从5G到6G:相变材料开关在未来通信中的应用
1. 不同射频开关技术对比
在射频(RF)开关技术领域,存在多种不同的技术类型,它们各有优劣。
- PCM GeTe开关 :具有宽带操作频率、低插入损耗和微型管芯尺寸等优点。与当前最先进的基于半导体的RF开关相比,PCM GeTe开关的非易失性功能在保持开关状态时无需消耗任何静态直流电源。
- RF - MEMS开关 :如Menlo Micro公司的MM5130型号,可处理高达44 dBm的连续波RF功率,三阶截点(IIP3)高达95 dBm,但尺寸较大,需要90 V的高偏置电压。
- 磁继电器 :具有出色的RF性能、锁存功能和卓越的功率处理能力,但工作频率最高仅达18 GHz,可靠循环次数为300万次,开关时间较慢,为7 ms,且尺寸相对较大。
- GaAs MMIC和CMOS开关 :在短开关时间和低控制电压要求方面表现出色,但与其他技术相比,RF性能有所欠缺。
不同开关技术的优缺点总结如下表所示:
| 开关技术 | 优点 | 缺点 |
| ---- | ---- | ---- |
| PCM GeTe开关 | 宽带操作、低插入损耗、微型尺寸、非易失性 | - |
| RF - MEMS开关 | 高功率处理、高IIP3 | 尺寸大、高偏置电压 |
| 磁继电器 | 出色RF性能、锁存功能、高功率处理 | 频率受限、开关慢、尺寸大 |
| GaAs MMIC和CMOS开关 | 短开关时间、低控制电压 | R
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