BMS系统主要由前端采集芯片采集电路,MCU控制充放电MOS电路,FUSE保护电路构成
一.策略
1.欠压保护:
a.单体欠压保护(1级)电压2.8V,延时3s,只告警不保护,最低单体电压大于3.10V时恢复或充电电流大于0.8A时恢复。
b.单体欠压保护(2级)电压2.5V,延时3s,充电MOS:ON,放电MOS:OFF, 最低单体电压大于3.10V或充电电流大于0.8A时恢复。
c.处于单体欠压保护(2级)状态且有大于1A的放电电流,持续5s以上,熔断保险丝。
d.发生欠压保护(2级)时60S内没有达到恢复输出条件,充电开关:OFF,放电开关:OFF,进入休眠,外部开关重启或充电机电压到达后恢复。
2.过压保护:
a.单体过压保护(1级)电压3.62V,延时3s,只告警不保护,最高单体电压小于3.35V时或放电电流大于0.8A时恢复。
b.单体过压保护(2级)电压3.65V,延时10s,充电MOS:OFF,放电MOS:ON,最高单体电压小于3.35V或放电电流大于0.8A时恢复。·
c.处于单体过压保护(2级)状态且有大于1A的充电电流,持续5s以上,熔断保险丝。
3.温度保护:
a. 当电池包温度上升或者下降到过温或低温2级阀值时,MCU会控制MOS控制电路关闭充放电MOS,断开电池包输出端。
b.高温保护(1级)温度55℃,延时3s,只告警不保护
BMS系统故障保护策略与电路构成详解

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