
NVMe开发
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-飞鹤-
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NVMe开发——NAND Flash的基本原理
当栅极(Gate)和P型衬底接通电源时,因为电场的缘故,P型半导体中的电子都往氧化绝缘层靠近,当绝缘层附近的电子足够多时,两个N型半导体之间的电子通道(N沟道)就形成了,两个N型半导体和中间的电子通道相当于一整个N型半导体。读0和读1会有两个阈值电压,先在栅极施加读0的阈值电压,检测是否导通,如果导通,输出1,结束。擦除之后读,因为浮栅层的电子全部释放回了P型半导体中,这时在控制栅加10V电压,P型半导体中的电子会聚集到N型半导体之间形成电子通道,源极和漏极之间接上电源,会导通,此时表示读到‘1’。原创 2024-03-22 17:47:11 · 2706 阅读 · 0 评论 -
NVMe开发——MTBF介绍
NVM存储器的失效率是如何评估的呢?阿伦尼乌斯公式如何得来的?半导体加速因子又是如何计算的?MTFS计算公式又是如何推导出来的?原创 2024-02-26 18:12:58 · 2699 阅读 · 0 评论 -
NVMe开发——PCIe配置空间和地址空间
PCIe支持不同功能的设备,不同的设备其需要操作的内存大小也不同,为了更方便地实现这一种,BAR(Base Address Registers)产生了。为此,提出了一个新的增强配置访问机制,即将每个功能的配置空间映射到设备的256MB空间中,按4K对齐来分配访问。PCI的256字节信息不够PCIe使用,所以PCIe在此基础上将配置空间扩展到4K字节,如下图中列出了一些主要的扩展寄存器。Capabilities是一组描述PCIe设备功能相关的结构,它是一个链式的结构,一个指向下一个,直到最后。原创 2024-03-04 18:04:27 · 4934 阅读 · 1 评论 -
NVMe开发——PCIe复位
简介PCIe中有4种复位机制,早期的3种被称为传统复位(Conventional Reset)。传统复位中的前2种又称为基本复位(Fundamental Resets),分别为冷复位(Cold Reset),暖复位(Warm Reset)。第3种复位为热复位(Hot Reset)。第4种复位被称为功能级复位(Function Level Reset),出现在PCIe 2.0规范中。传统复位。原创 2024-03-01 19:39:01 · 4570 阅读 · 0 评论 -
NVMe开发——PCIe电源管理
PCIe电源管理详细描述了与PCI总线PM接口规范和高级配置和电源接口(ACPI)兼容的PCIe功耗管理。PCIe定义了对PCI-PM规范的扩展,主要关注链路电源和事件管理。还概述了OnNow计划、ACPI以及Windows操作系统的相关性。原创 2024-03-01 19:35:49 · 4133 阅读 · 0 评论 -
NVMe开发——PCIe基础
PCI(Peripheral Component Interconnect),外设组件互连。PCI是一种并口总线标准,对比其之前的其他总线,PCI因其速度快、支持即插即用,中断共享等特性,占领计算机总线标准近20年。随着CPU以及外设的速度要求越来越高,PCI总线愈发显得有心无力。PCI因为是并口,在高速信号传输中,因为信号质量问题,以及信号同步问题,并口解决这些问题的成本高,难以为继。在这个时候,PCI的替代者PCIe出现了。原创 2024-03-01 19:28:37 · 2751 阅读 · 0 评论