华林科纳对硅表面的疏水性对HF-last湿化学处理过程中水迹形成影响的研究

本研究考察了这些HF最终工艺对干燥后南水标记的生成有何影响。 通过对Teflon、SiO2、Silicon分别进行适当的清洗步骤，制备了具有亲水性和疏水性表面的试样，然后用动态接触角度分析器(DCA)分析了各试样的接触性。这样准备的每个具有不同接触性的诗篇上滴下10ul的超纯水(18.2M0-cm)，然后在30 ℃、N2和O2气氛中干燥，故意生成了water mark。将生成的水标记的大小与接触角和干燥气氛相关联，进行了比较分析。

清洗后测量的接触角等于表1，接触角测定结果表明，HF处理的硅和Teflon表现出大接触角的疏水性，SiO2和HF未处理的硅表现出低接触角的亲水性，针对这些不同接触性的诗篇，将O2和N2中残留在高敌人诗篇表面的水滴干燥后，在亲水性和疏水性的诗篇母豆中产生了water mark，但是，如图1所示，在初始水滴和水标记大小的差异值上，对于其他诗篇，N2和O2的差异值，值为0.2毫米左右，几乎没有差异，而HF处理的硅的差异为0.8毫米，可见其表面与O2产生了某种化学反雄，另一方面，故意将直径为2.04uma的球形聚天龙颗粒塞进水滴内，观察水滴照射后这些颗粒的分布情况。

结果，疏水性的诗篇将这些粒子密集在一起，形成了一个致密的团，而在亲水性的情况下，这些粒子分布得很广。分析认为，水滴内存在的异物根据表面状态(表示不同的接触性)的不同行为，结果产生不同方面的水标记。