EVERSPIN的博客

铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口FRAM与SRAM的比较。并口FRAM vs SRAM具有并行接口的FRAM与电池备用SRAM兼容，可以替代SRAM。通过用FRAM代替SRAM，客户可以期望以下优势。1、降低总成本使用SRAM的系统需要持续检查电池状态。如果用FRAM替换后，客户可以从维护电池检查的负担中解放出来。此外，FRAM不需要电池插座

什么是FRAM？FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM（只读存储器）和RAM（随机存取存储器）的特性，具有写入速度更快、读/写循环寿命长、功耗低等特点。FRAM采用了哪些类型的应用程序？FRAM已被用于需要小密度内存和频繁数据写入的应用中。应用示例是；OA设备（例如用于计数器和打印记录的MFP），FA设备（例如用于存储参数和数据记录的测量设备和分析仪），金融终端（例如用于交易历史的ATM）、基础设施计量、汽车导航系统和音频设备。与传

铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点，具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性。也称为FeRAM。FRAM铁电存储器是一款非易失性存储器产品，与传统的非易失性存储器相比，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。近日富士通半导体推出配备Quad SPI接口的8Mbit FRAM MB85RQ8MLX，其密度堪称Fujitsu SPI接口FRAM产品系列之最。富士通MB85RQ8MLX是一款容量为8Mbit的非易失性铁电

富士通型号MB85RC04V是一款FRAM芯片，位宽为512字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC04V能够在不使用数据备份电池的情况下保留数据。MB85RC04V使用的非易失性存储单元的读/写寿命提高到至少1012个周期，在数量上明显优于其他非易失性存储产品。MB85RC04V铁电存储器在写入存储器后不需要轮询序列，例如闪存或E2PROM的情况。特点•位配置：512字×8位•两线串行接口：完全由两个端口控制：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点。富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM相同，TSOP封装与SRAM兼容。MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。在快速页面模式下，FRAM能够运行到25ns，在连续数据传输时，其访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且降低了功耗。该FRAM的最大写入电流为1

FRAM（铁电RAM）是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如 EEPROM、闪存）相比，铁电存储器不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。铁电存储器是一种具有高读写耐久性和快速写入速度，功耗低等优点的高性能和高可靠性存储器。本篇文章介绍关于其他存储芯片时的常见问题和铁电存储器解决方案。状态：使用EEPROM问题：由于写耐久性规范的限制，难以更频繁地记录数据解决方案：使用FRAM保证10万亿读/写周期状态：使用EEPROM问题：有突发

从人工驾驶到辅助驾驶再到全自动驾驶，社会正在将人为操纵的一切转向电子控制。尤其是近两年，L3甚至以上的汽车越来越多，自动驾驶和现实的距离就差“一小步”。简单解释一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5级别：针对自动驾驶的等级划分，目前主要有两个标准，一是美国交通部下属的NHSTA（国家高速路安全管理局）制定的，另外则是SAE International（国际汽车工程师协会）所制定的。通常来说，大家还是使用SAE进行区分。纵观整个市场，现在的汽车究竟搭载了多少复杂的功能？自动泊车、碰撞警告、主动刹车、

功能概述FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数

内存被视为一种必要的技术，然而工厂自动化、自动驾驶汽车、便携式医疗设备、边缘计算和物联网传感器等新应用正在迫使性能要求发生变化。因此用于评估和选择特定应用程序内存的标准也发生了变化。NAND、NOR和FRAM在各种应用中都有不同的优势。由于这些解决方案中的每一个都有针对特定目标应用程序的独特功能集，因此确定哪种类型的内存解决方案可为所需应用程序提供最佳性能和可靠性非常重要。数据中心、计算机和消费设备中的海量存储需要最高的密度和最低的每比特成本，通常由NAND闪存支持。嵌入式计算机存储启动代码和事务数据，通

cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（即FRAM）与RAM相同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。与串行闪存不同的是，CY15B104QSN以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。与其他非

FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。功能比较串行FRAM与EEPROM/闪存与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比，FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势；性能改进由于写入速度快，即使在突然断电的情况下，铁电存储器也能以写入方式存

富士通半导体一款具有快速数据传输功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最高108MHz的工作频率和带有四个I/O引脚的Quad SPI接口下实现每秒54MB的数据传输速率。MB85RQ4ML封装MB85RQ4ML具有高速运行和非易失性的特点，非常适合用于需要快速数据重写的工业计算和网络设备，如可编程逻辑控制器（PLC）和路由器。代理商英尚微支持样品测试及技术支持。富士通半导体20多年来量产的FRAM产品与EEPROM和闪存相比，具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和

首先我们解释一下FRAM是什么。FRAM是电子元器件中的一种半导体产品。半导体产品有微处理器、逻辑器件、模拟器件、存储器件等各种器件。FRAM是DRAM和闪存等存储设备之一。FRAM代表铁电随机存取存储器。它也被称为铁电存储器，因为它使用铁电元件来存储数据。◼四种FRAM特性FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。通过四大特性，FRAM可以满足客户对存储设备的要求，例如获取更多数据和保护写入数据。◼与其他内存的比较表

对于所有基于微控制器的嵌入式系统而言，存储器都是其中的主要元件。例如开发人员需要足够的ram以存储所有易失性变量、创建缓冲区以及管理各种应用堆栈。RAM对于嵌入式系统相当重要，同样，开发人员也需要一定空间用于存储应用代码、非易失性数据和配置信息。EEPROM往往是开发人员最先、最常考虑用于嵌入式系统的存储器件。在嵌入式应用中，这类非易失性存储器通常用于存储系统配置参数。例如，连接至CAN总线网络的设备可能会将CAN ID存储于EEPROM。EEPROM的以下特性使其成为嵌入式系统开发人员的理想之选：•

CYPRESS提供全面的铁电RAM非易失性存储器产品组合，可在断电时立即捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录应用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)，或以低功耗设计的植入人体的增强生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。功能说明FM25640B是一款采用先进铁电工艺的64Kbit非易失性铁电存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，执行类似于RAM的读取和写入。它提供151年的可靠

FRAM只是一种像ram一样运行的高速非易失性存储器。这允许程序员根据需要灵活地分配ROM和RAM存储器映射。它为最终用户创造了在底层对FRAM进行编程以根据他们的个人喜好进行定制的机会。独立的FRAM允许设计人员发挥创造力，在广泛的设计中探索和使用FRAM。FRAM具有非挥发性、高速写入、高耐力以及低功耗的特性，适合应用在办公自动化设备、通讯设备、音响、影音设备、测量分析装置、娱乐、固态硬盘、自动柜员机、FA等领域。■描述MB85RC16V是一款FRAM芯片，采用2,048字×8位配置，采用铁电工艺和

富士通FRAM（铁电RAM）是新一代非易失性存储器，性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。■描述MB85RS128B是一款16,384字×8位配置的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。MB85RS128B能够在不

富士通FRAM是新一代非易失性存储器，其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种应用，包括智能卡、RFID、安全和许多其他需要高性能非易失性存储器的应用。■描述MB85RS64是一款8,192字×8位配置的FRAM（铁电存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS64采用串行外设接口（SPI）。MB85RS64能够在不使用备用电池的情况下保留数据，这

Cypress凭借在分立存储器半导体领域近40年的经验，以同类最佳的存储器产品、解决方案和技术引领行业。于1982年推出第一款随机存取存储器，并从这个吉祥的开端发展为涵盖NOR闪存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的广泛产品，其密度范围从4Kbit到4Gbit。赛普拉斯易失性和非易失性存储器产品组合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM产品。功能概述FM25V01A-G是一个采用高级铁电工艺的128Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提

