FPGA(SDRAM_init_set)

最新推荐文章于 2024-06-20 17:31:23 发布

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本文详细介绍了SDRAM芯片的初始化过程，包括SDRAM芯片各引脚的功能、常用的命令、内部状态转移，以及配置流程。强调了上电后的延时、预充电、自动刷新等关键步骤，解析了模式寄存器的设置方法，包括突发长度、突发类型、延时的选择。

SDRAM_init

SDRAM芯片各引脚及功能
SDRAM常使用的命令
SDRAM芯片内部状态转移图

注：1-粗线为自动跳转。2-细线为手动跳转
开始配置
SDRAM上电后需要保持100us的延时时间，并且在这段时间内不允许做任何操作，也就是说这段期间内需要给SDRAM发送NOP( No operation )空操作命令。在100us延时过后，需要给出Percharge(预充电 )命令对所有Bank进行预充电。这样可以将芯片内部的状态机跳转到IDLE状态，在IDLE状态内需要连续给出两个AUTO refresh(自动刷新)命令，当两个命令结束后才能够设置模式寄存器(MODE register set)。
模式寄存器需要根据需要来设定

Burst Length(突发长度):SDRAM可以进行突发“读”或突发“写"。以突发写为例子，假如当前突发写长度为4，在写入数据时只需要给出写的首地址，再连续给出需要写入的4个数据，第一个数据会写入首地址，第二个数据会自动写到下个地址以此类推。
Burst Type(突发类型）：突发类型一个有两种类型，顺序型和交错型，建议使用顺序型。
CAS Latency(延时)：为了采样得到更准确的数据建议选择延时2.
OP Code：选择突发“读”和突发“写”模式。
这样SDRAM模式寄存器基本设置完成。
SDRAM初始化波形图

波形图是根据芯片手册得到的，波形图中的延时是厂家提供参考使用的，但在实际使用中个人建议把延时再加长一些，例如芯片上电延时100us能够改成200us或者其它时间也行，但必须大于或等于厂家提供的100us，否则芯片设置失败。
SDRAM代码

以上是SDRAM初始化配置及代码，如有错误的地方还望大神们之处。谢谢！