电压控制振荡器(VCO)技术解析与性能对比
1. 电压控制振荡器基础
在无线通信系统中,混频器的本振(LO)端口通常由锁相环(PLL)频率合成器驱动。典型的PLL包含相位检测器、电荷泵、环路滤波器、电压控制振荡器(VCO)和分频器,它们连接成一个闭环,以确保输出频率稳定,不受器件噪声的影响。其中,VCO是PLL中至关重要的组成部分。
振荡器主要分为两类:弛张振荡器和谐波振荡器。弛张振荡器谐波含量高、相位噪声性能差;而谐波振荡器通常使用LC谐振器或晶体,具有高光谱纯度和良好的噪声性能。目前,无线应用中使用的大多数振荡器是基于谐振器的振荡器,其中交叉耦合LC VCO是最常见的VCO设计之一。
交叉耦合LC VCO由电感L、变容二极管Cvar和MOSFET的寄生参数构成谐振网络,其振荡频率由以下公式确定:
[
\omega_{0}=\frac{1}{\sqrt{4LC}}
]
并联电阻R用于模拟电感和变容二极管中的金属电阻损耗。NMOS和PMOS交叉耦合对形成小信号负电阻发生器,以抵消这种损耗电阻,从而维持振荡。振荡开始所需的最小器件跨导由以下条件决定:
[
g_{mp}+g_{mn}>\frac{1}{R}
]
VCO的两个最重要的性能指标是相位噪声和调谐范围。相位噪声是由器件中的噪声引起的短期频率不稳定,定义为:
[
L(\Delta\omega)=10\log\frac{P_{sideband}(\omega_{0}+\Delta\omega,1Hz)}{P_{sig}}
]
其中,$P_{sideband}(\omega_{0}+\D
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