【virtuoso】INV 原理图+前仿真 + 版图 + 后仿真

采用SMIC工艺，不同工艺版图窗口可能有差异

1. 原理图&前仿真

1.1 绘制原理图

PMOS: NMOS宽长比2：1

PMOS开启导通电阻大一点，这样设置，可以使得阈值电压是VDD/2

• 按 i，可以插入器件
• 按p，可以放置端口

1.2 创建symbol

create --> Cellview --> From Cellview

直接ok即可

pin脚位置可改可不改

然后，点击ok

直接保存即可，也可以修改pin脚位置，修改symbol形状

1.3 INV进行前仿真

 1.3.1 testbench设置

仿真如图所示：

1. VDD=1.2
2. SUB=0
3. GND=0
4. 输入脉冲信号：
   

 

1.3.2 仿真分析 tran分析

 

1.3.3 仿真结果

2. 版图layout

2.1 从原理图产生器件

在原理图中按住shift，然后点击pmos和nmos，选中器件，然后按照上图所示方法，layout自动生成器件模型