硅突触:原理、电路实现与特性分析
1. 引言
突触在生物神经元之间起着连接作用,同样也能在硅神经元之间建立连接,是真实和人工神经网络系统中计算和信息传递的基本元素。在建模时,真实突触的非线性特性和动态变化对于软件模拟来说极为繁琐,而神经形态超大规模集成电路(VLSI)能够高效实时地重现突触动态。
生物突触主要分为电突触和化学突触,这里主要探讨化学突触。化学突触的工作原理如下:突触前膜和突触后膜被称为突触间隙的细胞外空间分隔。当突触前动作电位到来时,会触发钙离子(Ca²⁺)内流,进而导致神经递质释放到突触间隙。这些神经递质分子(如AMPA、GABA)会与突触后膜上的受体结合。受体主要有两类膜通道:离子配体门控膜通道(如AMPA通道,涉及Na⁺和K⁺离子)和离子配体门控与电压门控通道(如NMDA通道)。这些通道可以是兴奋性或抑制性的,即突触后电流可以使膜充电或放电。皮质中典型的受体有兴奋性的AMPA和NMDA受体,以及抑制性的GABA受体。突触后电流会引起突触后电位的变化,当该电位超过神经元胞体的阈值时,神经元就会产生动作电位。
描述突触神经递质动力学的框架由Destexhe等人于1998年提出。对于双态配体门控通道模型,神经递质分子T与突触后受体的结合遵循一阶动力学方案:
[R + T \underset{\beta}{\stackrel{\alpha}\rightleftharpoons} TR^ ]
其中,R和TR 分别是突触后受体的未结合和结合形式,α和β分别是递质结合的正向和反向速率常数。结合受体的比例r由下式描述:
[\frac{dr}{dt} = \alpha
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