赛普拉斯的目标市场增长速度超过更广泛的半导体行业，包括汽车、工业和消费电子市场。安全无线技术包括MCU、存储器、FRAM、模拟IC和USB控制器，提供了物联网领域竞争优势，并在新兴市场（包括联网设备和自动驾驶汽车）上取得了飞跃。凭借30多年的行业经验，提供通向新产品、新市场和新收入的交钥匙途径。赛普拉斯Serial FeRAM型号FM33256B-G将FRAM存储器与基于处理器的系统最常用的功能集成在一起。主要特性包括非易失性存储器、实时时钟、低VDD复位、看门狗定时器、非易失性事件计数器、可锁定的64位

存储设备（主要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失，这意味着数据一旦被写入，只要不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破，富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域，医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等，涉及的应用超过2

FM25V10-GTR是采用先进铁电工艺的1Mbit非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。FM25V10-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上被组织为131,072×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25V10-GTR与具有相同引脚排列的串行

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8,192×8位，可使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25CL64B-GTR与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优越写入性能，高耐用性和低功耗。FM25CL64B-GTR是采用高级铁电工艺的64Kb非易失性存储器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了

赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器，采用先进铁电工艺的512Kb非易失性存储器。主要提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。并且执行类似于RAM的读取和写入操作。FM25V05-GTR是串行FRAM存储器。逻辑上将存储器阵列组织为65,536×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线对其进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25V05-GTR与具有相同引脚排列的串行

赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。CY15B104Q-LHXI是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为524,288×8位，可使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。CY15B10

CYPRESS在包括汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和消费电子业务领域。主要向客户提供市场领先的MCU、无线 SoC、存储器、模拟IC和USB控制器的解决方案。在快速发展的物联网领域获得了优势和横跨传统市场的业务覆盖。给大家分享一款具有扩展温度的2Mbit串行FRAM存储器FM25V20A-DGQTR。FM25V20A-DGQTR功能介绍FM25V20A-DGQTR是采用先进铁电工艺的2Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了

随着系统复杂性不断增加，包括多个数学函数和算法的复杂代码也随之增加，片上存储器内存容量可能不足。因此便携式医疗系统通常需要额外的存储空间，以便设计人员使用外部存储器来增加内部存储器的空间。以下是一个典型的便携式医疗刺激系统，其系统考虑因素如下：系统每100ms捕获并记录128位采样数据系统的数据捕获和处理时间为5ms，工作电流为7mA（不包括向存储器写入数据时的电流消耗），数据记录存储器在数据捕获和处理期间保持待机或低功耗模式当捕获日志被写入到存储器时，系统和存储器都变为工作状态假设系统待机电流为

随着技术的不断进步，消费类、便携式医疗设备的功能越来越强大，越来越完善，极大地提高了准确性、可靠性、连接性和易用性，同时保证了用户健康信息的安全性，价格也合理。这些全新的高级功能需要更强的处理能力、安全性和连接性。日益增长的复杂性也要求固件/软件代码扩展，反过来不仅增加了代码，而且还提升了数据存储系统的存储器需求。这些增强功能，增加了系统的功耗预算，矛盾的是，紧凑外型的便携式医疗设备要求超长电池寿命，需要降低功耗。本篇文章富士通FRAM代理主要介绍的在便携式医疗设备应用中铁电存储器具有几大关键优势及FR

经过智能电表市场的长期验证，富士通FRAM产品在不断优化性能与降低成本的同时也逐步转向更广泛的智能表计市场。富士通FRAM在近几年也逐渐打入全球智能水和气表的主流供应链，成为准确记录和存储智能水和气表重要数据的标准元件。富士通FRAM在智能水和气表中的应用，与智能电表类似，如非易失性与高写入耐久性确保了准确、可靠的数据记录。此外由于水和气表使用电池供电，FRAM存储器拥有超低功耗的特性使之备受方案商的青睐。以64Byte数据写入为例，FRAM存储器的功耗仅仅是EEPROM的1/440，可以轻松应对实时和频繁

