《炬丰科技-半导体工艺》MEMS制造中微结构的UV固化压印光刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MEMS制造中微结构的UV固化压印光刻

编号：JFKJ-21-403

作者：炬丰科技

摘要

   压印光刻作为一种制造微机电系统的新方法越来越受欢迎。IL 的主要优点是其极低的设置成本、高复制精度和扩展的制造关键尺寸。与传统的光刻相比，IL具有能够制作高深宽比的复杂图案结构的优势。然而，热和负载误差会降低图案传输保真度。本文在IL工艺中采用UV固化方法，可以避免工具的热变形。此外，还开发了将模板压入抗蚀剂膜的六步加载过程。该工艺的性能包括：加载轨迹连续且精度非常高（10nm），压力释放控制（精度高达1 psi）可以减少和避免模板结构和舞台支架的变形。该工艺可以实现厚度为20nm的残留层，并避免弹性印章变形（20nm以下）同时。压力可达 300 psi 6 cm2 模型尺寸，但脱模过程中的摩擦力可以降低到 30 psi。实验结果表明，这是一种新颖且稳健的工艺，在微/纳米结构制造中具有高保真度。

介绍

  由于微机电系统 (MEMS) 的最新进展，已经对制造工艺和工具（例如 UV、X 射线、离子、电子束光刻和相应工具）进行了许多研究。在过去的十年中，如何制造具有高深宽比的 MEMS 三维结构备受关注，因为该制造方法一直采用集成电路（I