=Rb//[rbe1+(1+β1)rbe2](2.7.4)R_i=R_b//[r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}]\kern 40pt(2.7.4)Ri=Rb//[rbe1+(1+β1)rbe2](2.7.4)与图2.2.5单管阻容耦合共射放大电路的输入电阻Ri=Rb//rbeR_i=R_b//r_{be}Ri=Rb//rbe相比,RiR_iRi明显增大。说明当U˙i\dot U_iU˙i相同时,从信号源索取的电流将显著减小。
分析表明,复合管共射放大电路增强了电流放大能力,从而减小了对信号源驱动电流的要求;从另一角度看,若驱动电流不变,则采用复合管后,输出电流将增大约β\betaβ倍。
3、复合管共源放大电路
如图2.7.4(a)所示为复合管共源放大电路,图(b)是它的交流等效电路。
由图(b)可知I˙d=I˙d1+I˙c2=gm1U˙gs1+β2gm1U˙gs1=(1+β2)gm1U˙gs1≈gm1β2U˙gs1\dot I_d=\dot I_{d1}+\dot I_{c2}=g_{m1}\dot U_{gs1}+\beta_2g_{m1}\dot U_{gs1}=(1+\beta_2)g_{m1}\dot U_{gs1}\approx g_{m1}\beta_2\dot U_{gs1}I˙d=I˙d1+I˙c2=gm1U˙gs1+β2gm1U˙gs1=(1+β2)gm1U˙gs1≈gm1β2U˙gs1U˙i=U˙gs1+U˙be2=U˙gs1+gm1U˙gs1rbe=(1+gm1rbe)U˙gs1\dot U_i=\dot U_{gs1}+\dot U_{be2}=\dot U_{gs1}+g_{m1}\dot U_{gs1}r_{be}=(1+g_{m1}r_{be})\dot U_{gs1}U˙i=U˙gs1+U˙be2=U˙gs1+gm1U˙gs1rbe=(1+gm1rbe)U˙gs1U˙o=−I˙d(Rd//RL)≈−gm1β2U˙gs1(Rd//RL)\dot U_o=-\dot I_d(R_d//R_L)\approx -g_{m1}\beta_2\dot U_{gs1}(R_d//R_L)U˙o=−I˙d(Rd//RL)≈−gm1β2U˙gs1(Rd//RL)电压放大倍数A˙u=U˙oU˙i≈−gm1β2(Rd//RL)1+gm1rbe(2.7.5)\dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}\approx-\frac{g_{m1}\beta_2(R_d//R_L)}{1+g_{m1}r_{be}}\kern 40pt(2.7.5)A˙u=U˙iU˙o≈−1+gm1rbegm1β2(Rd//RL)(2.7.5)输入电阻Ri=Rg3+(Rg1//Rg2)(2.7.6)R_i=R_{g3}+(R_{g1}//R_{g2})\kern 71pt(2.7.6)Ri=Rg3+(Rg1//Rg2)(2.7.6)采用复合管后,电路比单管共源放大电路的放大能力强得多;由于 Rg3R_{g3}Rg3 可取几兆欧,电路比单管共射放大电路的输入电阻大得多。
4、复合管共集放大电路
图2.7.5(a)所示为阻容耦合复合管共集放大电路,其交流通路如图(b)所示,交流等效电路如图©所示。
根据输入电阻和输出电阻的物理意义,从图©可知U˙i=I˙b1rbe1+I˙b2rbe2+I˙e2(Re//RL)=I˙b1rbe1+I˙b1(1+β1)rbe2+I˙b1(1+β1)(1+β2)(Re//RL)\dot U_i=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b2}r_{be2}+\dot I_{e2}(R_e//R_L)=\dot I_{b1}r_{be1}+\dot I_{b1}(1+\beta_1)r_{be2}+\dot I_{b1}(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)U˙i=I˙b1rbe1+I˙b2rbe2+I˙e2(Re//RL)=I˙b1rbe1+I˙b1(1+β1)rbe2+I˙b1(1+β1)(1+β2)(Re//RL)U˙o=I˙e2(Re//RL)=I˙b1(1+β1)(1+β2)(Re//RL)\dot U_o=\dot I_{e2}(R_e//R_L)=\dot