44、太赫兹辐射与电子 - 声子相互作用研究

太赫兹辐射与电子 - 声子相互作用研究

在半导体研究领域，太赫兹辐射对半导体量子环（QRs）的影响以及电子 - 声子相互作用在环形纳米结构中的表现是两个重要的研究方向。下面将详细探讨这两个方面的研究内容。

太赫兹辐射对GaAs/GaAlAs半导体QRs的影响

研究聚焦于强太赫兹（THz）激光场对GaAs/GaAlAs半导体QRs的电子态和带内光学响应的影响。同时，也考虑了外部均匀电场和类氢施主杂质的存在。

• 激光场影响增强的效果 ：激光场影响的增强导致了限制能量的增加，并强烈影响了所有配置中电场的作用。在单激光修饰的QR中，线偏振光的吸收表现出对偏振方向的依赖。
• 杂质的影响 ：在单个QR中添加杂质仅导致吸收光谱的红移，且与偏振方向从x轴到y轴的变化无关。
• 耦合双量子环（CDQRs）中的效应 ：在CDQRs中观察到了线性和非线性量子限制斯塔克效应，这是由激光场对限制势的扭曲引起的。此外，仅通过增加激光强度就可以实现由横向排列的一对QRs模拟的分子的解离，从而绕过了结构尺寸或材料成分的内部干预。
• 能量谱的意外振荡 ：在QR分子中，能量谱对电场的依赖呈现出意外的振荡。

总体而言，强辐射对QRs有显著影响，表现为修改后的能谱和光学响应。这些发现有助于理解具有环形几何形状的半导体纳米结构中的激光修饰态，并为QRs在光电子应用中的潜力提供了进一步的证据。

环形纳米结构中的电子 - 声子相互作用