42、新兴内存芯片的安全特性与防护策略

新兴内存芯片的安全特性与防护策略

1. 新兴非易失性内存技术概述

新兴的非易失性内存（NVM）技术，如相变内存（PCM）、铁电随机存取存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）和电阻式随机存取存储器（ReRAM）等，正逐渐成为传统内存技术的有力竞争者。这些新兴技术在数据保留、读写延迟、功耗等方面具有独特的优势，但也面临着一些安全挑战。

内存类型	非易失性	读写耐久性	读写延迟	编程电压 (V)	每比特能量	单元面积 (F²)	特征尺寸 (nm)	数据保留时间
DRAM	否	10¹⁶	10/10 ns	1.8/2.5	低	6	36	64 ms
SRAM	否	10¹⁹	<1 ns	1.65 - 2.2	低	50 - 120	65