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RAMSUN提供的存储SPI NOR Flash以其合适的容量、灵活的存取操作、及其非易失性产品特性，非常适合作为智能设备的指令程序存储器。随着5G、IOT、AMOLED、TDDI、TWS及汽车电子等应用市场快速发展，NOR Flash的需求保持持续的增长动力。可以覆盖从消费级，到工业级，直至汽车级的所有应用，产品在可靠性，功耗，温度和速度等关键性能指标方面达到国内外前沿水准。并且，拥有四种不同电压范围，分别为3V、1.8V、1.2V以及针对电池供电应用推出的1.65V~3.6V宽压供电的产品系列；

整个ADAS系统对NOR Flash的需求则更大。RAMSUN提供的聚辰SPI NOR Flash产品相较于市场同类产品，具有更可靠的性能和更强的温度适应能力，耐擦写次数提升到20万次以上，数据保持时间超过50年，适应的温度范围达-40℃-125℃，ESD可达6.5KV，并在功耗、数据传输速度、LU等其他关键性能指标方面达到国际前沿水平，极具市场竞争优势。NOR Flash在汽车中的应用主要集中在几个方面：包括仪表盘、中控多媒体屏、ADAS和外围的摄像头等，并且因为其用量很大，所以市场正呈现快速增长趋势。

RAMSUN提供的32Mb位串行NOR闪存GT25Q32A，支持标准串行外围接口（SPI）、高性能双/四路输出以及双/四线I/O SPI。页面可以按4组、16组，128组、256组。伴随着音视频技术、通信技术和AI技术的发展，消费类电子设备越来越多样化、智能化，使人们的生活更加便利和丰富，在消费电子产品上的投入也不断增加。聚辰的SPI NOR FLASH广泛用于数码设备、智能家居及可穿戴型智能设备中，用于实现数据记录、互联交互等功能，不断提升用户体验。使用的SPI NOR FLASH具有高可靠性；

主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、loT、汽车电子、可穿戴设备、安全监控、人工智能等方面。其中，智能可穿戴、AMOLED屏幕、手机摄像、lot设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实等都有很大的增长空间。NOR闪存擦除数据仍基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅底层），但在写入数据时采用热电子注入方法（电流从浮置栅极到源极）。在NOR闪存中，每个存储模块的一端连接到源极，另一端连接到类似NOR门的位线。NOR FLASH属于非易失性存储，NOR读取速度快，适用于可擦除写入，作为代码存储的关键器件。

分享一款容量8Mb位串行NOR闪存，阵列被组织成4096个可编程页面，每个页面256字节。在单个1.65V至3.6V电源上工作，活动电流消耗低至1mA，断电时消耗0.1μa。

TWS蓝牙耳机必须配备NOR Flash，因为它有更多的功能。为了存储大量的固件和代码程序，需要外扩一个SPI NOR Flash。随着TWS蓝牙耳机功能的进一步增加，它需要更多的存储容量。

RAMSUN NOR Flash广泛应用于5g基站、wifi模块、有线和无线通信设备等领域，为用户提供可靠的数据存储和温度监控方案，确保客户设备的安全可靠运行。

Flash Memory是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中，则主要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大部分的U盘、SDCard等移动存储设备也都是使用FlashMemory作为存储介质。根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。主要的差异如下所示：NAND FLASH读取速度与NOR Flash相近，根据接口的不同有所差异；NAND FLASH的写入速度比NOR Flash快很多；NAN

随着5G+AIoT的兴起，5G技术引领的新基建、工业、车载市场、PC/NB BIOS以及AI助力智慧城市等各类IoT应用不断扩展，代码的复杂性也显著加大。作为保证数据安全性和可靠性的代码式存储，大容量NOR Flash的市场规模也因此快速增长。国产代码型存储突破不断，喜讯频传。近日芯天下隆重推出高容量、高性能、高可靠性的3.3V 256Mbit XT25F/BF256B系列NOR Flash产品。该系列产品采用成熟工艺，具备读取速度快、可执行代码、高可靠性等特性，是存储系统代码及应用数据的理想之选。产

FLASH闪存是一种非易失性内存，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash存储器结合了ROM和RAM的长处且具备电子可擦除可编程的性能，还不会因断电而丢失数据，具有快速读取数据的特点。Flash总类可谓繁多且功能各异，而你对它了解有多少呢？本篇文章存储芯片供应商英尚微电子带大家一起来看看。SPI NOR FLASHSPI Nor Flash，采用的是SPI 通信协议，有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者

2021年全球存储产品全线提价。2月底的DRAM、内存模块、NAND FLASH、NOR Flash等的价格均出现调涨。以内存的价格为例——DRAMeXchange数据显示，截至今年2月3日，8Gb DDR4内存颗粒报价达到3.93美元，去年8月的报价仅为2.54美元。去年下半年因疫情管控、停电、产能紧张、超额预订等问题突显，加上晶圆代工产能吃紧、原厂释放到SSD渠道市场的NAND Flash资源较少、大厂增加了备货库存……诸多因素叠加，对产能产生了排挤效应。随着PC、5G手机、汽车、数据中心对存储性能和

NOR Flash和NAND FLASH是目前两种主要的非易失闪存技术。NAND FLASH具有“容量大、单位容量成本低”等特点是高数据存储密度的理想解决方案。而NOR Flash“读写速度快、可靠性高、使用寿命长”，多用来存储少量代码。近一两年的NOR Flash市场得到了飞速增长。该增速主要得益于汽车电子和物联网、5G和智能手机及其周边（如TWS耳机和可穿戴式设备）等需求的推动。存储芯片供应商英尚微介绍主要带给NOR Flash市场增量的几大应用领域：（1）消费电子：智能手机及周边设备也催生了大量需

TWS蓝牙耳机不需要有线连接，左右2个耳机通过蓝牙组成立体声系统，听歌和通话及佩戴都得到了提升。真无线蓝牙耳机外部完全摒弃了线材连接的方式，并且主机能够单独工作和免提通话尽在掌握。真正无线耳机可实现单双耳佩戴。TWS耳机主要包括两个无线耳机和一个充电盒，从零组件构成来看，无线耳机主要包括主控蓝牙芯片、存储芯片、音频解码器、各种传感器、柔性电路板FPC和电池等；充电盒部分主要包括微控制器、电源管理IC、过流保护IC和锂电池等。主控蓝牙芯片解决TWS耳机传输及音质问题的关键在于蓝牙技术与音频编解码技术发展，

在设计使用NAND FLASH的系统时选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。NAND FLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型，低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性和密度以及性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。闪存概述闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外

汽车应用需要合格的存储设备，这些设备将在承受极端温度的嵌入式环境中持续较长时间。这就是norflash继续寻找新机会的原因之一。例如需求由电信的可靠性要求驱动。这是较大的业务之一，他们仍在使用NOR闪存，因为它仍然是可靠的非易失性存储器。即使协议从4G变为5G，许多底层硬件在技术上也保持不变。然后降低了向新存储技术过渡所固有的风险。当您使用新界面或新技术时，必须重写所有内容。 还看到了围绕小密度存储器进行创新的大量机会，这不仅是因为它们在逐位的基础上具有成本效益，还因为即使密度增加且接口运行速度更快，许

flash存储器的工作原理　　flash存储器又称闪存（快闪存储器），是一种电可擦可编程只读存储器的形式，是可以在操作中被多次擦或写，EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS 、数字照相机等的存储卡中都使用闪存。flash存储器的主要特点是在不掉电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言flash存储器属于EEPROM（电擦除可编程只读存储器）类型。它既...