【产品推介】MEMS航姿测量系统KT-EX6-27-A

【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第十六篇 GPU 05 工艺(3) 序号工艺工序名称工艺步骤核心参数其他参数关键部件及原材料控制指标加工设备类型加工工艺/技巧1衬底准备​1.1 硅晶圆清洗 1.2 热氧化生长薄SiO₂层(1-5nm) 1.3 衬底温度稳定温度: 600-800°C 厚度: 1-5nm 表面粗糙度: <0.2nm晶向: (100) 晶圆尺寸: 300mm 掺杂浓度: 1-10 Ω·cm p型Si晶圆、O₂气体、清洗液(SC1/SC2)氧化层厚度均匀性(±0.1nm) 界面态密度(Dit)<1e10 cm⁻²eV⁻¹清 阅读详情

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      产品是由MEMS惯性测量单元,配合自主知识产权的航向姿态算法及互补滤波算法组成。系统采用MEMS器件温度误差补偿技术、互补滤波算法,可长时间保持姿态精度,适应各类复杂环境,可在动态环境下输出稳定、可靠的姿态信息。

▶ 产品特点 ◀

▉▋▎适应各类复杂环境

▉▋▎互补滤波算法可长时间保持姿态精度

▉▋▎小型化、低功耗、高可靠

▶ 参数指标 ◀

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【信息科学与工程学】【物理/化学科学和工程技术】知识体系04 热学 系列二01 尺度与速率:都涉及微纳尺度的热传递,并追求对热过程的快速、精确控制(RTP:秒级;芯片:毫秒级;NIL:秒级)。温度均匀性:是所有领域的核心目标。芯片要求空间温度均匀以保证性能与可靠性;RTP要求片内温度均匀以保证工艺一致性;热NIL要求大面积温度均匀以保证图案保真度。测量与控制的闭环:都严重依赖高精度、实时的温度测量(红外、热偶、噪声)和先进控制算法(PID、MPC、前馈)。材料的热响应:都涉及材料(硅、聚合物、界面材料)热物性(k, c_p, α, η)的精确表征及其对温度/过程的依赖性。多物理场耦合。 阅读详情

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