EMMC与NAND FLASH核心对比

通俗的来说,eMMC=NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装。本文大致做下边几个小结:

(1)MMC与Host之间的连接

连接由下图可见

(2)eMMC和NAND Flash与Host的连接比较

NAND Flash直接接入Host

NAND Flash 直接接入 Host 时,Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer,即 NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。

由eMMC接入Host

eMMC则在其内部集成了 Flash Controller,包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端,eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性,可以减少 Host 端软件的复杂度,让 Host 端专注于上层业务,省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时,eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术,在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。

(3)Flash Controller与NAND Flash的连接

由上知MMC相较于NAND Flash,内部集成了 Flash Controller,其与存储介质大致连接如图。

(4)关于Flash Controller/MMC Controller

包括Card Interface(CMD,DATA,CLK)、Memory core interface、总线接口控制(Card Interface Controller)、电源控制、寄存器组。

图中寄存器组的功能见下表:

CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读, 厂家号,产品号,串号,生产日期。

RCA: 卡地址寄存器,可写的16bit寄存器,存有Device identification模式由host分配的通信地址,host会在代码里面记录这个地址,MMC则存入RCA寄存器,默认值为0x0001。保留0x0000以用来将all device设置为等待CMD7命令状态。

CSD: 卡专有数据寄存器部分可读写128bit,卡容量,最大传输速率,读写操作的最大电流、电压,读写擦出块的最大长度等。

SCR: 卡配置寄存器, 可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持),以及数据位宽(1bit或4bit)。

OCR: 卡操作电压寄存器 32位, 只读,每隔0.1V占1位, 第31位卡上电过程是否完成。

(5)Device Identification Mode和初始化

MMC通过发CMD的方式来实现卡的初始化和数据访问

Device Identification Mode包括3个阶段Idle State、Ready State、Identification State。

Idle State下,eMMC Device会进行内部初始化,Host需要持续发送CMD1命令,查询eMMC Device是否已经完成初始化,同时进行工作电压和寻址模式协商:eMMC Device 在接收到这些信息后,会将OCR的内容(MMC出厂就烧录在里面的卡的操作电压值)通过 Response 返回给 Host,其中包含了 eMMC Device 是否完成初始化的标志位、设备工作电压范围 Voltage Range 和存储访问模式 Memory Access Mode 信息。

如果 eMMC Devcie 和 Host 所支持的工作电压和寻址模式不匹配,那么 eMMC Device 会进入Inactive State。

Ready State,MMC完成初始化后,就会进入该阶段。

在该 State 下,Host 会发送 CMD2命令,获取eMMC Device 的CID。

CID,即 Device identification number,用于标识一个 eMMC Device。它包含了 eMMC Device 的制造商、OEM、设备名称、设备序列号、生产年份等信息,每一个 eMMC Device 的 CID 都是唯一的,不会与其他的 eMMC Device 完全相同。

eMMC Device 接收到CMD2后,会将 127 Bits 的CID的内容通过 Response返回给 Host。

Identification State,发送完 CID 后,eMMC Device就会进入该阶段。

Host 会发送参数包含 16 Bits RCA 的CMD3命令,为eMMC Device 分配 RCA。设定完 RCA 后,eMMC Devcie 就完成了 Devcie Identification,进入 Data Transfer Mode。

(6)eMMC工作电压和上电过程

根据工作电压的不同,MMC卡可以分为两类:

High Voltage MultiMediaCard,工作电压为2.7V~3.6V。

Dual Voltage MultiMediaCard,工作电压有两种,1.70V~1.95V和2.7V~3.6V,CPU可以根据需要切换

我所使用的eMMC实测工作电压VCC为2.80V~2.96V,VCCQ为1.70V~1.82V。

其中VCC为MMC Controller/Flash Controller的供电电压,VCCQ为Memory和Controller之间I/O的供电。

上电初始化阶段MMC时钟频率为400KHz,需要等电压调整到它要求的VCC时(host去获取OCR中记录的电压值,上面有说),MMC时钟才会调整到更高的正常工作频率。我所使用的MMC测得正常工作时钟频率为50MHz。
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转载于xjw1874 的https://blog.youkuaiyun.com/xjw1874/article/details/81505967?utm_source=copy 

