DDR笔记之dimm,rank,chip

CHIP

图中的黑色颗粒为DRAM chip。chip有x4 x8 x16的规格,这个指的是chip输出位宽(DQ数)。举一个例子,x8 DRAM的有并行的8个输出,每一个并行输出口串行输出4或8个data,并行data数量取决于DRAM内部模式。所以一个x8的DRAM输出的data总量为32bits或64bits。

DIMM

dimm需要提供64bits的输出位宽,这就意味着当chip的规格为x4时需要16个chip,当规格为x8时只需要8个,x16用的比较少。所以一个dimm上至少有8个chip。当dimm有8个chip时,这8个分布在dimm的同一侧,叫做single sided dimm;当有16个时,分布在两侧,叫做double sided dimm。

RANK

rank是指提供64bits输出位宽的颗粒。当一个dimm上放了16颗x8的颗粒,每8个颗粒提供64bits输出位宽,所以这个dimm上有两个rank,每个rank的8个chip各由同一个CS_n控制。这种一个dimm上有连个rank的叫做double rank,一个dimm上有只有1个rank的叫做single rank。

 

### DDR 内存 RANK 概念解释 #### 定义与基本原理 RANK 是指在同一时间能够被激活并访问的一组 DRAM 芯片集合。每一个 RANK 都有自己的控制信号,这意味着 CPU 可以独立地向不同 RANK 发送命令而不互相干扰[^3]。 对于 Single Rank 的模块而言,在物理上所有的存储单元都位于同一侧或即使分布在两侧也被视为单个逻辑单位处理;而对于 Dual-Rank 设计,则意味着存在两套相互独立可寻址的区域,通常分别安置于 PCB 板正面和背面或是通过特定布局实现双倍密度的效果[^4]。 #### 工作机制 当控制器要读取或写入数据时,它会先指定目标 RANK 并发送相应的指令序列给该 RANK 下属的所有颗粒(Chip)。这种设计允许更高的并发度以及更灵活的数据管理方式,尤其是在多任务环境下能显著提升性能表现[^2]。 #### 影响因素 - **带宽利用率**:更多数量的 RANKs 提供了更大的潜在吞吐量,因为可以同时操作多个不相交的工作集。 - **功耗考量**:增加 RANK 数虽然提高了效率但也带来了额外的能量消耗,特别是在高负载情况下更为明显。 - **兼容性问题**:并非所有主板都能良好支持超过一定数目以上的 RANK 结构,这取决于具体平台的设计规格和支持能力[^1]。 ```python def calculate_bandwidth(rank_count, data_rate): """ 计算基于rank数量和数据速率的有效带宽 参数: rank_count (int): 内存条上的Rank数量 data_rate (float): 数据传输率(Gbps) 返回: float: 总有效带宽(GB/s) """ return rank_count * data_rate effective_bw = calculate_bandwidth(2, 3.2) # 假设Dual-Rank且每秒传输速度为3.2Gbps print(f"Effective Bandwidth with dual-rank is {effective_bw} GB/s") ```
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值