68、有机忆阻器件与基于波的多数门研究

有机忆阻器件与基于波的多数门研究

1. 有机忆阻器件研究概述

有机忆阻器件在生物启发应用领域展现出巨大潜力，众多研究围绕其原理、特性及应用展开。忆阻器最初由L. O. Chua于1971年提出，被认为是缺失的电路元件。2008年，D. B. Strukov等人宣称找到了缺失的忆阻器。此后，关于忆阻器的研究不断深入，涉及多种材料和应用场景。

1.1 忆阻器材料研究

• 无机材料 ：如稀土氧化物Gd₂O₃薄膜、钛氧化物薄膜、氧化铈薄膜等，在忆阻应用中展现出不同的特性。例如，X. Cao等人研究了Gd₂O₃薄膜的无形成共焦电阻开关效应，可用于忆阻应用；F. Argal研究了钛氧化物薄膜的开关现象。
• 有机材料 ：聚对苯撑乙烯（PANI） - 聚环氧乙烷（PEO）结等有机材料构成的混合电子器件也被广泛研究。V. Erokhin等人在这方面开展了多项工作，如基于PANI - PEO结的混合电子器件研究，以及对聚苯胺基有机忆阻器件的电化学模型研究等。

1.2 忆阻器特性研究

• 电阻开关特性 ：许多研究关注忆阻器的电阻开关特性及其影响因素。A. Younis等人研究了氧化铈薄膜中氧含量对电阻开关特性的主导作用；S. La Barbera等人探讨了丝状开关与突触可塑性的关系。
• 突触可塑性 ：忆阻器的突触可塑性在神经形态计算中具有重要意义。M. Prezioso等人研究了金属氧化物忆阻器的自适应尖峰时间依赖可塑性；D.