电磁规范、原型设计与物联网交互软件解析
1. 电磁规范与原型设计
在电磁领域,对于特定结构的吸收特性研究是关键。以一种曲折结构为例,其吸收光谱展现出独特的性质。当费米能级 (E_{F0} = 0.1) eV,迁移率 (\mu_m = 200) (cm^2V^{-1}s^{-1})((\tau = 2) fs)时,在 4 THz 处实现了完美吸收。此时,选用的衬底参数为 (\epsilon_r = 2.8),厚度 (d = 2.1) (\mu m)。
为了在纳米制造中控制间隙大小的同时调整石墨烯片的电阻,手指长度、单元和间隙大小之间存在近似关系 ((Nl_f + D)/g = p),其中 (N) 是一个正方形单元中的手指数量。使用相同质量的石墨烯((\mu_m = 200) (cm^2V^{-1}s^{-1})),当 (D = 5) (\mu m),(l_f = 3.6) (\mu m),(g = 250) nm 且 (N = 8) 时,能实现完美吸收。当费米能级从 0.1 eV 调至 1 eV 时,吸收水平从 100% 急剧降至 5%,该器件在自然状态((E_{F0} = 0.1) eV)下是完美吸收体,在偏置状态下则近乎是完美反射体。
常见的谐振超表面完美吸收体通常只在特定入射角下工作,在其他入射角下吸收率会显著降低。这是因为在不同入射角下,外部空间波的特性阻抗和共振结构的输入阻抗都会发生变化,导致阻抗失配。例如,TM 偏振光的阻抗会随着入射角的增加而下降,其关系为 (Z_0(\theta) = \eta_0 \cos \theta)。
为了实现全角度完美吸收,需要满足两个条件:
- 获得一个可调电阻层,以适应波阻抗的变化。在太赫兹频率以下,可以使
电磁编译器与超表面软件架构
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