I_{b1}(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)U˙o=I˙e2(Re//RL)=I˙b1(1+β1)(1+β2)(Re//RL)A˙u=U˙oU˙i=rbe1+(1+β1)rbe2+(1+β1)(1+β2)(Re//RL)(1+β1)(1+β2)(Re//RL)\dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=\frac{r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}+(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)}{(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)}A˙u=U˙iU˙o=(1+β1)(1+β2)(Re//RL)rbe1+(1+β1)rbe2+(1+β1)(1+β2)(Re//RL)Ri=Rb//[rbe1+(1+β1)rbe2+(1+β1)(1+β2)(Re//RL)](2.7.7)R_i=R_b//[r_{be1}+(1+\beta_1)r_{be2}+(1+\beta_1)(1+\beta_2)(R_e//R_L)]\kern 70pt(2.7.7)Ri=Rb//[rbe1+(1+β1)rbe2+(1+β1)(1+β2)(Re//RL)](2.7.7)Ro=Re//[rbe21+β2+rbe1+Rs//Rb(1+β1)(1+β2)](2.7.8)R_o=R_e//[\frac{r_{be2}}{1+\beta_2}+\frac{r_{be1}+R_s//R_b}{(1+\beta_1)(1+\beta_2)}]\kern 156pt(2.7.8)Ro=Re//[1+β2rbe2+(1+β1)(1+β2)rbe1+Rs//Rb](2.7.8)显然,由于采用复合管,输入电阻 RiR_iRi 中与 RbR_bRb 相并联的部分大大提高,而输出电阻 RoR_oRo 中与 ReR_eRe 相并联的部分大大降低,使共集放大电路 RiR_iRi 大、RoR_oRo 小的特点得到进一步的发挥。
从式(2.7.7)可知,共集放大电路的输入电阻与负载电阻有关;从式(2.7.8)可知,共集放大电路的输出电阻与信号源内阻有关。但是必须特别指出,根据输入、输出电阻的定义,无论什么样的放大电路,RiR_iRi 均与 RsR_sRs 无关,而 RoR_oRo 均与 RLR_LRL 无关。
二、共射 - 共基放大电路
将共射电路与共基电路组合在一起,既保持共射放大电路电压放大能力较强的优点,又获得共基放大电路较好的高频特性。图2.7.6所示为共射 - 共基放大电路的交流通路,T1T_1T1 组成共射电路,T2T_2T2 组成共基电路,由于 T1T_1T1 管以输入电阻小的共基电路为负载,使 T1T_1T1 管集电结电容对输入回路的影响较小,从而使共射电路高频特性得到改善。
从图2.7.6可以推导出电压放大倍数 A˙u\dot A_uA˙u 的表达式。设 T1T_1T1 的电流放大系数为 β1\beta_1β1,b-e 间动态电阻为 rbe1r_{be1}rbe1,T2T_2T2 的电流放大系数为 β2\beta_2β2,则A˙u=U˙oU˙i=I˙c1U˙i⋅U˙oI˙e2=β1I˙b1I˙b1rbe1⋅−β2I˙b2(Rc//RL)(1+β2)I˙b2\dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=\frac{\dot I_{c1}}{\dot U_i}\cdot \frac{\dot U_o}{\dot I_{e2}}=\frac{\beta_1\dot I_{b1}}{\dot I_{b1}r_{be1}}\cdot \frac{-\beta_2\dot I_{b2}(R_c//R_L)}{(1+\beta_2)\dot I_{b2}}A˙u=U˙iU˙o=U˙iI˙c1⋅I˙e2U˙o=I˙b1rbe1β1I˙b1⋅(1+β2)I˙b2−β2I˙b2(Rc//RL)因为β2>>1\beta_2>>1β2>>1,即 β2/(1+β2)≈1\beta_2/(1+\beta_2)\approx1β2/(1+β2)≈1,所以A˙u≈−β1(Rc//RL)rbe1(2.7.9)\dot A_u\approx-\frac{\beta_1(R_c//R_L)}{r_{be1}}\kern 85pt (2.7.9)A˙u≈−rbe1β1(Rc//RL)(2.7.9)与单管共射放大电路的 A˙u\dot A_uA˙u 相同。
三、共集 - 共基放大电路
图2.7.7所示为共集 - 共基放大电路的交流通路,它以 T1T_1T1 管组成的共集电路作为输入端,故输入电阻较大;以 T2T_2T2 管组成的共基电路作为输出端,故具有一定电压放大能力;由于共集电路和共基电路均有较高的上限截止频率,故电路有较宽的通频带。
根据具体需要,还可以组成其它电路,如共漏 - 共射放大电路,既保持高输入电阻,又具有高的电压放大倍数。可见,利用两种基本接法组合,可以同时获得两种接法的优点。
复合管与共射-共集放大电路的优化设计
本文介绍了通过复合管(包括晶体管和场效应管)构造的放大电路,探讨了复合管共射、共源和共集放大电路的原理、性能提升以及高频特性改善。重点展示了如何结合不同基本接法,如共射-共基放大,实现电压放大能力和高频特性的平衡。

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