FLASH-eeprom

eeprom不用擦除可直接写数据

掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的少量参数保存在EEPROM中,其擦除次数较Flash多,Flash用来做程序和一些掉电保护和不需修改的数据。

Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格),而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适,因为RAM需要能够按字节改写,而Flash ROM做不到。

FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,EEPROM在运行中可以被修改,而FLASH在运行时不能修改,EEPROM可以存储一些修改的参数,Flash中存储程序代码和不需修改的数据。 所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以,理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类,一类是Floating Gate Device, 一类是Charge Trapping Device。这里的分类标准主要是program 与 erase的机制的不同。

补充:

一:FLASH和E2PROM

1:相同点是两者都能掉电存储数据

2:区别:

1)FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作

2)FLASH写入时间长,EEPROM写入时间短

3)FLASH擦写次数少(10000次),EEPROM次数多(1000000次)

4)FLASH的电路结构较简单,成本低,EEPROM工艺复杂,成本高

二:单片机的数据存储器不能用FLASH,因为:

1:FLASH有一定的擦除、写入次数,一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次.

2:FLASH写入数据需要比较长的时间,大约需要4-6ms.而且写FLASH需要加上9V的高压,麻烦.

三:至于E2PROM,可以作为数据存储器,但是单片机如atmega128一般用RAM作为数据存储器,因为E2PRM工艺复杂,成本高,适合于存储掉电保护的数据,而这类数据往往不需要存储太多.所以一般的单片机都没在内部集成E2PROM,需要的时候,可以让单片机外挂24C01一类的串行E2PROM.

<think>好的,用户想知道如何将X-CUBE-EEPROM移植到其他项目或平台,特别是STM32Cube环境下。首先,我需要回忆一下X-CUBE-EEPROM的基本情况。根据引用[1],这个扩展包是用于模拟EEPROM的,通过软件在Flash上实现类似EEPROM的功能。用户可能已经在某个项目中使用过,现在想迁移到其他平台,比如同的STM32芯片或项目结构。 接下来,我需要考虑移植的基本步骤。通常,移植ST的Cube扩展包需要检查硬件兼容性,确保目标MCU在支持列表中。引用[3]提到的是STM32G030C8T6使用M24C08的EEPROM,但这里用户是想用软件模拟,所以需要确认目标芯片的Flash结构是否兼容,比如页大小、擦次数等。然后,用户需要将扩展包的文件添加到新项目,可能需要通过CubeIDE的软件包管理来安装,如引用[2]所述,通过Help->Manage Embedded Software Packages来添加X-CUBE-EEPROM。 然后是配置步骤,用户可能需要调整Flash的分配,避免与其他部分冲突。例如,EEPROM模拟通常需要保留部分Flash扇区,这涉及到链接脚本的修改。此外,初始化代码可能需要根据新的硬件进行调整,比如时钟配置或者引脚分配,如果原来的示例代码使用了特定引脚,可能需要修改为当前项目的引脚。 接下来是代码移植。用户需要将示例代码中的API调用整合到自己的项目中,比如初始化函数、读函数。同时,测试环节很重要,需要验证读是否正确,特别是在同的擦周期下是否稳定。引用[3]中的例子是使用硬件I2C,但这里用户是软件模拟,所以需要注意时序和接口的同。 用户可能遇到的问题包括Flash配置错误、地址冲突或者API使用当。需要提醒用户注意这些点,并建议逐步调试,比如先测试初始化,再测试单字节读,最后进行压力测试。 最后,生成相关问题需要考虑用户可能进一步的需求,比如性能优化、兼容同型号的STM32,或者错误处理的方法。这些问题可以帮助用户深入理解移植过程中可能遇到的挑战,并找到解决方案。</think>### X-CUBE-EEPROM 移植方法 #### 1. **硬件兼容性检查** - 确认目标STM32型号是否在X-CUBE-EEPROM支持的芯片列表中(如STM32G0/F0/L0等系列)[^1]。 - 检查目标芯片的Flash容量和扇区划分是否满足EEPROM模拟需求(需至少保留两个Flash扇区用于数据存储)。 #### 2. **扩展包集成** - 在STM32CubeIDE中,通过`Help > Manage Embedded Software Packages`安装X-CUBE-EEPROM扩展包[^2]。 - 将以下核心文件添加到工程: - `eeprom_emul.h/c`:EEPROM模拟核心逻辑 - `flash_interface.h/c`:Flash底层驱动接口 ```c // 示例:初始化EEPROM模拟 EE_Status EE_Init(EE_FlashSector start_sector, uint32_t nb_sectors); ``` #### 3. **Flash配置调整** - 修改链接脚本(.ld文件),保留指定Flash区域: ``` MEMORY { EEPROM_EMUL (rx) : ORIGIN = 0x0800F000, LENGTH = 4K } ``` - 配置Flash接口参数(扇区大小、擦除时间等): ```c FLASH_EraseInitTypeDef erase_init; erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; erase_init.Page = EEPROM_START_SECTOR; ``` #### 4. **API调用示例** ```c // 初始化 if (EE_Init(EEPROM_START_SECTOR, 2) != EE_OK) { Error_Handler(); } // 入数据 uint16_t var1 = 0x1234; EE_WriteVariable(0x01, var1); // 0x01为虚拟地址 // 读取数据 EE_ReadVariable(0x01, &var1); ``` #### 5. **关键配置项** | 参数 | 说明 | |-------------------|-----------------------------| | `EE_VIRTUAL_ADDRESS_SPACE` | 虚拟地址空间大小(默认2048) | | `EE_FLASH_BANK` | 使用的Flash Bank编号 | | `EE_ERASE_TIMEOUT` | 扇区擦除超时时间(ms) | #### 6. **移植验证步骤** 1. 执行Flash寿命测试(至少1000次循环) 2. 验证跨扇区切换时的数据持久性 3. 监测电源异常时的数据恢复能力 --- ###
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