《炬丰科技-半导体工艺》 硅晶圆湿式清洗浴技术工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅晶圆湿式清洗浴技术工艺

编号：JFKJ-21-184

作者：炬丰科技

摘要  

    为了有效、快速地清洁半导体硅片表面，流体流动是其中一个重要办法，湿式批量硅片研究了一种由双管组成的超薄喷水喷嘴清洗浴，基于理论计算和实验。一个超薄内胎放在喷水嘴中的最佳位置。这样一个简单的设计可以注水方向正常，水速度沿剖面对称喷嘴。使用蓝色墨水示踪剂观察湿清洗浴中的水流。当在本研究中开发的喷嘴被放置在底部在浴池中，在和之间形成了快速而对称的向上的水流在晶圆。  

关键字 ： 硅片，湿式清洗浴，注水喷嘴，水流  

介绍  

半导体电子器件是以半导体材料为原料，经热加工、化学加工和机械加工而成。为了保持材料表面的清洁，湿法清洗是最常用的方法之一。对于半导体硅晶片生产而言，间歇式晶片清洗槽非常适合通常用于经济原因。为了进一步减少时间和成本对晶圆清洗及其物理、化学和工程进行研究和优化在细节。需要注意的是，清洗浴中的水流仍为一最重要的工程问题晶圆的清洗过程使用各种化学药品和超纯水，经常与超声波，水和化学物质从位于浴槽中的喷嘴注入。液体应充分通过所布置晶圆之间的空隙以便从晶圆片表面分离和去除颗粒和杂质。交叉污染经常发生由于再循环。因此，华林科纳等人研究了化学供应的各种方式，如改变通过具有不同空间的晶圆，化学物质的总供给量及其间隔他们之间。为实现有效和快速的清洗过程，提高著名的现有研究的结论，任何有关洗澡的问题都应该小心充分设计。因为任何污染都应该顺利地从浴槽中，应实现单向水流而不进行再循环。  

实验的程序   略

数值模拟   略

结果与讨论 略