<think>嗯,用户问的是NAND Flash支持擦写多少次。首先,我需要回忆一下关于NAND Flash的基础知识。记得NAND Flash的擦写次数有限,这是它的一个主要缺点,尤其是在需要频繁写入数据的应用场景中。不过具体次数是多少呢?这可能会因不同的类型而有所不同,比如SLC、MLC、TLC、QLC这些类型,它们的寿命差异应该挺大的。 首先,我应该先解释一下NAND Flash的基本结构,比如它由块(Block)页(Page)组成,擦除是以块为单位进行的,而写入则是以页为单位。这样每次擦除都会对整个块进行操作,所以频繁的擦写会导致块磨损,从而影响寿命。 接下来,需要分类型讨论。SLC每个单元存储1位数据,寿命应该最高,可能在10万次左右。MLC存储2位,寿命会低一些,大概在1万到3万次。TLC是3位,可能在500到3000次,而QLC可能更低,只有几百次。这些数值需要确认是否准确,可能需要查证一些资料或者数据手册,确保数字正确,避免误导用户。 然后,用户可能想知道为什么会有这样的差异。这时候需要解释不同存储技术的原理,比如随着每个单元存储位数的增加,电压的不同状态更多,导致容错能力下降,更容易出错,从而需要更复杂的纠错机制,同时寿命也会缩短。 另外,用户可能关心实际应用中如何延长NAND Flash的寿命。这时候需要提到磨损均衡(Wear Leveling)技术,通过控制器将写入操作分散到不同的块,避免某些块被频繁擦写。还有坏块管理(Bad Block Management),自动标记损坏的块,不再使用。以及预留空间(Over-provisioning),增加额外的存储空间来替换坏块,提升整体寿命。 此外,环境因素如温度、电压稳定性也会影响寿命,可能需要提及这些外部条件的重要性。比如高温会加速电子泄漏,导致数据保存时间缩短,进而可能需要更频繁的擦写,间接影响寿命。 用户可能还想知道不同应用场景下的实际寿命情况。比如消费级电子产品企业级存储设备的区别,消费级可能使用TLC或QLC,寿命较低但成本低,而企业级可能使用SLC或高耐久度的MLC,寿命更长但价格更高。需要举例说明,比如U盘、SSD、eMMC等设备的使用寿命差异。 另外,纠错码(ECC)的作用也需要提到,随着擦写次数的增加,位错误率上升,ECC能够纠正一定数量的错误,但当错误超出纠错能力时,数据就会出错,这时候寿命也接近极限。所以ECC的强度也是影响实际可用寿命的因素之一。 最后,可能需要总结如何根据应用需求选择合适的NAND Flash类型,以及在实际使用中如何通过技术手段延长其寿命,帮助用户在实际应用中做出更好的决策。 需要注意避免使用过于专业的术语,保持解释的易懂性。同时,确认所有数据准确无误,比如具体的擦写次数范围,可能需要参考最新的资料,因为随着技术进步,某些类型的寿命可能有所提升。此外,要考虑到用户可能的后续问题,比如如何检测NAND Flash的剩余寿命,或者当寿命接近极限时会出现什么现象,是否需要提前准备更换存储设备等,可以在回答中适当提及或预留扩展空间。</think>### 一、NAND Flash 擦写次数的核心机制 #### 1. 物理原理限制 - **浮栅晶体管结构**:通过电子隧穿效应存储数据,每次擦写导致氧化层损伤 - **电荷捕获积累**:公式表达电荷流失率:$Q_{loss} = A \cdot e^{-E_a/(kT)} \cdot t^n$ (其中 $E_a$ 为活化能,$T$ 为温度,$t$ 为时间) #### 2. 擦写操作特性 | 操作类型 | 单位 | 电压范围 | 耗时 | |----------|---------|---------------|------------| | 读取 | Page | 3.3V | 25μs | | 写入 | Page | 15-20V | 200-800μs | | 擦除 | Block | 20-30V | 2-4ms | --- ### 二、技术规格分类对比 | 类型 | 存储密度 | 典型 P/E 周期 | 误码率 (原始) | 电压状态数 | |------|----------|---------------|----------------|------------| | SLC | 1bit/cell | 100,000 | 1e-9 | 2 | | MLC | 2bit/cell | 3,000-10,000 | 1e-6 | 4 | | eMLC | 2bit/cell | 20,000-30,000| 1e-5 | 4 | | TLC | 3bit/cell | 500-3,000 | 1e-3 | 8 | | QLC | 4bit/cell | 100-1,000 | 1e-2 | 16 | --- ### 