KS的博客

finger指的是栅的数量，一般宽长比较大的时候会设置finger；multipler指的是MOS管数量，并联的MOS管数量。例如你设置沟道长度L=60nm，需要128um的沟道宽度W,显然你用一个栅是无法实现的，那么你就可以设置finger=32,W=4um，这样finger*W=128um就满足要求了。在上面基础上如果你Multipler设置为，那表示有两个这样的管子并联接在一起。

输出电阻无穷大：因为理想电流源应提供恒定不变的电流，即不论其两端电压如何变化，流过它的电流都应该是定值，因此希望它的内阻无穷大，根据欧姆定律，此时不论加多大的电压变化在电流表的两端，其流过的电流都不会发生变化。输入电阻无穷大：因为希望作为负载电路接入源电路后，不对原电路产生影响，无穷大的输入电阻可以被视作断路，参考电压表的原理（电压表的输入电阻无穷大，因此并联接在电路两端不会对原电路产生影响）输入电阻为零：同电压表，电流表串联接入电路后希望不对原电路产生影响，因此应该没有电阻，如同一根导线一样。

我们知道最普通的电阻负载的差分对的差分增益是-gmRD，如果我们不希望输出是双端的，而是希望单端输出，那么使用电阻负载的差分对会导致增益变为原先的一半，因此引入了电流镜负载的差分对，它可以在保证增益与原先相同的情况下，将输出从双端改为单端。下面是一个电流镜负载的差分对的基本结构。但是，不要忘记，该电路的上半部分还有个电流镜，Q3会把流过它自身的电流复制一份给到Q4，也就是说，还有个大小为id的电流会流过Q4，汇聚到Vout这个输出点，如下图所示。

两个电路cascade 是指第一个的输出接到第二个的输入. 在cascode 结构中, 第一个电路是common source amplifier, 第二个电路是common gate amplifier. (以FET 为例)

VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点，详细接电源的极性需视器件材料而定。VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极，VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正（例如：二极管）。3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。场效应管的源极（S）

Offset voltage指的是一个电路的输出在没有输入信号的情况下的零点位置的偏移。在放大器或运算放大器等电路中，由于器件的非理想性质，可能存在输出不为零的情况，即使没有输入信号。总的来说，bias voltage是为了正常工作而施加在电子器件或电路上的电压，而offset voltage是指电路在没有输入信号时输出的偏移。它们有着不同的应用和影响。在放大器、晶体管、集成电路等电子器件中，通过施加适当的偏置电压，可以使器件工作在其线性区域，从而实现更稳定和可控的操作。

相信很多人在学习集成电路领域的时候 都对MOS管的一些概念理解模糊 包括跨导 小信号模型 MOS管的增益和输出阻抗等 本文将从跨导的定义开始引入 最后总结一些常见MOS电路拓扑的增益我们知道MOS管的抽象模型其实可以这样理解：在栅极给MOS管一个电压 这个电压会使MOS管中有电流流过 那么衡量电压转化为电流的能力 我们称之为跨导 根据这个定义 我们可以写出跨导的表达式如下我们已知漏源电流在MOS管饱和区的表达式如下（不考虑沟道长度调制效应）因此求导后可得跨导的具体表达式如下。

Si-Si共价键，当这些少子收到的内建电场的电场力使他们有足够的能量破坏这些共价键的时候，它们遇到共价键就会破坏共价键，并释放出共价键中的电子。释放出的电子又会去撞击破坏别的共价键，这种滚雪球的方式很类似雪崩，因此称为雪崩击穿。雪崩击穿的前提是给二极管提供足够大的反向电压，随着反向电压的增大，耗尽层会变宽，由于是添加反向电压，所以PN结中主要是少子的漂移运动。我们知道在PN结中有许多的。二极管被击穿并不意味着二极管被损坏，只要反向电流产生的热量没有超过二极管的耐热极限，二极管就不会被击穿。

就正好相反了，它必须要求讯号能源能提供较为大量的讯号电流，因为在同一个电压下，低输入阻抗会流进较大的讯号电流，如果讯源提供的电流强度不足以满足下一级电路的需求，它就不能完美地驱动下一级电路。对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响；输入阻抗指器件作为前级电路的负载时呈现的阻抗，输入阻抗越大的器件对前级电路的影响越小，所以输入阻抗是大一点好。当然在信号的传输中，要求“阻抗匹配”，即前一级的输出阻抗等于下一级的输入阻抗，这样在级间就不会产生信号反射。

