EVERSPIN的博客

MRAM还具有低功耗、长寿命和高可靠性的优点。最后，由于MRAM的数据存储不依赖于电荷，因此它不受辐射和电磁干扰的影响，具有较高的数据可靠性。RAMSUN提供的MRAM存储芯片通过利用磁性材料的特性来存储数据，确保了数据在断电后依然能够保持，从而解决了传统RAM在断电后数据丢失的问题。同时，MRAM的读写速度极快，远超过传统的硬盘和闪存，使得平板电脑在处理复杂任务和大型应用时能够表现出更加出色的性能。MRAM结合了传统RAM的高速读写能力和硬盘的非易失性存储特性，为平板电脑引入了先进的存储体验。

此外，它还支持块写保护，拥有快速且简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz，工作电压范围为2.7至3.6伏，并具备低电流睡眠模式。该产品符合工业温度标准，并提供8引脚DFN封装或符合RoHS标准的小标志包装，可直接替换现有的串行EEPROM、闪存和FeRAM。该设备提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，无写延迟，并且其读/写寿命是不受限制的。该产品能在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储，支持工业级（-40°至+85℃）和AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）的工作温度范围。

写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以便进行远程诊断和修复。MRAM非易失性支持增强的数据中心故障恢复，减少了系统停机时间并降低了总拥有成本。此外，没有负载均衡或ECC开销的MRAM的快速写入时间简化了系统设计。MRAM的性能、高耐用性和非易失性使戴尔能够提供行业领先的RAID服务器，增强数据中心故障恢复能力，减少系统停机时间并降低总拥有成本。RAID控制器应用中的MRAM是快速写入，能够实时存储数据，并且在工作温度范围内保持20年不变。不需要外部电池或电容器。

但是，由于写入性能差和写入能耗高，NOR闪存通常不适合中等写入工作负载。NAND闪存也可用于提高写入性能，但由于坏块和软错误管理，它会带来额外的复杂性。如果固件映像以磨损块结束(如果使用了适当的磨损均衡，这可能会发生)，这可能会成为一个问题。RAMSUN提供的Everspin xSPI STT‐MRAM在代码和数据整合的应用场景中，应用程序代码和少量数据存储在同一个内存芯片中。文件系统可用于存储数据，也可能用于存储固件，但经常会使用原始访问。它具有极高的写入速度、低写入能耗和几乎无限的写入耐久性。

Netsol还考虑了用户的便利性，通过保持与NOR Flash的兼容性，使NOR Flash用户能够无缝过渡。此外，即使在超过十年的125摄氏度的高温下，数据保留仍然是健壮的，不受写入周期数量的影响。这一创新技术克服了NOR闪存的续航能力差和写入速度慢的问题，旨在满足汽车应用不断发展的需求。RAMSUN提供的MRAMNetsol基于性能设计，其MRAM支持快速数据读写操作，支持Octal SPI (OPI)，工作频率高达200MHz，数据传输速度高达400MBps。

基于Everspin独特的STT-MRAM技术的行业首款xSPI串行接口是唯一一款商用持久性存储器，通过8个时钟频率为200MHz的I/O信号提供每秒400兆字节的完全读写带宽。新的扩展EMxxLX系列器件提供了性能、耐用性和保持力的最高组合，现在提供4到64兆位的密度，并为4到16兆位产品提供了新的更小的封装。除了新的容量和更小的封装，Everspin还在从40℃到105℃.的EMxxLX产品中提供扩展的温度范围。它们继续提供极高的耐用性，保持与其他存储器类型的兼容性，并且易于集成到客户的设计中。

Everspin非易失MR0A16A是一个容量为1Mb的存储芯片，位宽64K x 16，提供与SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的续航能力。数据在超过20年的时间内始终是非易失性的。是快速永久存储和检索关键数据和程序的应用程序的理想内存解决方案。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。•一个存储器取代FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM在系统中实现更简单、更高效的设计。•可提供符合RoHS的TSOP2和BGA封装。•通过更换电池支持的SRAM提高可靠性。

BMS实时采集、处理、存储电池模组运行过程中的重要信息，与外部设备如整车控制器交换信息，保障锂电池系统的安全可靠运行。BMS是一个极其复杂的系统，不同的行业BMS也不一样，涉及机到的芯片也不同。产品包含MOSFET,驱动芯片，CAN收发器，MCU,传感器，转换器，电源管理芯片，安全和存储芯片等。存储芯片MRAM是适合用于数据记录设备中的一款非易失性存储器，可以持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。系统内外部发生的事件；BMS的主要功能是对电池组进行监测、保护和控制，以确保电池组的安全、稳定和长寿命。

MRAM是一种新型非易失存储器，采用电子的自旋属性表征数据信息的存储及传输，具备高速读写、低功耗、高密度、耐擦写、宽温区和抗辐照等优势，被广泛认为是下一代非易失存储芯片的理想选择。在汽车应用上面，Netslo MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本，保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。-容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb。-具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI。

