硬盘，flash，e2prom比较

硬盘，flash，e2prom总会提到扇区，簇，页，块之类的概念，到底是啥概念，他们之前有什么区别和联系？

一、硬盘介绍

       结构：需要了解内部结构，请看：http://blog.chinaunix.net/uid-23069658-id-3413957.html

       扇区：是硬盘上最小的存储单位，也即是说磁盘驱动器在向磁盘读取和写入数据时，要以扇区为单位，每个扇区大小约定为512字节。

       簇： 将逻辑上相邻的若干扇区组成在一起称为簇，它是window文件系统的基本单位。与其对应的linux 文件系统下称为块（block）。

二、flash :一个flash IC结构上可以分为多个块,一个块由多个扇区组成，一个扇区又可以为分为多个页。flash的编程特点是只能将1写为0，而不能将0写为1。所以在FLASH编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为1的过程。flash最小擦除单位是扇区，也可以以块，整个芯片为单位擦除。flash擦除后，可以单字节的写数据，也可以多字节的写。如果是多字节，则要按照页为单位进行写，也即要按照:发页地址-->一整页数据--->发页地址--->一整页数据.....>发页地址-->一整页或不足一页的数据  的方式来操作。读取flash数据时，它支持以任意地址（不超过芯片大小）开始读取数据，读取的长度也不受限制（不超过芯片大小）。

三、e2prom：e2prom与flash最大的区别是在于写。e2prom进行写操作时，不需要擦除。它可以单字节写，也可以多字节写，如果多字节写，操作类似flash有页的概念。操作方式也是按照：发页地址-->一整页数据--->发页地址--->一整页数据.....>发页地址-->一整页或不足一页的数据  的方式来操作。e2prom读操作与flash读操作相同，它支持以任意地址（不超过芯片大小）开始读取数据，读取的长度也不受限制（不超过芯片大小）。