FRAM的学术名字叫做FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在 如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。FRAM性能比EEPROM好的的三个优势：1、寿命，读写的次数比较多， EEPROM和flash都达不到EEFROM的读写次数；2、功耗，同样写入64byte的数据，FRAM的功耗仅仅是EEPROM的1/10

与传统的存储技术相比，FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。富士通 FRAM量产20年以来，出货量更是超过了41亿颗！咱们富士通这么多的 FRAM 究竟用到了哪些领域呢？汽车&工业车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。智能表计电子设计的一个主要考虑因素是降低总功耗的同时提高可靠

存储设备（主要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失，这意味着数据一旦被写入，只要不进行擦除或重写，数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。富士通FRAM技术和工作原理FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。•当一个电场被加到铁电晶体时，中心离子顺着电场的方向在晶体里移动，当离子移动时，它通过一个能量壁垒，

环境传感器&摄像，车联网通信技术和人工智能决策平台是自动驾驶技术的核心技术。传感器，CAN通信，infotainment这些系统需要实时和持续地存储当前状态信息，并进行实时分析和处理。因此需要提高存储器的性能和耐久性设计，这些要求使FRAM成为理想的存储选择。FRAM在Car Infotainment中的应用高速烧写，高读写耐久性：系统经常会会受到发动机关闭，导航，倒车摄像或电话进入时的干扰，高端的car infotainment需要实时记录当前状态，并在干扰之后回复当前状态（最后的模式，操

富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。能够保持数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采用串行外围设备接口SPI。MB85RS2MTA中使用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85RS2MTA不需要花费很长时间就可以写入闪存或E2PROM之类的数据，MB85RS2MTA不需要等待时间。FUJITSU代理可提供

随着汽车智能化的发展，越来越多的车辆搭载了自动驾驶技术。据前瞻技术研究院的数据显示，2019年国内自动驾驶市场规模为1125亿元，预计至2023年可达2381亿元，年复合增长率达到20%。对于各大车企来说，作为新生事物的新能源和自动驾驶可以说是同一时间起步，其较传统燃油汽车更加简单的电控系统与整车架构都展现了这个组合极高的契合度，目前很多刚上市的新款新能源汽车都已经达到了L2自动驾驶级别。事实上，自动驾驶、或者说ADAS（高级驾驶辅助系统）的本质是汽车与环境的对话，通过传感器采集数据、存储器记录数据、处理器

新能源汽车的核心技术，是大家所熟知的动力电池，电池管理系统和整车控制单元。而高性能存储器FRAM将是提高这些核心技术的关键元件。无论是BMS，还是VCU，这些系统都需要实时和连续地对当前状态信息进行监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。FRAM在电池管理系统BMS应用高烧写耐久性，高速写入操作：•系统每0.1或1秒，实时和连续地存储重要数据（故障信息,SOH和SOC等）。•系统需要监

FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。富士通FRAM主要具备三大优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次，而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成，速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ，约为EEPR

MB85RQ4ML是一种FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用524,288字×8位的配置，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。采用四路串行外设接口（QSPI），可使用四个双向引脚（四路I/O）实现高带宽，例如以54MB/s的速度进行读写。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。富士通MB85RQ4ML中使用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。MB85RQ4ML不需要很长时间就可以写入闪存或E2PRO

富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262,144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制造。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中使用的存储单元可用于1010个读/写

内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数。对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序，内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一。铁电RAM或FRAM是一种快速，非易失性和低功耗的存储器，与其他基于浮栅或相变技术的非易失性存储器相比，它具有高耐用性是其主要优势之一。FRAM的“耐力”定义为疲劳后的记忆状态保持能力，或在许多开关周期后维持铁电开关电荷的非易失性部分的能力。学术领域已经进行了长期而深入的研究，以识别经过大量开关循环后材料中开关电荷（极化）损失的根源。提出了多种机制，例如氧空位