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最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS)，可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。

最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS)，可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。

最初的USB-PD 1.0仅提供固定功率配置：10W（5V，2A）、18W（12V，1.5A）、36W（12V，3A）、60W（20V，3A）和100W（20V，5A）。是湖南静芯开发的平缓浪涌抑制器(TDS)，可用于保护工作电压为 20V、22V、24V 的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。

LMZ21701微型模块是易于使用的降压直流/直流解决方案，可在空间受限的应用中驱动高达1000mA的负载。仅需一个输入电容器、一个输出电容器、一个软启动电容器和两个电阻器即可完成基本操作是低压降压稳压器（LDO）替代产品。TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。当 EOS 事件来临时，瞬态电压攀升至超过集成精密触发器所设定的击穿电压（VBR）阈值，触发电路精确的开启内置泄流场效应晶体管，有效的将瞬态高压与大电流安全释放到地。

TPS27S100是一款受到全面保护的单通道高侧开关，具有集成式NMOS和电荷泵。全面的诊断功能和高精度电流监控器功能，可对负载进行智能控制,且可调节电流限制功能能够极大地提高整个系统的可靠性。可通过外部电阻器将电流限制调节为0.5A至6A, 用于对MCU、模拟或数字接口进行多路复用的诊断使能功能。TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。

TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。上图部分展示了具有低侧驱动的数字输入模块的设计。本文主要是针对低侧数字输出驱动器DRV8803的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。

TDS(平缓钳位浪涌抑制器)具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。ADS8688作为常用的模数转换器，浪涌防护十分关键。本文主要是针对逐次逼近模数转换器ADS8688的浪涌防护方案，采用湖南静芯研发的TDS浪涌保护器件对芯片进行浪涌防护，保护设备免受电气系统中的浪涌电压或浪涌电流的损害，确保设备的安全性。3. TDS器件的钳位电压通常比传统TVS保护设备的钳位电压低30%，减少了系统的电气应力，可以更好的保护后端IC，也为系统中的其他组件创造了更大的安全余量。

DAC8771是一款单通道的精密全集成16位数模转换器(DAC)，具有自适应电源管理功能，适用于工业控制应用中。自适应电源管理电路在使能后能够最大程度降低芯片功耗。通过编程设定为电流输出后，电流输出驱动器上的电源电压根据电流输出引脚处电压的连续反馈，通过降压/升压转换器在4V至32V范围内进行调节；通过编程设定为电压输出后，该电路为电压输出级(±15V)生成可编程电源电压。DAC8771包含一个LDO，用于从单电源引脚生成数字电源(5V)，特别适合用于支持隔离式应用中。

TPS7A39器件是双路、单片、高PSRR、正负极低压降(LDO)稳压器，支持高达150mA的拉电流（和灌电流）。该器件的稳压输出可在外部独立调节为对称或不对称电压，因此是进行信号调节的理想型双路双极性电源。两个稳压器采用与标准数字逻辑对接的单个正逻辑使能引脚即可进行控制，可通过电容器编程的软启动功能将控制浪涌电流和启动时间。TPS7A39的内部基准电压可用外部基准电压覆盖，从而实现精密输出、获得输出电压阈量或跟踪其他电源。此外，TPS7A39具有缓冲 准输出，此输出可用作系统中其他组件的电压基准。

由于32µm远小于典型硅芯片的厚度（约120 µm-280µm，见图2），因此8/20µs浪涌脉冲的热能在硅芯片内部即可消散。TDS的2mm×2mm×0.68mm 6引脚封装比传统TVS二极管的SOD-123封装缩小60%，有效降低PCB面积，并且兼顾防护性能。对于10/1000µs浪涌事件，热量可以达到硅与封装的边界，封装热阻开始在浪涌性能中发挥作用。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同，其不再基于传统的。然而传统TVS存在不可忽视的缺点，从而导致系统设计面临挑战，例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。TDS经历4000次浪涌测试后，器件的峰值电流、钳位电压以及漏电流没有产生明显变化，其相比于传统的TVS二极管具有更高的鲁棒性和可靠性。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

