时钟与数据恢复电路设计及性能分析
1. EDET信号问题及解决
EDET信号可能会上升。若未上升,该边沿信息仅用于单次数据采样,随后消失。此问题可通过增加EDET脉冲的持续时间来解决,具体是通过增加延迟线的延迟实现。不过,这会导致恢复时钟的占空比失真,因此需要找到两者之间的最佳平衡。这个最佳平衡取决于延迟线延迟的可变性,也可通过在模型中添加延迟失配来模拟。这体现了将统计模拟与时域模拟相结合的优势,两种抽象层次在完整的设计流程中都起着重要作用。
2. 晶体管级设计
2.1 电流模式逻辑单元
门控振荡器时钟和数据恢复电路采用电流模式逻辑(CML)单元实现。传统CMOS逻辑设计风格在高速运行时有诸多缺点:
- 负载相当于两个栅极电容。
- 信号摆幅为VDD。
- 功耗与fCLK²成正比。
- 在工作频率处会产生电源和衬底噪声。
而CML单元具有以下优点:
- 输入电容降低。
- 电源和衬底噪声更低。
- 对环境干扰(电容或磁串扰)的敏感度降低,因为其路由信号摆幅小,进而也减少了电容耦合效应。
- 一个两级CML门可以执行多种逻辑操作,仅取决于每个最高级的输入节点和输出节点的路由。
根据相关研究,差分信号电流模式逻辑单元在可比功耗下的运行速度约为传统CMOS单元的两倍。尽管在大型设计中,由于路由约束增加,线负载会增加,但这种逻辑系列仍具有速度优势和其他额外好处。
2.2 低功耗CDR设计
CDR中的四级电流控制环形振荡器采用电流模式逻辑(CML)门构建。在振荡器的情况下,差分环形振荡器在过零瞬间附近
超级会员免费看
订阅专栏 解锁全文
1429

被折叠的 条评论
为什么被折叠?