数据始终是非易失性的，该设备可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的续航特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。商业（0℃至70℃）和工业（-40℃至85℃）工作温度范围。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

例如S3R4016V1M 4Mbit的STT-MRAM存储芯片，MR2A16A提供与SRAM兼容的70ns读/写时序，具有无限的续航能力。数据在超过10年的时间内始终是非易失性的。非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序，因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。随着汽车的电子化，对满足汽车恶劣驾驶环境、快速耐用的非易失性解决方案的需求正在逐渐增加。MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性，是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器，最为理想。

新的安全气囊系统还具有传感器，用于检测和记录乘客的体重，与车辆上其他安全装置的相互作用以及碰撞的影响。它们适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器，并可以取代具有相同功能和非易失性的Flash、FeRAM或nvSRAM。其中一些应用程序需要具有非常快的写入能力，并且需要是非易失性的。MRAM还在企业存储中找到了一席之地，例如IBM的闪存核心模块，其中Everspin的MRAM用作意外断电时的缓冲区。许多系统使用电池供电的SRAM，并且在电池使用方面存在固有的可靠性问题。

MR10Q010 Quad SPI MRAM是必须使用少量引脚、低功耗和节省空间的16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用程序的理想内存解决方案。Everspin在设计制造MRAM和STT-MRAM、xSPI MRAM等方面处于翘楚，进入数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用。凭借MRAM和STT-MRAM产品部署在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场。Everspin串行SPI MRAM是必须使用最少引脚数快速存储和检索数据和程序的应用程序的理想存储器。

RAMSUN提供的MRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。nvSRAM是通过将标准的6晶体管SRAM与每个单元中的非易失性EEPROM存储元件相结合来构建的。Everspin MRAM是使用一个简单得多的1晶体管、1磁性隧道结单元构建的。使用MRAM的每次写入都是即时非易失性的，至少持续20年。消除了外部组件、高度可靠的数据保留和35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Everspin MRAM成为在不影响系统性能的情况下取代nvSRAM的可行候选者。125℃条件下的数据保留期优于20年。

非常适合任务关键型数据记录应用，如需要高可靠性控制和吞吐量的高性能可编程逻辑控制器（PLC），或增强生命的患者监测设备和BMS（电池管理系统）持续确认电池状态。

工业设备通常即使在恶劣的操作环境中，也需要防止数据丢失和长期保存数据。数据还必须保证在停电时快速安全地获得备份。能够充分执行该作用的存储器，在工业设备中至关重要。

Netsol的SPI STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限耐用性。医疗器械理想的存储器用于快速存储、检索数据和程序的应用程序，至少应用于数量引脚。它具有优异的性能和非易失特性。

智能电表通过各种有线和无线网络传输电表数据，使电力公司能够准确、实时地监控电力应用。通过这种实时数据，电力公司可以监控需求，检查异常现象，从而提高效率，降低成本。由于智能电表必须不断记录数据，因此需要高耐久性的内存。另外，OTA功能的加入，使得内存的高效写入速度更加关键。

RAMSUN存储芯片供应商介绍的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

STT-MRAM非易失性随机存取存储器是一款像SRAM一样 高速、高耐久性、单字节访问的工作，也可以像ROM/Flash一样非挥发性，保留时间长的存储。

MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器，使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。

EMD3D256M DDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存储器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性

MRAM具有接近零的静态功耗，较高的读写速度，与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相兼容等优点，在车用电子与穿戴设备等领域已实现商业化应用，被认为是最有希望的下一代存储器之一。

xSPI接口MRAM是性能最高的持久性存储器，基于新的JEDEC扩展串行外设接口(xSPI)标准接口完成每秒400兆字节的全读写带宽。容量为8Mbit到64Mbit，主要用于工业物联网和嵌入式系统。

MR256D08BMA45R的数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。...

xSPI MRAM的主要亮点是400MB/s的读写速度，因为这个速度是NOR或NAND等闪存设备的数倍，在写入方面甚至更高。该产品的其他好处，比如：在编程之前无需擦除、高效写入（比NAND 低10倍，比NOR低200倍），以及可以兼容旧软件的NOR闪存模式。...

MRAM先驱Everspin Technologies其最新创新产品EMxxLX系列工业级xSPI STT-MRAM芯片，容量高达64Mb。Everspin的新xSPI产品系列基于扩展的串行外设接口，这是用于非易失性存储设备的最新JEDEC标准。它基于Everspin独特的工业STT MRAM技术。这些产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数的SPI兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些持久性内存MRAM设备在单个1.8V电源上运行，并通过八个I/O信号提供高达400MBps的读

Everspin了解客户在工业市场中对长期数据保留和极端温度支持等功能在通常恶劣的工业环境中非常重要。该技术的固有耐用性通过避免使用其他非易失性存储器技术所需的纠错码和磨损均衡方案来简化和加速产品开发。Everspin的16兆位非易失性存储芯片MR4A16BMA35 MRAM专为需要极高数据可靠性和速度的应用而设计，具有市场上最快的非易失性存储器、对称的读/写性能和无限的耐用性，使系统设计人员受益匪浅。这些内存功能可确保自动化设计人员在每次发生电源中断时都能确定性且安全地保留过程数据。除了性能之外，该技术

MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量为4Mb的磁阻随机存取存储器 (MRAM)。位宽512K x 8。MR25H40CDF拥有35ns的读/写周期（无写入延迟），以及出色的耐读/写能力。数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，是理想的内存解决方案。MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同，

MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/写时序，具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间里始终是非易失性的。数据通过低压抑制电路在断电时自动保护，以防止电压超出规格的写入。MR0D08BMA45R是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。MR0D08BMA45R采用小尺寸8mmx8mm、48引脚球栅阵列(BGA)封装，在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商业

Everspin MR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。Everspin代理英尚微电子提供产品相关技术支持及应用解决方案。使用Everspin的专利MRAM技术，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。支持标准串行外设接口(SPI)、四路SPI和四路外设接口(QPI)模式，时钟频率高达104MHz。所有三种模式下的读取命令都支

在MRAM这类内存写入时，组件的穿隧氧化层会承受的庞大电压，使得数据的保存、写入耐久性，以及写入速度三者往往不可兼得，必须有所权衡。这意味着即使STT MRAM技术已经接近成熟，其受到的限制仍让它无法满足高速RAM应用必须兼具高速写入、无限耐久性，以及可接受的数据保存能力之需求。STT-MRAM（也称为STT-RAM或有时称为ST-MRAM和ST-RAM）是一种高级类型的MRAM设备。与常规设备相比，STT-MRAM可实现更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相对于ToggleMRAM的主要优势

MRAM速度快且非易失性。实时监控的传感器数据可以实时写入，无需负载均衡或ECC开销。AEC-Q1001级合格MRAM将在发动机罩下应用的扩展温度（-40℃至125℃）内保留数据20年。意外断电不会影响数据完整性。Everspin的汽车规AEC-Q100MRAM内存可用于赛车运动超级自行车的发动机控制单元，在每次比赛之前的试运行中，燃油喷射、点火、制动和加速的传感器数据都会被测量并记录在MRAM中。根据这些数据，发动机控制单元(ECU)可以对自行车进行微调，使其在当天的个别骑手、特定赛道和确切比赛条件下以

血液透析是为人工肾、洗肾，是血液净化技术的一种。其利用半透膜原理，通过扩散、对人体内各种有害以及多余的代谢废物和过多的电解质移出体外，达到净化血液的目的，并吸达到纠正水电解质及酸碱平衡的目的。本篇文章介绍一些应用在血液透析机上的非易失性MRAM.血液透析机使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性、不需要电池或电容器、无限的非易失性写入耐久性和非易失性写入周期和读取周期的高速。这些独特的MRAM属性提高了系统的可靠性，这在高可靠性医疗设备市场中至关重要。Eversp

MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。MR25H10MDC是一款位宽为128Kx8的非易失性MRAM存储器，提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。MR25H10MDC与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10MDC是理想的

Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MR25H10CDC是一款位宽128Kx8的非易失存储器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟

Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚。MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM，对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，是理想的存储器解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同，使用MR20H40CDF系列，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。MR20H40CDF概述MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，

从人工驾驶到辅助驾驶再到全自动驾驶，社会正在将人为操纵的一切转向电子控制。尤其是近两年，L3甚至以上的汽车越来越多，自动驾驶和现实的距离就差“一小步”。简单解释一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5级别：针对自动驾驶的等级划分，目前主要有两个标准，一是美国交通部下属的NHSTA（国家高速路安全管理局）制定的，另外则是SAE International（国际汽车工程师协会）所制定的。通常来说，大家还是使用SAE进行区分。纵观整个市场，现在的汽车究竟搭载了多少复杂的功能？自动泊车、碰撞警告、主动刹车、

因政策、需求、技术的全面推动，我国智能表计市场正步入高速发展期——过去十年里，国家电网牵头的载波通信智能电表进入了千家万户；2018年前后NB-IoT智能表计在国内市场开始商用；2019年NB-IoT智能水表/燃气表均突破1000万户。到2020年时NB-IoT和NR被正式纳入5G标准，智能表计的发展呈现出新特点。同时远程抄表、远程缴费功能为全球疫情防护提供了便利。随着低功耗传感器技术的进步，设备仅需极小电量就可高效地传输数据。作为蜂窝物联网设备的一个类别，智能表计在全球各地均有广泛地应用。特别是疫情期间

MR10Q010是理想的存储器解决方案，适用于必须使用少量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I/O允许非常快速的读取和写入，使其成为下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器中传统并行数据总线接口的有吸引力的替代方案。使用Everspin的专利MRAM技术，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。支持标准串行外设接口(SPI)、四路SPI和四路外设接口(QPI)模式，时钟频率高达