首先先明确方法论，求等效电阻有多种方法，这里使用加压求流法，即我们要求从MOS的哪端看进去等效阻抗，就在哪个端口加一个电压源，并将原电路所有独立源置零（电压源短路，电流源断路），根据基尔霍夫电压定律求出外加电压与电流的关系，作比求出等效电阻。也就是说，一个MOS从漏极看进去的等效电阻就是与沟道长度调制效应有关的输出电阻。利用与MOS源极视入阻抗相似的分析方式，先假设M1的等效电阻为ro1，画出下图的等效模型。注：Ro1指的是MOS管考虑沟道调制效应的等效电阻。MOS源级视入等效阻抗。

和都是常用的电路架构，在实际应用中涉及较多。它们都具有将两个信号进行相减的功能，但是它们的电路原理、应用场景以及性能特点略有不同。

理想的差动放大器会完全抑制共模信号，但现实情况由于电阻无法做到相等，以及放大器中的MOS管的长宽比的工艺误差，因此会出现共模信号同样会被放大，并产生差模电压的情况。由这个式子我们可以发现，差分放大器放大的是同相端与反相端的差模信号，假设说我们同时给V+和V-加上一个偏置电压V1，我们会发现Vout依然不变，因为共模信号V1不会被差分放大器放大。假设V+为峰峰值为1V的正弦信号，V-为峰峰值为1V，与V+相位差180度的正弦信号。就是峰峰值为2V的正弦信号，假设R4=10Ω，R1=2Ω，则放大倍数为5倍。

由于虚断，流入V+的电流几乎为0，根据分压定理可得：同理，在V-处有：由于虚短，可得：化简可得：其中：称为正相放大倍数称为反相放大倍数。

可以这样思考：假设我们现在有一个恒流源加上一个电阻的简单电路，那么无论加入的这个负载电阻的阻值如何变化，流过电路的电流都应该是一个定值（恒流源）。假设电路的压降给定，那么也就是说。最近在看模拟CMOS集成电路设计一书，在阅读过程中有句话让我难以理解：“电流源引入的阻抗为无穷大。“，经查阅资料，明白了为什么这样解释。，都不会对电阻之和产生影响，那么这样看，恒流源内阻就应该近似无穷大。中的电阻之和应该近似于定值，或者说无论引入多大的负载。

二极管钳位是利用了二极管的单向导电性，就是当二极管负极电压大于正极时，二极管截止，而当正极电压大于负极并且导通之后，二极管两端电压被限制在它的管压降上，硅管约为0.7V，这就说二极管两端电压被钳位在0.7V上。1. 当Vin大于等于0.7V时，那么显而易见D1是导通的，因此有电流流过，那么我们要求电流流向是从Vcc到Vdd，那么D2至少也该是导通的，因此不能有反向电压加在D2上，所以此时Vout被钳位在了0.7V。另外还可以利用这一特性来对电路某点电压钳位，这就是所谓的钳位电路。

最近在公司实习，负责跟进一款储能电池的开发，储能电池是将220V家用交流电通过整流电路转换成直流电储存在电池中，在使用时输出直流电或通过逆变电路输出交流电，那么什么电器需要接入直流电，什么电器又需要接入交流电呢？交流电是一种周期性变化的电能，它的电压和电流在正负极性之间不断切换。在一定时间内，交流电的电压和电流值会按照正弦波形式波动。交流电的主要优势在于它能够在很长的距离内传输，而能量损失相对较小。在直流电中，电子总是沿着一个方向传输，因此其电压和电流的极性始终保持恒定。三、直流电与交流电的区别。

其中Apperant power是视在功率。Reactive power是无功功率。True power是有功功率。

二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流I0。反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。但实际情况是，二极管并不立刻截止，而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流IR=VR／RL，这个电流维持一段时间tS后才开始逐渐下降，再经过tt后，下降到一个很小的数值0.1IR，这时二极管才进人反向截止状态，如下图所示。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。

运算放大器的放大主要取决于两个反馈电阻，如 R1 和 R2，它们连接在分压器配置中。R1 电阻器称为反馈电阻器 (Rf)，提供给运算放大器反相引脚的分压器输出等效于 Vin，因为分压器的 Vin 和结点位于类似的接地节点上。因此，Vout 取决于反馈网络。同相运算放大器通过两个规则工作，如电流规则和电压规则。电流规则指出没有电流流向运算放大器的输入，而电压规则指出运算放大器电压试图确保两个运算放大器输入之间的电压差异为零。从上面的同相运算放大器电路中，一旦将电压规则应用于该电路，反相输入端的电压将与同相输入