20、视觉运动感知中的工艺参数与芯片规格解析

视觉运动感知中的工艺参数与芯片规格解析

1. AMS 0.8 µm BiCMOS 工艺概述

AMS 0.8 µm BiCMOS 工艺是一种混合模拟/数字工艺，它具备实现通用 npn - 双极晶体管的能力。该工艺提供了两层金属层和两层低欧姆多晶硅层，用于形成多晶硅/多晶硅电容器。其衬底采用受主掺杂（p - ），而栅极则由重施主掺杂的多晶硅（n + ）构成。此工艺可通过 Europractice（www.europractice.com）提供的多项目晶圆（MPW）服务获取。

1.1 关键工艺参数

以下是该工艺的一些重要参数：
|参数|NMOS|PMOS|单位|
| ---- | ---- | ---- | ---- |
|有效衬底掺杂|74 × 10¹⁵|28 × 10¹⁵|cm⁻³|
|最小绘制栅极长度|0.8|0.8|µm|
|氧化层厚度|16|16|nm|
|阈值电压 20/20|0.80| - 0.84|V|
|跨导|100|35|µ A/V²|
|体因子 20/20|0.74|0.45|√V|

对于双极晶体管，其 NPN 的 Beta 为 100，Early - 电压 VEarly 为 32V，渡越频率 Ft 为 12GHz。薄氧化层多晶硅/多晶硅电容器的值为 1.8 fF/µm²，工作电压范围是 2.5 - 5.5V。

1.2 工艺参数的影响

这些参数对于电路的性能有着至关重要的影响。例如，有效衬底掺杂会影响 MOSFET 的阈值电压和导通特性；氧化层厚度则与栅极电容相关，进而影响晶体管的开关速度；跨导决定了晶体管对输入信号的