如何为系统选择合适的NAND FLASH

在设计使用NAND FLASH的系统时选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。

NAND FLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型，低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性和密度以及性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。

闪存概述
闪存单元由修改的场效应晶体管（FET）组成，在控制栅极和通道之间的绝缘层中具有额外的“浮置”栅极。通过施加高压将电荷注入到浮栅上（或从浮栅上去除）。这会改变打开晶体管所需的栅极电压，该电压代表存储在单元中的值。这些单元的阵列构成一个块，整个存储器由多个块组成。

由于浮栅完全被绝缘层包围，因此即使断电，也会保留存储的数据。

NAND FLASH单元图（在HyperstoneYoutube频道上有详细说明）

闪存阵列的简化图。黄色框突出显示die，浅灰色为plane，深蓝色为块，浅蓝色框则为page。该图仅用于可视化层次结构，而不能按比例绘制。（HyperstoneYoutube频道有更加详细说明）

NAND FLASH的关键挑战是管理使用可用页面写入数据的方式。在将新数据写入页面之前，必须先擦除该页面。但是，只能擦除包含许多页面而不是单个页面的整个块。此过程很复杂，由单独的设备（称为闪存控制器）进行管理。控制器需