三、实际使用寿命计算模型 **理论寿命公式**: $$L_{total} = \frac{C_{OP} \times N_{blocks} \times P/E_{max}}{WAF \times D_{daily}}$$ - **参数说明**: - $C_{OP}$:Over-provisioning 比例(典型值 7-28%) - $WAF$:写入放大系数(1.1-10) - $D_{daily}$:日写入数据量 **案例计算**: 256GB TLC SSD(P/E=1000,OP=7%) 假设日写入50GB,WAF=3 $$L_{total} = \frac{0.07 \times 256 \times 1000}{3 \times 50} \approx 1195 \text{天} \approx 3.3\text{年}$$ --- ### 四、增强寿命的核心技术 #### 1. 磨损均衡算法 - **动态均衡**:Hot/Cold 数据分离写入 - **静态均衡**:公式化权重分配: $$W_i = \alpha \times U_i + \beta \times T_i$$ ($U_i$=使用次数,$T_i$=闲置时间) #### 2. 纠错技术演进 | 技术代次 | 纠错能力 | 适用场景 | |----------|----------|--------------------| | BCH | 24bit/1KB| SLC/MLC | | LDPC | 72bit/1KB| TLC/QLC | | RAID | 块级保护 | 企业级存储 | --- ### 五、环境因素影响 #### 1. 温度效应模型 $$TF = e^{\frac{E_a}{k}(\frac{1}{T_1} - \frac{1}{T_2})}$$ ($E_a$≈1.1eV,温度每升高20°C,寿命下降50%) #### 2. 电压波动容限 | 类型 | Vcc 范围 | 允许波动 | |------|-----------|----------| | SLC | 2.7-3.6V | ±5% | | QLC | 3.3±0.3V | ±3% | --- ### 六、行业应用标准 #### 1. 消费级 vs 工业级 | 指标 | 消费级 | 工业级 | |-------------|---------------|----------------| | 工作温度 | 0-70°C | -40-85°C | | 保留周期 | 1年@40°C | 10年@55°C | | 校验机制 | 单层 ECC | 三重校验 | #### 2. 典型设备寿命 | 设备类型 | 存储类型 | 写入量限制 | |-------------|----------|------------------| | 智能手机 | UFS 3.1 | 150TBW/256GB | | 数据中心SSD | Z-NAND | 30DWPD/5年 | | 车载系统 | pSLC | 全盘擦写>10万次 | --- ### 七、故障预兆检测 #### 1. 性能劣化指标 - 写入速度下降 >30% - 读取重试次数增加 - ECC 纠错率超过 50% #### 2. 专业检测工具 ```bash # SSD 健康度检测 sudo smartctl -A /dev/nvme0 # 关键参数: # Percentage Used: 已消耗寿命百分比 # Media_Wearout_Indicator: 介质磨损指数 ``` --- ### 八、技术发展趋势 1. **3D NAND**:通过垂直堆叠将 P/E 周期提升 30-50% 2. **Z-NAND**:改进型 SLC,达到 10^6 次擦写 3. **XL-FLASH**:采用低延迟架构,耐久度提升 3 倍 --- ### 操作建议清单 1. **避免满盘运行**:保持至少 15% 空闲空间 2. **禁用 Swap 分区**:在频繁写入场景使用 RAM disk 3. **定期 TRIM**:使用 `fstrim -v /` 维护闪存性能 4. **温度监控**:确保工作环境 <70°C --- ### 附:寿命测试标准对比 | 标准体系 | 测试方法 | 加速因子 | |------------|---------------------------|---------------| | JEDEC JESD218 | 高温加速老化 (85°C) | 10X | | SNIA | 混合工作负载模拟 | 真实场景复现 | | IEEE 1621 | 电源故障循环测试 | 异常态压力 |
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