由于TDS具有极平缓的钳位特性，在相同峰值电流下，其钳位电压相比于TVS降低30%，因此TDS耗散的功率更小。由表1可知，如果在相同的35A浪涌电流下观察TDS与TVS的钳位电压与耗散功率可知，ESTVS3300DRVR的功耗比SMAJ33A低315W，但ESTVS3300DRVR仍然能够提供与SMAJ33A相同级别的保护。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。图1 TDS与传统TVS的温度降额曲线。

本文对TDS与传统TVS二极管的电容特性进行对比，说明TDS产品的优势。一般情况下，保护方案的电容越低，其对信号完整性产生负面影响越小。TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同，其不再基于传统的。然而传统TVS存在不可忽视的缺点，从而导致系统设计面临挑战，例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

图1比较了传统TVS二极管与TDS在不同VRWM下的漏电流。湖南静芯突破浪涌控制（SurgeControl）技术，推出瞬态分流抑制器（Transient Diverting Suppressors，简称TDS）产品系列，用来保护电路的静电放电ESD（Electro-Static Discharge）和电气过压EOS（Electrical Over Stress）。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

IEC 61000-4-2是静电放电（ESD）抗扰度测试的国际标准，专门用于评估电气和电子设备在静电放电环境下的抗干扰能力。对TDS进行10次正负接触放电测试，图1测试结果表明，TDS在±10kV、±20kV和±30kV的接触放电测试后，其漏电流没有明显变化。因此，湖南静芯推出的TDS器件ESD峰值能力达到±30kV，满足IEC 61000-4-2 等级4的标准。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

根据图2所示的钳位电压与温度的关系可以看出,传统的TVS二极管的钳位电压随温度上升而增加，对温度变化极为敏感。TDS的钳位电压在-40℃~125℃的工作温度范围内保持平缓。传统TVS二极管依赖内部的反向PN结击穿与浪涌电流泄放，由于分立器件工艺的不稳定性以及PN结的反向击穿电压对外界温度极为敏感，因此导致TVS器件的触发电压存在差异。除此之外，TVS吸收瞬态峰值电流的能力与结温和环境温度有关,随着泄放电流的增加和环境温度升高，TVS二极管的结温也随之上升，IPP直线下降且钳位电压上升。

图1展示了传统TVS二极管与TDS在泄放相同等级浪涌电流时的钳位电压波形，TDS的钳位电压比传统TVS二极管的钳位电压降低30%，有利保证系统的可靠性。因此使用TDS替代传统TVS器件具有更优的可靠性，并且不用因考虑降低TVS二极管的钳位电压而去过度设计防护方案以及后端芯片的耐压范围，进而简化系统防护方案以及降低防护方案的成本。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

在EOS事件期间，瞬态电压攀升至精密触发器所设定的击穿电压（VBR）阈值时，触发电路立即启动，开启内置的泄流场效应晶体管，有效的将瞬态高压与大电流安全转移至地。内置浪涌额定场效应晶体管的RDYN非常小，因此TDS的钳位电压与击穿电压近似相等，并且TDS的钳位电压在额定峰值脉冲电流范围内基本保持恒定，如图3所示。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。图3 传统TVS二极管与TDS的钳位电压对比。

USB-PD规范允许USB Type-C在主机和外围设备都支持USB-PD并使用兼容的USB Type-C电缆时，使用标准功率范围提供高达100W的功率，使用扩展功率范围提供高达240W的功率。更高的功率水平需要为设备的USB Type-C接口和内部IC提供强大的保护措施，以防止ESD和浪涌带来的危险。湖南静芯半导体的TDS产品可有效应对这些威胁，其紧凑的尺寸和多功能性使其成为保护USB-PD应用中的USB Type-C接口的理想选择，制造商可以在使用其高性能电子产品时为消费者提供持续可靠的体验。

瞬态电压抑制（TVS）二极管通常是浪涌保护的热门选择。尽管它们的成本低廉和应用简单等特点使其应用广泛，但其固有的缺点仍给系统设计带来了挑战。TVS二极管对温度变化极为敏感、较高的钳位电压以及较大的封装体积，通常需要对受保护电路进行过度设计，这无疑增加了系统浪涌防护方案的复杂度以及增加系统的设计成本。湖南静芯半导体突破浪涌控制（SurgeControl）技术，推出瞬态浪涌分流抑制器（Transient Diverting Suppressors，简称TDS）产品系列，以防止系统中引入的瞬态浪涌事件。这种采用I