CYPRESS代理铁电存储器中文资料FM25V05-GTR

赛普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性铁电存储器，采用先进铁电工艺的512Kb非易失性存储器。主要提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。并且执行类似于RAM的读取和写入操作。

FM25V05-GTR是串行FRAM存储器。逻辑上将存储器阵列组织为65,536×8位，并使用行业标准的串行外围设备接口（SPI）总线对其进行访问。FRAM的功能操作类似于串行闪存和串行EEPROM。FM25V05-GTR与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM之间的主要区别在于FRAM的优异写入性能，高耐用性和低功耗。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V05-GTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25V05-GTR能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。

这些功能使FM25V05-GTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集（可能是关键的写周期数）到要求苛刻的工业控制，在这些情况下，串行闪存或EEPROM的长写入时间可能会导致数据丢失。

FM25V05-GTR作为串行EEPROM或闪存的用户，可作为硬件的替代品而获得实质性好处。FM25V05-GTR使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，该ID允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。

引脚封装

记忆体架构
访问FM25V05-GTR时，用户对每个8个数据位的6